Теоретически и экспериментально рассмотрены особенности голографических однокомпонентных диффузных экранов, выполненных на основе осевых пропускающих голограмм. Проведен анализ конфигурации восстановленных голограммой дополнительных изображений диффузного экрана (сопряженное изображение, гало, нулевой порядок). Предложена так называемая центрированная голограмма, у которой сопряженное изображение диффузного экрана пространственно совпадает с основным изображением и таким образом исключаются вносимые сопряженным изображением искажения. Предложена также и осуществлена экспериментально схема записи голограмм на основе интерферометра Маха-Цендера, позволившая исключить появление тени объекта на голограмме. Отмечено, что в случае записи плоского диффузного экрана наличие гало не ведет к искажениям изображения объекта, проецируемого через экран, а только приводит к частичной потере света. Исследования проецируемых изображений показали, что, хотя яркость нулевого порядка относительно невелика, ее следует понизить тем или иным способом.

Решается проблема синтеза токов по заданной реализуемой или нереализуемой диаграмме направленности. Если диаграмма направленности реализуема, то задача решается аналитическим методом: ток ищется в виде ряда по базису, каждая функция которого удовлетворяет условию Мейкснера на ребре. Если диаграмма нереализуема, то ток находится из решения интегрального уравнения с малым параметром. Решение интегрального уравнения также удовлетворяет условию Мейкснера на ребре.

-1 Впервые теоретически исследована возможность формирования эффективной двухлучевой диаграммы направленности при брэгговской акустооптической дифракции. Показано, что увеличение эффективности диффракции в основные лучи возможно при подмешивании к двухчастотному сигналу дополнительных спектральных составляющих, соответствующих ближайшим комбинационным частотам. Подмешивание дополнительного сигнала осуществлено в рамках оригинальной радиотехнической системы полиноминальной нелинейной коррекции управляющего сигнала. Проведено экспериментальное исследование брэгговской дифракции на корректированном сигнале в высокоэффективном модуляторе из парателлурита (TeO2). Получено удовлетворительное согласие с теорией и достигнуты перспективные для практики результаты. В частности, совокупная максимальная эффективность дифракции в два основных луча повышена с 68 до 79%. PACS: 78.20.Hp, 07.60.-j

Методом атомно-силовой микроскопии исследованы структуры с InAs-квантовыми точками, полученные молекулярно-пучковой эпитаксией на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010] на 1, 2, 4 и 6град. Показано, что при выбранном направлении разориентации вицинальная поверхность GaAs (010) покрывается сетью ступенчатых террас. Уплотнение сети террас по мере увеличения угла разориентации приводит к блокированию поверхностной диффузии адсорбированных атомов и делает возможным получение более плотных и более однородных ансамблей квантовых точек при одновременном существенном снижении вероятности их коалесценции.

Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см2.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены гетероструктуры InGaN/GaN с плотными массивами нанодоменов InGaN. Показано наличие лазерной генерации в вертикальном направлении при низких температурах, что свидетельствует о реализации сверхвысокого усиления в активной области (~105 см-1). Реализация эффективного распределенного брэгговского отражателя AlGaN/GaN с коэффициентом отражения, превышающим 90%, позволила получить лазерную генерацию в вертикальном направлении при комнатной температуре в структуре с нижним распределенным брэгговским отражателем, несмотря на отсутствие хорошо отражающего врехнего зеркала. Длина волны лазерной генерации составила 401 нм, а пороговая плотность возбуждения--- 400 кВт/см2.

На основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP созданы лазеры с большой толщиной активной области (3 мкм) и большой шириной резонатора (40 мкм) для получения высокой направленности излучения в плоскости p-n-перехода, работающие вблизи 3.3 мкм. Изучены спектры генерации и диаграммы направленности при различных токах. Линия лазерного излучения смещается с током на 24 Angstrem. Полуширина диаграммы направленности составляет 9o в плоскости p-n-перехода и 63o в плоскости, перпендикулярной плоскости p-n-перехода. Проведено сопоставление экспериментальных результатов направленности потока излучения с теоретически ожидаемым для случая возникновения в резонаторе двух синфазных потоков с одинаковой амплитудой.

Изучена зависимость распределения поля от интенсивности освещения в сильно смещенной высокоомной структуре металл--полупроводник, освещаемой собственным монохроматическим светом. Выявлены различия в распределении поля при освещении со стороны анода и катода, обусловленные в толще разностью подвижностей фотоносителей, а вблизи освещаемой поверхности--- различным направлением диффузионного и дрейфового потоков для более подвижных электронов. Показано, что при освещении со стороны катода распределение поля в толще не монотонно. Оно убывает в тонком слое с удалением от освещаемого катода, проходит через минимум и растет в направлении к аноду. Сувеличением интенсивности освещения квазинейтральная область в окрестности минимума поля расширяется в направлении к аноду и минимальное поле убывает, в то время как поле у освещаемого катода при малых интенсивностях уменьшается, а при больших интенсивностях растет. При достаточно больших интенсивностях освещения координатная зависимость поля в толще чистых кристаллов как функция расстояния от освещаемого электрода не зависит от направления освещения.

Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кристаллизации фазы CoSi2. Показана возможность использования процессов направленного формирования силицидной фазы для изготовления наноразмерных структур без применения операций традиционной литографии и химического травления. PACS: 68.35.Dv, 65.55.Ln, 81.05.Cy, 81.10.Aj

Цель исследования – проанализировать основные стадии и тенденции эволюции сельского расселения на Среднем Урала в XX веке, а также охарактеризовать варианты трансформации исторически сложившихся территориальных (региональных) систем расселения.