Представлены результаты экспериментального исследования подвижности краевых дислокаций в монокристаллах KCl : Ca и влияния на нее постоянного магнитного поля с индукцией 0.3 T. Исследование подвижности дислокаций в магнитном поле производилось с помощью высокоразрешающей (1 ms) методики, позволяющей in situ в процессе деформирования образца измерять его электрический дипольный момент, обусловленный смещением заряженных дислокаций. Обнаружено, что в магнитном поле понижаются стартовые напряжения и увеличивается активационный объем преодоления дислокациями точечных дефектов. Установлено, что магнитное поле приводит к увеличению интенсивности движения дислокаций на начальной стадии деформирования (до размножения) и не влияет на их подвижность на стадии размножения.

Сформулирована система уравнений самосогласованного поля для ансамбля непрерывно распределенных винтовых дислокаций. Показано, что интенсивная релаксация дислокационных зарядов, обусловленная упругим взаимодействием дислокаций, приводит к диффузионной динамике ансамбля. Определены условия возникновения неустойчивости однородного состояния. В двумерном случае описаны эффекты самоорганизации дислокаций и процессы их пространственного упорядочивания.

Изучалось поведение внутреннего трения магнитообработанной оловянистой бронзы в зависимости от степени закрепления дислокаций примесно-дефектной атмосферой. Установлено, что обработка импульсным магнитным полем исследуемого материала может по-разному влиять на его внутреннее трение. После обработки импульсным магнитным полем уровень внутреннего трения по сравнению с его уровнем в необработанном материале может быть более высоким, если в материале в результате процессов старения, предшествующих этой обработке, сформировалась дислокационная примесно-дефектная атмосфера, более низким в случае, если на дислокациях в результате предшествующей обработки полем сформировалась качественно новая примесно-дефектная атмосфера, либо вообще не изменяться в случае отсутствия на дислокациях атмосфер. Наблюдаемый характер поведения внутреннего трения в материале, обработанном импульсным магнитным полем, связывается с наличием в нем локализованных магнитоактивных центров, возбуждающихся в результате такой обработки, что может приводить к изменению энергии взаимодействия атмосферы с дислокацией.

На основе сформулированной системы уравнений самосогласованного поля для дислокационного ансамбля исследован эффект экранирования упругого поля винтовых дислокаций. Получены выражения для эффективного потенциала взаимодействия дислокаций, радиуса экранирования и средней энергии упругого поля, обусловленной корреляционным взаимодействием дислокаций. В слабонеоднородном случае построено выражение для корреляционного дислокационного потока.

Развита модель, описывающая фазонные дефекты в кавзикристалле в виде дилатационных шнуров. С помощью представлений данной модели произведен расчет энергии краевой дислокации в квазикристалле с учетом взаимодействия такой дислокации с ее "собственными" фазонными дефектами и равновесными фазонными дефектами, присутствующими в квазикристалле. Показано, что связанный с "собственными" фазонными дефектами вклад в полную энергию краевой дислокации в квазикристалле является существенным.

Рассчитывается зависимость критического тока Jc(theta) межзеренной границы от угла разориентации theta контактирующих гранул. Предполагается, что параметр порядка подавляется в приграничных областях с повышенным механическим напряжением, индуцируемым случайно распределенными граничными дислокациями. В рамках теоретико-вероятностного подхода определяется функция распределения напряжений. В предположении о джозефсоновской природе слабой связи на границе найдено аналитическое выражение для угловой зависимости Jc(theta) (для границ наклона и кручения). Оценена величина остаточного критического тока границы в сильном магнитном поле.

Исследована трансформация низкотемпературного излучательного спектра монокристаллов селенида кадмия при пластической деформации сосредоточенной нагрузкой и при одноосном сжатии. Установлено однозначное соответствие между появлением полос фотолюминесценции в области 1.765 eV и движением дислокаций по призматической системе скольжения, с одной стороны, и появлением полосы 1.792 eV в результате скольжения дислокаций по базисной системе --- с другой.

Проведено теоретическое рассмотрение процессов распространения объемных спиновых волн в неограниченном легкоосном магнетике, содержащем прямолинейную краевую дислокацию. Вычислены амплитуды рассеяния спиновых волн в борновском приближении. Показано, что при определенных значениях угла рассеяния амплитуда рассеяния спиновых волн обращается в нуль. Для этого случая найдена зависимость угла рассеяния от угла падения спиновых волн. Найдено транспортное сечение рассеяния спиновых волн.

Проведен теоретический анализ энергетических характеристик ортогональных рядов частичных дислокаций несоответствия с V-образными дефектами упаковки в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах. Показано, что их появления следует ожидать только в очень тонких эпитаксиальных пленках наноскопической толщины и при больших значениях несоответствия, превышающих некоторую предельную величину. В этих условиях частичные дислокации несоответствия, связанные с V-образными дефектами упаковки, оказываются типичными элементами дефектной структуры нанослойных гетеросистем. При меньших несоответствиях и больших толщинах пленки следует ожидать образования полных дислокаций несоответствия.

Изучен процесс вытеснения термодинамически неустойчивой примесной атмосферой из атомов водорода краевой дислокации. Получены соотношения для силы вытеснения в приближении разбавленных твердых растворов. Результаты теоретического анализа привлекаются для объяснения водородного охрупчивания негидридообразующих металлов.