Приведены и проанализированы результаты измерений характерных узких линий оптического поглощения и излучения, вызванных низкотемпературным (при температурах T=1.8/ 77 K) скольжением дислокаций в кристаллах сульфида кадмия. Линии оптического поглощения характеризуются гигантскими силами осцилляторов (f~1). Предложена и обоснована модель, объясняющая всю совокупность экспериментальных результатов для сульфида кадмия и других соединений AIIBVI. В предложенной модели дислокационное оптическое поглощение и дислокационное излучение связываются с образованием одномерных цепочек ассоциаций точечных дефектов при скольжении винтовых дислокаций со ступеньками. Из данных эксперимента рассчитаны линейная плотность ступенек и объемная плотность точечных дефектов в цепочках, а также оценены силы осцилляторов соответствующих оптических переходов.

Проведены электронно-микроскопические исследования структуры эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs двух типов на подложках полуизолирующего арсенида галлия ориентации < 100>. Измерены низкотемпературные спектры фотолюминесценции и проанализированы их особенности. Показано, что образование ростовых дислокаций в таких структурах существенно влияет на спектры фотолюминесценции и ухудшает параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе.

Произведено обобщение теории Александера--Хаазена, описывающей деформационное поведение малодислокационных кристаллов полупроводников, с учетом эффекта динамического старения дислокаций, обусловленного увлечением примесей. Развитая теория объясняет ряд качественных отличий упруго-пластического перехода в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, от наблюдаемых в более чистых кристаллах. Вчастности, это касается зависимости высоты зуба текучести от начальной плотности дислокаций и ослабления скоростной чувствительности деформирующего напряжения.

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). Вкристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. Вкристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента ХоллаRH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.

Предложена гипотеза, позволяющая по-новому объяснить влияние дисклокций на электролюминесценцию кремниевых диодов. Ее сущность заключается в учете пространственной корреляции между инжектированными электронами и дырками, которые рекомбинируют внутри дислокаций. Проанализировано два случая. Впервом случае результирующий ток определяется туннелированием электронов и дырок по дислокациям с последующей рекомбинацией в условиях неполного спрямления барьера. Показано, что в этом случае электролюминесценция имеет некраевой характер, а энергия максимума полосы электролюминесценции смещается в коротковолновую область с понижением температуры и увеличением приложенного напряжения. Вовтором случае в полном токе доминирует диффузионная составляющая, излучательная рекомбинация происходит в квазинейтральных областях, а электролюминесценция имеет краевой характер. Показано, что предлагаемый механизм может привести к увеличению интенсивности электролюминесценции и ее квантовой эффективности в кремниевых диодах с дислокациями, если время жизни Шокли--Рида--Холла не превышает10-3 c.

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. Спомощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk

Девятко Ю.н., Плясов А.а. Низкотемпературная ползучесть дислокаций в облучаемых материалах // Научная сессия МИФИ-2001. Т.5 Медицинская физика т техника, биофизика. Математическое моделирование в геофизике. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 174-175

Исаенкова М.г., Перлович Ю.а. Распределение плотности дислокаций в трубах из сплавов на основе циркония // Научная сессия МИФИ-2003. Т.9 Перспективные наукоемкие технологии. Физика, химия и компьютерная разработка материалов, стр. 82-83

Чернавская Н.а. Роль анизотропии при расчете энергии прямолинейных дислокаций в ОЦК и ГЦК кристаллах. // Научная сессия МИФИ-2004. Т.5 Медицинская физика и техника, биофизика. Моделирование физических процессов в окружающей среде. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 167-168

Чернавская Н.а. Критические плотности дислокаций в ОЦК и ГЦК кристаллах // Научная сессия МИФИ-2004. Т.5 Медицинская физика и техника, биофизика. Моделирование физических процессов в окружающей среде. Охрана окружающей среды и рациональное природопользование. Теоретические проблемы физики, стр. 169-170