Методом ЭВМ моделирования исследованы особенности движения под действием ультразвука винтовой дислокации с учетом ее поперечного скольжения в неоднородном по пространству поле напряжений, создаваемом одноименной неподвижной дислокацией. Показано, что поперечное скольжение могут испытывать только дислокации, стартующие из определенных областей пространства. Приведены закономерности изменения размера и формы этих областей от параметров ультразвука, кристаллографической ориентации образца и коэффициента динамической вязкости.

Представлены результаты исследований подвижности дислокаций в легированном n-кремнии (Nd=5·1024 m-3) при одновременном электрическом (j=3·105 A / m-2) и магнитном (B=<1 T) воздействии. Установлено, что введение дислокаций (~109 m-2) в бездислокационный легированный фосфором кремний приводит к появлению парамагнитной составляющей магнитной восприимчивости, увеличивающейся с ростом концентрации легирующей примеси. Подобные преобразования могут нести основную ответственность за появление в кремнии примесных магниточувствительных стопоров, откликающихся на внешние магнитные возмущения. Наблюдение за поведением дислокаций, находящихся под воздействием электрических и магнитных полей, позволило зафиксировать параболическую зависимость их пробега от B. На основе проведенных исследований найдены численные значения эффективных зарядов и подвижностей дислокаций. Предложена модель, объясняющая увеличение подвижности дислокаций снижением тормозящей способности магниточувствительных стопоров вследствие локального изменения магнитных характеристик материала и протекания спин-зависимых структурных реакций, стимулированных магнитным полем.

Рассматривается роль электрических полей неподвижных ростовых дислокаций в формировании люминесцентных свойств деформированных кристаллов сульфида цинка. Показано, что особенности изменений фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса, наблюдаемые после пластического деформирования кристаллов ZnS, могут быть вызваны увеличением радиуса ридовских цилиндров, происходящим при выходе ростовых дислокаций из атмосфер Коттрелла.

С целью получения монокристаллов рубина с высокой степенью структурного совершенства методами четырехточечного нагружения при T=1490oC и ямок химического травления исследовалась эволюция структурного состояния и измерялось стартовое напряжение для начала движения дислокаций taust. Установленные закономерности распределения дислокаций и измеренное taust=2 MPa позволяют определить оптимальные параметры термомеханической обработки монокристаллов и приблизиться к решению проблемы их долговременной работоспособности.

Предложена теоретическая модель, описывающая испускание частичных дислокаций границами зерен в нанокристаллических металлах при пластической деформации. В рамках модели частичные дислокации испускаются при движении зернограничных дисклинаций --- носителей ротационной пластической деформации. Рассчитаны области параметров дефектной структуры, в которых испускание частичных дислокаций границами зерен в нанокристаллических металлах является энергетически выгодным процессом. Показано, что при уменьшении размера зерна испускание его границами частичных дислокаций становится более предпочтительным по сравнению с испусканием полных решеточных дислокаций. Работа выполнена при поддержке ИНТАС (грант 03-51-3779), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-01-00211), программы Министерства образования и науки РФ по твердотельным наноструктурам, Фонда содействия отечественной науке, Программы РАН \glqq Структурная механика материалов и элементов конструкций\grqq, Офиса Морских Исследований США (the Office of US Naval Research) (проект N 00014-01-1-1020), программы \glqq Интеграция\grqq (грант N Б0026) и Санкт-Петербургского научного центра РАН.

На основе метода усредненного лагранжиана типа Ритца--Уизема проведено исследование влияния поперечных возмущений на движение краевой дислокации, которая описывается моделью Френкеля--Конторовой, дополненной упругим ангармонизмом и учетом дискретности кристалла (акустической дисперсии). Показано, что квадратичный ангармонизм и акустическая дисперсия способствуют самофокусировке дислокации и образованию микротрещин. Кубический ангармонизм при определенных условиях способен стабилизировать поперечное сжатие дислокации, что может привести к образованию \glqq краудионных капель\grqq.

Исследовано распределение дефектов в дислокационных дорожках при различных углах индентирования кремниевых пластин. Выявлены закономерности изменения линейной плотности и максимального пробега дислокаций в линиях скольжения. Предложена модель, описывающая распределение дефектов в дислокационных дорожках. Согласование теории с экспериментом позволило выявить зависимость этого распределения от времени релаксации энергии.

На основе сопоставления данных микроскопических исследований, исследований состава и микротвердости показано, что в эпитаксиальных варизонных гетеросистемах CdTe/CdHdTe существует развитая система массивов дислокаций различного происхождения (прорастающих, несоответствия, на границах сращивания трехмерных островков и др.) с наклонными и параллельными границе раздела сегментами. Обнаружено неравномерное по толщине гетеросистемы увеличение микротвердости, коррелирующее в эпитаксиальном слое с распределением плотности дислокаций. PACS: 61.72.Ff, 62.20.Qp

Предложена трехмерная теоретическая модель генерации расщепленных дислокаций границами зерен в нанокристаллическом Al. В рамках модели прямоугольные скользящие полупетли расщепленных дислокаций зарождаются на скользящих петлях решеточных дислокаций, поджатых внешним напряжением к границам зерен. Определены уровень внешнего напряжения и размер зерна, при которых эмиссия таких дислокационных полупетель становится энергетически выгодной. Найдена зависимость ширины дефекта упаковки от размера зерна и величины приложенного напряжения. Показано, что экспериментально наблюдаемые аномально широкие дефекты упаковки в нанокристаллическом Al являются следствием высоких внутренних напряжений, формирующихся на стадиях изготовления и обработки или локального нагружения нанокристаллических образцов. Работа выполнена при поддержке INTAS (грант N 03-51-3779), INTAS--AIRBUS (грант N 04-80-7339), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-01-00211), Фонда содействия отечественной науке, Федерального агенства по науке и инновациям РФ (программа \glqq Механика деформируемого твердого тела и задачи нанотехнологии\grqq и грант Президента РФ МК-2902.2005.1), программы Министерства образования и науки РФ по развитию научного потенциала высшей школы, программы РАН \glqq Структурная механика материалов и элементов конструкций\grqq, Офиса морских исследований США (the Office of US Naval Research) (проект N 00014-05-1-0217), Санкт-Петербургского научного центра РАН и Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга (грант для молодых кандидатов наук 2005 г.). PACS: 62.25.+g, 61.72.Lk, 61.72.Mm

Вычислен коэффициент поглощения света, обусловленный непрямыми электронными переходами в полупроводнике, находящемся в квантующем магнитном поле в предположении, что роль третьего тела играет краевая дислокация. Выявлены характерные для рассмотренного механизма зависимости коэффициента поглощения от частоты света и от величины магнитного поля.