Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.

Рассматривается рассеяние электронов проводимости с переориентацией спина на дислокациях в металлах с сильной спин-орбитальной связью. Используется модельный потенциал спин-орбитального взаимодействия, описывающий спиновое рассеяние электронов проводимости. Деформация кристаллической решетки металла приводит к изменению структурного фактора. Для расчета ядра прямолинейной краевой дислокации применяется метод молекулярной динамики. Проведено сравнение с экспериментальными результатами по наблюдению парамагнитного резонанса на электронах проводимости в меди.

Изучен вопрос взаимодействия точечных дефектов с краевой дислокацией в градиентной теории упругости. Получены соотношения для изменения энергии системы при смещении точечного дефекта относительно дислокационной линии. Результаты теоретического анализа привлекаются для описания закрепления краевых дислокаций атомами примеси.

На модельных примерах показано, что учет взаимодействия скоплений зернограничных дислокаций, сформированных в окрестности тройных стыков границ зерен, в несколько раз повышает мощность этих скоплений.

В приближении сильной связи рассчитана электронная структура релаксированного нанокристалла хлорида калия с краевой дислокацией с самосогласованием по эффективным зарядам и дипольным моментам ионов. Вычислены полные и парциальные локальные плотности состояний. Исследовано влияние релаксации и поляризации на одноэлектронный энергетический спектр.

Исследовано влияние распределения дислокаций в границах заторможенного двойника на зарождение микротрещин в его вершине. Двойник моделировался двойным ступенчатым скоплением двойникующих дислокаций, расположенных в соседних плоскостях скольжения. Уравнения равновесия дислокаций решались численным методом. Рассмативались скопления с различным суммарным числом дислокаций, а также различным соотношением чисел дислокаций в верхней и нижней границах двойников. Анализировалось образование микротрещин в результате слияния головных дислокаций по силовому и термоактивированному механизмам. Рассчитаны равновесные конфигурации одиночной двойниковой границы и двойника. Установлено, что условие образования микротрещин в вершине двойника существенно зависит от соотношения числа дислокаций в его границах. В пределе оно совпадает с условием зарождения трещины в вершине изолированной двойниковой границы с таким же суммарным числом дислокаций. Показано, что термоактивированному зарождению микротрещины соответствуют меньшие значения критических напряжений.

Методом четырехточечного изгиба изучены особенности генерации и движения дислокаций в монокристаллических пластинах кремния после различных термообработок. Показано, что отжиг пластин при 450oC приводит к существенному упрочнению пластин по сравнению с ростовым состоянием. Образующиеся в объеме пластин в процессе многоступенчатых термообработок кислородсодержащие перципитаты в преципитатно-дислокационные скопления являются эффективными центрами гетерогенного зарождения дислокаций под действием термических или механических напряжений. Обнаружено существенное разупорядочение пластин, подвергнутых многоступенчатым термообработкам в режиме формирования в их объеме внутреннего геттера. Установлена существенная роль температурно-временных режимов низкотемпературной стадии многоступенчатой термообработки в формировании дефектного состояния в матрице кристаллической решетки кремния и прочностных характеристик пластин.

Проведено теоретическое исследование звукового излучения при движении краевой дислокации в изотропном кристалле. Показано, что спектр акустической эмиссии при срыве и остановке дислокации совпадает с аналогичным спектром при аннигиляции двух дислокаций. Периодичность срывов и остановок в движении линейного дефекта ведет к появлению в спектре дополнительных экстремумов, причем частоты максимумов спектра оказываются кратными характерной частоте перескоков дислокаций из одного минимума потенциального рельефа в другой. Рассмотрены случаи больших и малых расстояний от системы дислокаций до точки регистрации звука. Для последнего случая приведена экспериментальная иллюстрация на примере электростимулированного движения краевых дислокаций в кремнии.

Вычисляется средняя по ансамблю эффективная скорость движения дислокаций, подверженных спонтанным переходам между подвижными и малоподвижными состояниями их ядер. Обнаружена существенная модификация зависимости усредненной кинетики дислокаций от напряжения и температуры по сравнению с обычным скольжением. Описание макроскопической пластической деформации с помощью предложенной модели демонстрирует наличие аномального пика деформирующего напряжения в области повышенных температур. Предлагается процедура термоактивационного анализа экспериментальных данных на участке аномального роста деформирующего напряжения с повышением температуры. Предсказываемая теорией зависимость положения пика на температурной шкале от скорости деформации сравнивается с экспериментальными данными для beta-CuZn.

Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb p-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей (1018 cm-3) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений. Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).