Батто Р., Винников Л.Я., Гуревич Л.А., Дугаев М.В.. Одновременное наблюдение вихрей и дислокаций в тонких монокристаллах BSCCO (2212) // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru

Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л., Михина Е.Ю., Петржик Е.А.. Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация - парамагнитный центр // Письма в ЖЭТФ, том 63, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru

Мейлихов Е.З., Фарзетдинова P.M.. Критический ток неоднородного джозефсоновского перехода на межзеренной границе со случайным распределением дислокаций // Письма в ЖЭТФ, том 65, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru

Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А., Сальков Е.А.. Низкотемпературное движение дислокаций как возможный механизм образования одномерных электронных структур в полупроводниковых кристаллах // Письма в ЖЭТФ, том 66, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru

В слоистых антиферромагнетиках с ферромагнитным обменным взаимодействием спинов в атомных плоскостях и антиферромагнитным взаимодействием между плоскостями винтовая дислокация, перпендикулярная слоям, приводит к появлению несингулярных дисклинаций с ферромагнитным ядром.

В монокристалле антимонида индия экспериментально изучено динамическое поведение системы: винтовая дислокация-примесная атмосфера в результате электромагнитного воздействия на материал. Обнаружено локальное поглощение электромагнитной энергии в рассматриваемой системе, приводящее к развитию релаксационных процессов, в результате которых изменяется энергия системы и, как следствие, ее динамические свойства. Замечательным является то, что активность системы к электромагнитному воздействию обусловлена наличием примесных атмосфер на неактивных к взаимодействию винтовых дислокациях.

Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния, связанное с генерацией и накоплением дислокаций при импульсно-периодическом воздействии излучения YAG : Nd лазера. Получены зависимости критического числа лазерных импульсов, приводящих к разрушению поверхности, от плотности мощности и периода следования. Приводится интерпретация полученных результатов с позиций механизмов лазерной генерации и накопления дислокаций в поверхностном слое полупроводников.

Рассчитывается влияние подвижных примесей на динамику дислокаций в условиях статического и переменного нагружения кристаллов. Показано, что эффект динамического старения дислокаций может приводить к существованию особого режима, при котором движение дислокаций отсутствует в случае статической нагрузки и возможно лишь для нарастающего напряжения. Подвижность дислокаций в этом режиме является атермической. Изучены условия существования особого режима. С его помощью объясняются экспериментальные данные по зависимости пробегов дислокаций в кремнии под действием серий импульсов нагрузки от крутизны фронта нарастания напряжения.

Исследовано влияние высокого гидростатического давления на вид закона дисперсии дислокационных колебаний и величину силы торможения взаимодействующих краевых дислокаций точечными дефектами. Показано, что это влияние существенно различается для разных интервалов скоростей. PACS: 61.72.-y, 61.72.Lk

Теоретически исследованы колебательные коллективные возбуждения в системе компенсированных дислокаций, возникающие благодаря дальнодействующим упругим полям, связанным с неоднородной дислокационной поляризацией. Получены аналитические выражения для дисперсионных соотношений. Показано, что в случае винтовых дислокаций имеются две, а в случае краевых --- три ветви коллективных возбуждений. В каждом случае для одной из ветвей характерно наличие пороговой частоты, зависящей от плотности дислокаций. PACS: 61.72.Bb