Найдено научных статей и публикаций: 702
101.
Внутреннее трение в направленно закристаллизованных сплавах (Cu--Sn)--Nb
Исследованы высокотемпературные (до 400oC) особенности низкочастотного внутреннего трения (ВТ) Q-1(T) композитов составов (Cu--Sn)--Nb в интервале деформаций 10-5-10-4. Зарегистрированы значительный гистерезис Q-1(T) в цикле нагрев--охлаждение, а также минимум (~175oC) при нагреве и два пика P2 (280oC) и P1 (~100oC) ВТ при охлаждении от 400oC. Вычислены энергия активации аномального фона ВТ (до 175oC), параметры диффузии и концентрация кислорода в ниобиевых волокнах (определяющие пик P2), оценены величина и температурная зависимость предела текучести бронзовой матрицы (определяющие пик P1).
102.
К теории нелинейных направленных ответвителей
Представлен метод получения точных аналитических решений системы нелинейных уравнений распространения электромагнитных полей в направленных ответвителях с произвольной нелинейностью для постоянной распространения. Полученные решения позволяют определить характерные особенности функционирования нелинейных направленных ответвителей.
103.
Исследования направленных скоростей ионов в вакуумном дуговом разряде эмиссионными методами
Направленные скорости ионов в плазме вакуумного дугового разряда измерены на основе исследования реакции параметров тока эмиссии ионов при резком изменении тока дуги. Показано, что эти скорости составляют величину порядка 106 cm/s, определяются материалом катода и практически не зависят от зарядности ионов. Магнитное поле приводит к возрастанию направленных скоростей ионов, а повышение давления газа --- к их уменьшению. При этом лишь в последнем случае наблюдается зависимость направленных скоростей от зарядности ионов.
104.
Закономерности распространения света в направленном ответвителе с насыщающейся нелинейностью
Изучены закономерности распространения лазерного излучения в нелинейном направленном ответвителе с идентичными световодами с учетом эффекта насыщения показателя преломления среды. Получена бифуркационная плоскость параметров системы, в пределах которой определены области качественно различного поведения интенсивностей распространяющихся волн и функции пропускания. Доказана возможность существования эффекта самопереключения распространяющихся волн с двумя критическими точками. Изучено поведение длины связи ответвителя в зависимости от уровня возбуждения и параметра нелинейности. Указаны существенные отличия ответвителя с насыщающейся нелинейностью от керровского нелинейного ответвителя.
105.
Синтез токов на полосе по заданной реализуемой диаграмме направленности
Разработана теория синтеза токов на полосе по заданной реализуемой диаграмме направленности. В основе теории лежит выбор пространства токов исходя из ограниченности поля в ближней зоне. Пространство диаграмм определяется как образ пространства токов при отображении, переводящем ток в диаграмму направленности. В этих пространствах введена гильбертова структура, а также указан базис. В результате задачи нахождения токов по диаграмме сведена к задаче разложения по базису. Рассмотрен пример расчета.
106.
Нелинейное трение как механизм генерации направленных движений
Предложена простая модель возникновения направленного движения под действием флуктуационных сил с нулевым средним (ratchet). Механизмом служит нарушение симметрии в пространстве скоростей нелинейным трением. Обсуждается качественная картина возникновения направленного движения. Получены критерии его возникновения. Оценена эффективность преобразования флуктуационных, хаотических воздействий в направленное движение.
107.
Наномашины: общий подход к индуцированию направленного движения на атомном уровне
Рассмотрено движение тел в периодическом потенциальном рельефе со слабым затуханием. Показано, что в присутствии внешних периодических воздействий разного типа возможно спонтанное направленное движение тел со скоростью, однозначно определяемой частотой периодического воздействия и пространственным периодом потенциала. Излагаемые принципы индуцирования направленного движения со строго контролируемой скоростью могут быть использованы для создания способов манипулирования отдельными молекулами или молекулярными кластерами на кристаллических поверхностях; \glqq наномашин\grqq --- объектов, способных к самопроизвольному движению не только в отсутствие внешней силы, но и при действии силы, противоположной ннаправлению движения (и тем самым способных транспортировать другие объекты); приводных устройств, обеспечивающих строго контролируемую скорость движения; регулируемых трибологических систем путем целенаправленного профилирования поверхностей трения и наложения ультразвукового воздействия. Показано, что зависимость средней скорости движения системы от средней приложенной силы (макроскопически воспринимаемая как \glqq закон трения системы\grqq) в присутствии периодических внешних возмущений содержит плато постоянной скорости при нулевой скорости и наборе эквидистантных дискретных скоростей. Задача создания полностью управляемых наномашин может быть сформулирована как задача управления шириной и положением этих плато.
108.
Исследование направленно-кристаллизованной керамики нейтрон-дифракционными методами
С использованием малоуглового рассеяния нейтронов и методами структурной нейтронографии с постоянной длиной волны и по времени пролета нейтронов проведено исследование влияния скорости роста направленно-криcталлизованной керамики состава Al2O3--Y3Al5O12 на степень совершенства микроструктуры двух фаз синтезированного образца. Показано, что при большей скорости роста ориентация и размеры нитевидной фазы Y3Al5O12 не изменяются, а фаза-матрица Al2O3 распадается на отдельные кристаллиты. Предложено использовать нейтрон-дифракционные методы для осуществления гибкого управления процессом роста кристаллов.
109.
Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера
Исследовано влияние селективного жидкостного химического травления излучающей поверхности полупроводниковых лазеров на основе InGaP/GaAs с квантовыми ямами InGaAs на диаграмму направленности их излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу. Методом атомно-силовой микроскопии установлено, что за счет разной скорости травления материалов широкозонных слоев (InGaP) и активной области лазеров (GaAs, InGaAs) на излучающей поверхности происходит самоформирование цилиндрической линзы (собирающей или рассеивающей в зависимости от вида травителя). Показано, что, подбирая соответствующее время травления, возможно изменять ширину диаграммы направленности лазера в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, в пределах 57-82o при исходной ширине диаграммы направленности на уровне 1/2 максимума, равной 66o.
110.
Фотоэмиссионный импульсный источник широкополосного направленного электромагнитного излучения
Представлены результаты расчетно-теоретических исследований генерации широкополосного направленного электромагнитного излучения, возникающего при наклонном падении фронта импульсного рентгеновского излучения на фотокатод плоского диода. Результаты численного моделирования сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с использованием установки \glqq Искра-5\grqq для создания лазерной плазмы в качестве источника рентгеновского излучения.