Проведено спектрофотометрическое исследование сульфитного комплексного соединения кобальта в водном растворе с концентрацией кобальта от 0.008 до 0.08 моль/л при значении рН = 7,71±0,05 и постоянной ионной силе 0,02. Исследование оптической плотности проводили при длине волны 470 нм в кювете длиной 3 см. Методами изомолярной серии, молярных отношений, сдвига равновесия и по данным электролиза установлен состав образующегося соединения [CoSO₃]⁰. По методам Бабко и Шварценбаха рассчитаны значения молярного коэффициента светопоглощения и константы устойчивости комплексного соединения.

Впервые сопоставляются интенсивности магнитоупругих колебаний, сопровождающих импульсные процессы 180o-го и 90o-го перемагничивания монокристаллов бората железа, а также их намагничивания из размагниченного состояния (с нулевым суммарным магнитным моментом). За меру интенсивности магнитоупругих колебаний принималась амплитуда A1 колебаний сигнала, считываемого с исследуемого образца индукционным способом. Найдено, что при одном и том же значении амплитуды импульсов магнитного поля H, возбуждающих переходной процесс, амплитуды колебаний A1, наблюдаемых при 90o-м перемагничивании и намагничивании, имеют практически равные значения, которые в sqrt(2)sqrt раз меньше амплитуды колебаний при 180o-м перемагничивании. На основании полученного результата делается вывод, что интенсивность магнитупругих колебаний слабо зависит от исходного состояния монокристалла, а определяется в основном плотностью энергии Delta M· H, получаемой магнитной подсистемой кристалла от внешнего поля (Delta M --- изменение намагниченности). Отсюда следует, что при применении бората железа в скоростных модуляторах мессбауэровского gamma-излучения вместо режима намагничивания, как это делалось до последнего времени, предпочтительнее использовать режим 90o-го перемагничивания.

Исследована водородопроницаемость аморфного и рекристаллизованного Fe сплавов. Установлено, что поверхностные слои обоих образцов обогащены металлоидами, препятствующими проникновению водорода из молекулярной и атомарной фазы. Кинетика кривых установления потока при облучении ионами в аморфном сплаве указывает на процессы обратимого захвата. Проникающий поток демонстрирует аррениусовскую зависимость от температуры в случае рекристаллизованных образцов и немонотонную зависимость от температуры в случае аморфных. Предложена модель проникновения водорода, учитывающая реэмиссионный и диффузионный процессы, и получены оценки энергий активации термодесорбции и диффузии.

Приведены результаты исследования оптических характеристик плазмы поперечного разряда в смесях He/Xe(Kr)/HCl(CF2Cl2) с малыми примесями паров железа, полученными при разрушении рабочих поверхностей металлических электродов. Показано, что атомы железа эффективно возбуждаются спонтанным излучением молекул KrCl (lambda=22 nm) и XeCl (lambda=308 nm) в наносекундном поперечном разряде.

Антиточки размером 0.5 mum были приготовлены методом травления железо-никелевой пленки сфокусированным ионным пучком. Распределение намагниченности в полученных массивах антиточек исследовалось с помощью лоренцевой электронной микроскопии на просвет. Эти исследования показывают, что одна из сторон массива располагается под углом примерно 20o по отношению к направлению оси легкого намагничивания железо-никелевой пленки. Перемагничивание вдоль направления, близкого к направлению оси легкого намагничивания, начинается с процесса зарождения доменов на краях антиточек, перпендикулярных направлению приложенного поля и примыкающих к нетравленой области пленки, и продолжается движением доменной стенки. Перемагничивание вдоль направления, близкого к направлению оси тяжелого намагничивания, начинается в основном с процесса вращения намагниченности вне травленой области на краях антиточек и продолжается сложным движением доменных стенок. Показывается, что некоторые области между краями смежных антиточек могут рассматриваться как области, где возможна запись битов информации. Полученные результаты объясняются с точки зрения конкуренции энергий размагничивания, внутренней анизотропии и эффектом разориентации. Обсуждается возможность использования таких структур в качестве элементов памяти высокой плотности.

