Представлены результаты исследования комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции, отражения и поглощения света в слоях пористого кремния, полученных электрохимическим травлением монокристаллических пластин. На основании анализа экспериментальных данных делается вывод о множественном характере центров, ответственных за излучательную и безызлучательную рекомбинацию в этом материале. Экспериментальные данные указывают на однородное распределение тех центров, максимум оптического возбужения которых находится в сине-зеленой области спектра, в отличие от центров, область эффективного возбуждения которых соответствует красной спектральной области. Эффективность излучательной рекомбинации последних повышается в тонком приповерхностном слое пленки пористого кремния.

Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.

С использованием метода субмонослойной циклической эпитаксии впервые получен объемный слой твердого раствора BeCdSe толщиной 100 нм с концентрацией бериллия, близкой к46%, что соответствует составу, согласованному по параметру решетки с подложкой GaAs. Также впервые получена низкотемпературная лазерная генерация на длине волны 460 нм с пороговой плотностью мощности около 40 кВт/см3 в структуре с множественными квантовыми ямами ZnSe/BeCdSe. Величина параметра прогиба зон в твердых растворах BeCdSe оценена в4.5 эВ.

Исследованы деградационные характеристики светоизлучающих p-i-n-диодов BeZnSe/Zn(Be)CdSe. Показано, что использование вместо p-легированного BeZnSe : N эмиттера нелегированных короткопериодных сверхрешеток, обеспечивающих эффективный перенос дырок из p+-BeTe : N приконтактной области (инжектора дырок) в активную область, позволяет значительно увеличить время жизни светодиодов при экстремально больших плотностях постоянного тока (~ 4.5 кА/см2) при комнатной температуре.

На основе измеренных спектров отражения при помощи соотношений Крамерса--Кронига рассчитаны оптические функции монокристалла ZnAs2. Проведен анализ спектров поглощения вблизи запрещенной зоны с учетом вклада как основного состояния экситона, так и континуума. Определены параметры свободного экситона.

Представлены результаты исследования начальных стадий роста островковых алмазных пленок, полученных методом термического газофазного осаждения (hotfilamentCVD) на оптически полированном кристаллическом кремнии. Методом атомно-силовой микроскопии изучена эволюция островков, образовавшихся на начальных стадиях роста пленки, в процессе их отжига. Установлено, что на начальных стадиях роста изменение плотности островков происходит за счет коалесценции близко расположенных островков. Затем, при достижении островками критического размера, начинается оствальдовское созревание островков.

Вобласти температур 4.2-300 K выявлен значительный вклад в суммарную магнитную восприимчивость CdTe<Ge> ванфлековского парамагнетизма, обусловленный присутствием заряженных межузельных атомовTe и донорно-акцепторных пар типа VTeGei. Присутствие особенности на зависимостиchi(T) при 50 K вызвано изменением зарядового состояния межузельного Tei, вклад которого начинает конкурировать с диамагнитным вкладом, индуцированным движением вакансий по замкнутым траекториям в виде шестигранных колец. Вполях до0.15 Тл во всех образцах наблюдается магнитный гистерезис, обусловленный ориентацией магнитных кластеров во внешнем поле.

С помощью акустических методов исследована комплексная высокочастотная проводимость гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As, delta- и модулированно легированныхSi, в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Позависимостям поглощения и скорости поверхностных акустических волн от магнитного поля определены как активнаяsigma1, так и реактивнаяsigma2 части комплексной проводимости sigma(omega,H)=sigmai-isigma2. Показано, что в гетероструктурах с электронной концентрацией ns=(1.3-7)· 1011 см-2 и подвижностью mu=(1-2)· 105 см2/(В·с) ВЧ проводимость вблизи центров холловских плато является прыжковой. Установлено, что при факторах заполнения2 и4 проводимость слоя Al0.3Ga0.7As<Si> существенно шунтирует прыжковую ВЧ проводимость двумерного интерфейсного слоя. Разработан метод разделения вкладов в прыжковую проводимость sigma(omega,H) от интерфейсного слоя и слоя Al0.3Ga0.7As<Si>. Определена длина локализации электронов в интерфейсном слое на основе модели одноэлектронных прыжков на ближайший узел. Показано, что в гетероструктурах GaAs/Al0.3Ga0.7As вблизи центров холловских плато как sigma(omega,H), так иns зависят от скорости охлаждения образца. Врезультате образец \glqq помнит\grqq условия охлаждения. Величины sigma(omega,H) и ns чувствительны также к инфракрасному облучению и к статической деформации образца. Мысвязываем эти факты с присутствием в слое Al0.3Ga0.7As<Si> двухэлектронных дефектов--- так называемых DX--центров.

Представлены новые результаты исследования оптических свойств арсенида кадмия. Наиболее достоверные спектры отражения со сложной поляризованной структурой были получены благодаря использованию совершенных кристаллов и прецизионной спектральной техники. Спектры отражения полиморфных модификаций alpha''-Cd3As2 (пространственная группаD154h) и alpha'-Cd3As2 (пространственная группаD114h) измерены при комнатной температуре и температуре жидкого азота в поляризованном свете ( E normal c, E|| c) в интервале энергий падающего света 1-5 эВ. Впервые обнаружена анизотропия спектров отражения для alpha'-модификации. Проведено сравнение полученных данных с известными экспериментальными и теоретическими результатами.

Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимумаZ*. PACS:71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck