Явно вычислен коэффициент захвата на отталкивающих кулоновских центрах в приближении квазиупругого рассеяния в скрещенных сильном электрическом и магнитном полях. Учтено, что вероятность захвата наряду с зоммерфельдовским множителем должна экспоненциально зависеть от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Определено критическое электрическое поле в зависимости от магнитного поля и механизмов рассеяния, выше которого необходим учет указанной экспоненты. Для полей ниже критического справедлива аппроксимация Бонч-Бруевича.

Исследованы фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства структур кремний--<пористый кремний> с химически осажденным металлическим контактом. Большая удельная площадь контакта и избирательное осаждение металла только на неквантово-размерные элементы структур обеспечивают лучшие фотоэлектрические характеристики фотодиодов, по сравнению со структурами с напыленным контактом, особенно в коротковолновой области спектра. Спектры электролюминесценции объясняются свойствами барьера металл--кремний при прямом смещении и двойной инжекцией носителей в квантово-размерные нанокристаллиты--- при обратном.

Исследована динамика перестройки пространственного распределения фотогенерированной электронно-дырочной плазмы в образцах n-Ge в процессе разогрева носителей электрическим полем при T=77 K. Спомощью многозондовой системы и измерения инфракрасного излучения из образца в диапазоне длин волн lambda=1.65-10 мкм идентифицированы процессы контактной эксклюзии, обращения направления биполярного дрейфа плазмы, образования высокополевых термодиффузионных автосолитонов, а также разогрева решетки в области автосолитона.

В образцах структур дырочного типа GaAs/Al0.3Ga0.7As на переднем фронте импульса тока в сильном электрическом поле обнаружен острый пик. Анализ его формы и величины в зависимости от величины электрического поля, а также перераспределение поля вдоль образца позволяют сделать вывод о существовании в этих условиях доменной неустойчивости. При этом показано, что разогрев дырок в умеренных электрических полях может существенно превышать энергию оптического фонона.

Предлагается простой аналитический метод решения кинетического уравнения для носителей заряда в присутствии резонансных состояний в условиях стримминга. На примере изотропной модели резонансного рассеяния Брейта--Вигнера проанализировано анизотропное распределение носителей заряда по энергии, возникающее под влиянием внешнего электрического поля для двумерных и трехмерных носителей, а также заселенность резонансного состояния. Обсуждается вопрос об условиях возникновения внутрицентровой инверсной заселенности.

Исследовались слои пористого кремния с внедренными углеродсодержащими веществами (фуллерены, ультрадисперсный алмаз, углеводы). Обнаружено, что высокотемпературный отжиг таких слоев в атмосфере водорода приводит к сильной трансформации спектров фотолюминесценции. Предполагается, что это является результатом образования кристаллитов карбида кремния кубической модификации и квантово-размерного эффекта в них.

Предложен новый способ получения пористого кремния, использующий вкачестве источника тока разность потенциалов, которая возникает между погруженными враствор электролита пластиной кремния иплатиновым контрэлектродом. Добавка перекиси водорода вэлектролит на основе плавиковой кислоты иэтанола позволяет управлять плотностью тока процесса иизготавливать фотолюминесцентные слои без применения внешнего источника тока.

Исследовалось взаимодействие матрицы кремниевых нанокристаллитов (слой пористого кремния) с внедренными молекулами фуллерена C60. Изучалась деградация фуллеренсодержащих слоев под действием сильно поглощаемого лазерного света. Показано, что слои демонстрируют максимальную стабильность после высокотемпературного отжига в атмосфере водорода. Вэтом случае спектры фотолюминесценции практически не меняются при хранении на воздухе и под интенсивным лазерным облучением. Обсуждаются возможные механизмы исследованных явлений.

Методами поляризованной горячей фотолюминесценции исследованы оcобенности баллистического транспорта горячих фотовозбужденных электронов из сверхрешетки в уширенную квантовую яму. Установлено, что подавляющая часть фотовозбужденных электронов успевает термализоваться до захвата в уширенную квантовую яму. Однако малая часть фотовозбужденных электронов достигает уширенной квантовой ямы баллистически, сохраняя анизотропию распределения по импульсам или спиновую ориентацию, возникшую в результате поглощения линейно или циркулярно поляризованного света в сверхрешетке.

Исследован длинноволновый край спектра излучения фотовозбужденной горячей электронно-дырочной плазмы, возбуждаемой импульсами неодимового лазера в арсениде индия. Экспериментально показано, что практически экспоненциальная форма длинноволнового края спектра не меняется в исследованном интервале мощностей возбуждения до 1-2 МВт / см2. Сохранение неизменным показателя экспоненты показывает, что заполнение состояний LO-фононов при росте мощности возбуждения меняется несущественно, т. е. ансамбль LO-фононов еще не \glqq разогревается\grqq. Определена \glqq температура\grqq фононов и показано, что она повторяет температуру кристаллической решетки. Отсутствие разогрева фононов объясняется сильным e-h взаимодействием и экранированием LO-рассеяния энергии электронов.