Рассмотрено взаимодействие высокочастотного электромагнитного поля с образцом сверхрешеток Fe/Cr, размещенном в прямоугольном волноводе так, что реализуется протекание высокочастотного тока в плоскости слоев сверхрешетки. На частотах сантиметрового диапазона определена зависимость коэффициента передачи от напряженности магнитного поля и установлена корреляция этой зависимости с полевой зависимостью магнитосопротивления, измеренного на постоянном токе. Показано, что наблюдаемые изменения коэффициента передачи могут по величине значительно превосходить гигантское магнитосопротивление сверхрешетки. Частотная зависимость микроволновых изменений имеет осцилляционный характер. Частоты осцилляций проанализированы с использованием вейвлетного преобразования, и установлено, что существуют две серии периодов, один из которых соответствует резонансу волн, бегущих вдоль сверхрешетки в направлении, параллельном узкой стороне волновода.

Изучено взаимодействие бегущих электромагнитных волн с мультислойными наноструктурами Fe/Cr, полученными методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Измерения выполнены в интервале частот 5.7-12.5 GHz в магнитных полях напряженностью до 32 kOe. Установлено, что зависимость микроволнового коэффициента прохождения от напряженности внешнего постоянного магнитного поля подобна полевой зависимости гигантского магниторезистивного эффекта, измеренного на постоянном токе. В результате взаимодействия волновое число изменяется пропорционально изменению электросопротивления наноструктуры. Выполнен модельный расчет электромагнитных полей и показано, что высокочастотные токи протекают в мультислойной наноструктуре преимущественно поперек слоев.

Изучено влияние структурного состояния аморфных сплавов Fe5Co70Si15B10, Fe60Co20Si5B15, Co81.5Mo9.5Zr9 на их магнитные характеристики при разных условиях нанокристаллизации. Обнаружено влияние постоянного магнитного поля при термомагнитной обработке на процессы структурообразования на начальных стадиях расстекловывания аморфных сплавов. Установлена связь особенностей тонкой структуры исследованных расстекловывающихся аморфных сплавов с величиной поля смещения петли гистерезиса. Развитs физические представления о механизме возникновения смещенных петель гистерезиса в аморфных сплавах.

С помощью низкосимметричных (C3-симметрии) механических напряжений индуцирована дополнительная магнитокристаллическая анизотропия в базисной плоскости монокристалла FeBO3. Магнитооптическим методом проведено исследование влияния наведенной напряжениями анизотропии на основные магнитные свойства этого слабого ферромагнетика. Показано, что возникновение в борате железа дополнительной анизотропии приводит к преобразованию его доменной структуры из 180o-ной в структуру, в которой доменные границы образуют в базисной плоскости кристалла между собой углы ~120o, однако в отличие от обычной 120o-ной доменной структуры азимут вектора спонтанной намагниченности в возникающих доменах изменяется вдоль длины доменных границ. Установлено, что вызванная напряжениями перестройка доменной структуры кристалла оказывает заметное влияние на форму петель гистерезиса, наблюдаемых при квазистатическом режиме намагничивания, увеличивает начальную магнитооптическую восприимчивость, а также приводит к возникновению анизотропии коэрцитивной силы. PACS: 75.50.Bb

Методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней с использованием синхротронного излучения изучено взаимодействие атомов железа с окиленной поверхностью Si(100)2x1 при комнатной температуре в области покрытий от субмонослойных до четырех монослоев. С помощью компьютерного моделирования спектров Si 2p-остовных электронов выявлен эффект проникновения атомов Fe под окисный слой кремния, который наблюдается даже при комнатной температуре. Показано, что этот процесс сопровождается исчезновением интерфейсных фаз кремния, существовавших на границе SiOx/Si, и приводит к появлению более сложной тройной фазы с участием атомов Fe, O и Si, а также к формированию в области межфазовой границы твердого раствора Fe-Si. PACS: 68.35.Fx