Определено влияние планарного магнитного поля на зависимость скорости доменных стенок (ДС) от действующего магнитного поля в висмутсодержащих монокристаллических пленках ферритов-гранатов состава (Bi,Y,Pr)3(Fe,Ga)5O12 с ориентацией (210). Планарное магнитное поле прикладывалось вдоль кристаллографических осей <120> и <001>. Измерялась скорость ДС, движущихся перпендикулярно и параллельно направлению планарного магнитного поля.

В монокристаллических пленках ферритa-граната (Bi,Yb)3(Fe,Ga)5O12, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на подложках Cd3Ga5O12 с ориентацией (111), изучено влияние температуры на зависимость скорости доменных стенок V от действующего магнитного поля H вблизи точки компенсации момента импульса. Показано, что в этих пленках не реализуется прецессионный механизм движения доменных стенок, но возникает внутреннее эффективное магнитное поле, снижающее действующее магнитное поле.

Показано, каким образом можно объяснить наблюдающиеся в эксперименте формы динамических доменов в монокристаллических пленках феррит-гранатов с ориентацией (110) и (210), исходя из магнитной анизотропии в плоскости этих пленок.

Исследованы квантовые осцилляции холловского сопротивления rhoij(B) в бикристаллах висмута в магнитных полях до 35 T. Установлено, что малоугловая внутренняя граница кручения обладает n-типом проводимости и состоит из центральной части и двух смежных слоев, которые характеризуются специфическими особенностями поверхности Ферми электронов.

Теоретически и экспериментально исследованы особенности энергетического спектра разъединенного гетероперехода II типа во внешнем магнитном поле. Показано, что из-за гибридизации состояний валентной зоны одного полупроводника и зоны проводимости другого на гетерогранице происходят антипересечения уровней, которые приводят в ненулевом магнитном поле к возникновению квазищелей в плотности состояний. Продемонстрировано хорошее согласие экспериментальных результатов магнетотранспортных исследований для образцов GaInAsSb / p-InAs с различным уровнем легирования четверного твердого раствора с результатами модельных расчетов и установлены особенности энергетического спектра разъединенных гетеропереходов II типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программ президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq и Министерства промышленности, науки и технологии, программ ОФН, INTAS, ведущей научной школы НШ-2200.2003.2, а также Российского фонда фундаментальных исследований.

Исследована надатомная структурая монокристаллов синтетического кварца с плотностями дислокаций rho=54 и 570 cm-2 в исходном состоянии и после облучения быстрыми нейтронами энергией En>0.1 MeV в реакторе ВВРМ ПИЯФ РАН в диапазоне флюенсов F=0.2·1017-5.0·1018 n/cm2. Если слабое облучение F=0.2·1017 n/cm2 практически не вызывает структурных изменений, то при F=7.7·1017-5.0·1018 n/cm2 происходит заметная генерация дефектов с радиусами инерции rg~1-2 nm, RG~ 40-50 nm, а далее по мере увеличения флюенса растут число и объемная доля точечных, протяженных (каналы радиусом ~2 nm) и глобулярных дефектов --- зародышей аморфной фазы. PACS: 61.12.Ex, 61.80.Hg, 61.82.Ms

Исследовалась перестройка радиационных дефектов в p+-n-n+-структурах на основе высокоомного n-Si при циклическом облучении и отжиге. Проанализирована кинетика роста концентрации дефектов Ci- Oi в зависимости от технологии изготовления структур. При повторном облучении обнаружена перестройка при комнатной температуре дефектов, образовавшихся в результате отжига первичных радиационных дефектов. Выявлено возникновение "скрытых" источников формирования глубоких центров. Установлено, что наличие более высокой концентрации кислорода, возникшей в образцах в результате длительного процесса оксиления кремния, вызывает более активное комплексообразование углеродсодержащих дефектов по сравнению с образцами с пониженным содержанием кислорода.

Представлены результаты исследования оптического поглощения в пленках пористого кремния в диапазоне 300/ 1500 нм с помощью фотоакустической спектроскопии. Обнаружено, что обусловленный пористым слоем край фундаментального поглощения для исследованных образцов находится в диапазоне от 350 до 500 нм. Из зависимости фотоакустического сигнала от частоты модуляции света определено, что теплопроводность пористого кремния составляет 0.25· 10-3 Вт/см·град.

Исследовано туннелирование электронов в гетероструктуре с одиночным легированным барьером. Анализ экспериментальных данных показал, что все особенности в туннельной проводимости связаны с туннелированием электронов между двумерными электронными слоями, которые возникают по разные стороны барьера вследствие ионизации примесей в барьере. При этом транспорт электронов между двумерными электронными слоями и трехмерными контактными областями не вносит существенных искажений в измеряемые туннельные характеристики. В таких структурах отсутствует ток вдоль двумерного электронного газа, который обычно затрудняет исследования туннелирования между двумерными электронными системами в магнитных полях.

В спектрах фотолюминесценции короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs, легированных кремнием в барьерах или в ямах и барьерах, наряду с экситонной полосой обнаружена низкочастотная полоса, которую мы интерпретируем как донорно-акцепторную рекомбинацию на основании зависимости ее частоты от интенсивности возбуждающего света при непрерывном возбуждении и от времени задержки при импульсном возбуждении. Исследование проводилось в основном на структурах типаII. Из энергии максимума донорно-акцепторной полосы при очень малой интенсивности возбуждения можно оценить, что EA+ED~ 120 мэВ. Оценка по температурной зависимости интенсивности дает EA~ 23 мэВ, ED~ 90 мэВ. Высказанна гипотеза, что глубокий донорный уровень является DX-центром в слояхAlAs.