Исследуется поляризационная зависимость спонтанного излучения горячих электронов, связанная с междолинным перераспределением их в многодолинных полупроводниках. Показано, что излучение поляризовано в основном перпендикулярно электрическому полю, но может изменять направление поляризации и ее глубину в зависимости от степени перераспределения электронов, их концентрации и величины греющего электрического поля.

Вычислен коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях поперечного убегания. Учитывается зависимость вероятности захвата как от зоммерфельдовского множителя, так и ее экспоненциальная зависимость от энергии протуннелировавшего электрона. Показано, что последняя зависимость играет важную роль вблизи порога поперечного убегания горячих электронов, тогда как далеко от порога вероятность захвата по модели Бонч-Бруевича можно считать хорошей аппроксимацией.

Предложена обобщенная модель возникновения видимой и инфракрасной электролюминесценции пористого кремния в контакте с окисляющим электролитом. Согласно модели, видимая электролюминесценция возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в электрически изолированные квантово-размерные микрокристаллиты кремния, в то время как инфракрасная электролюминесценция является следствием монополярной инжекции дырок из электролита в макрокристаллы. Предложен механизм инжекции электронов из электролита. Сделан вывод о том, что характер электролюминесценции не должен зависеть от величины и даже типа проводимости кремниевой подложки.

Явно вычислен коэффициент захвата горячих электронов, отталкиваемых кулоновским центром, в условиях, когда функция распределения электронов имеет "иглообразный" вид, а эффективное сечение захвата наряду с зоммерфельдовским множителем экспотенциально зависит от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Получены критерии справедливости эффективного сечения Бонч-Бруевича.

Получено аппроксимационное выражение для времени релаксации импульса при квазиупругом рассеянии горячих электронов на акустических фононах в зависимости от энергии электронов и температуры решетки. В приближении электронной температуры вычислены подвижность и зависимость электрического поля примесного пробоя от степени компенсации. Результаты расчета хорошо согласуются с экспериментом наn-Ge.

Исследована фотолюминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра пористого GaAs, полученного с помощью электролитического или химического травления GaAs. Полоса инфракрасной люминесценции пористого GaAs сдвинута относительно максимума кристаллического GaAs в длинноволновую область спектра и обладает большей шириной. Все образцы характеризуются широкой полосой излучения в видимой области спектра, интенсивность и форма которой зависят от условий приготовления слоев. В полосе можно выделить 2 максимума--- около 420 и 560 нм. Дано объяснение как видимого свечения, так и модификации инфракрасной полосы пористого GaAs. Из сравнения видимой лиминесценции пористого GaAs с излучением гидратированных оксидов мышьяка и галлия сделан вывод о том, что в видимой области люминесценция пористого GaAs, в особенности полученного химическим травлением, в значительной мере определяется присутствием оксидов. Высказаны соображения о путях получения квантово-размерных образований на поверхности GaAs.

Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях в конфигурациях Фогта и Фарадея. Проведено сравнение экспериментальных данных с расчетами коэффициента усиления.

Предложен и детально проанализирован механизм переноса носителей зарядов из электролита в пористый кремний, объясняющий его эффективную анодную электролюминесценцию. Показано, что при протекании тока через межфазную границу в электролите накапливаются электроактивные частицы--- атомарные водород и кислород, являющиеся по отношению к пористому кремнию эффективными донорами и акцепторами электронов. Электролюминесценция в видимой области спектра возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в высокоомные квантово-размерные кристаллиты пористого кремния. Показано, что этот механизм в основных своих чертах является общим как для анодной, так и для катодной электролюминесценции, чем объясняется известное сходство этих двух процессов. Раскрыты детальные физико-химические процессы, лежащие в основе анодной люминесценции.

Экспериментально обнаружено и исследовано изменение коэффициента поглощения и показателя преломления в продольном электрическом поле в системе пар туннельно-связанных квантовых ям GaAs / AlGaAs в спектральном диапазоне, соответствующем межподзонным переходам электронов. Наблюдаемые явления объясняются разогревом электронов в электрическом поле и их переносом в реальном пространстве. Приводятся равновесные спектры поглощения для температуры решетки80 и295 K.

Исследовано оптическое выстраивание горячих электронов и его разрушение в магнитном поле в условиях, когда существенно рассеяние электронов на нейтральных акцепторах. Это позволило определить вероятность рассеяния горячих электронов из начального фотовозбужденного состояния, а также времена, характеризующие их энергетическую и импульсную релаксацию при рассеянии на нейтральных акцепторах. Экспериментальные результаты сравниваются с расчетными.