Легирование золотом пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), полученных лазерной абляцией, существенно подавляет безызлучательный канал рекомбинации носителей заряда и экситонов, приводит к возрастанию интенсивности, стабильности видимой фотолюминесценции, к усилению низкоэнергетической (1.5-1.6 эВ) полосы фотолюминесценции. Легирование снижает величину фотоэдс и захват электронов на ловушки в пленке, а также уменьшает плотность граничных электронных состояний и концентрацию глубоких ловушек для электронов на подложке монокристаллического кремния (c-Si). Наблюдаемое влияние легирования на фотолюминесцентные и электронные свойства пленок nc-Si и структур nc-Si/c-Si обусловлено процессами пассивации золотом оборванных связей кремния и доокисления кремния на поверхности нанокристаллов и формированием высокобарьерных слоевSiO2.
Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Венгер Е.Ф. Фотолюминесцентные и электронные свойства пленок нанокристаллического кремния, легированного золотом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1105

Проводимость собственного аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H) после gamma-облучения возрастает. Этот эффект обусловлен увеличением количества метастабильных состояний D+ в щели подвижности. Проводимость несобственного (нелегированного) облученного a-Si : H уменьшается. Вероятно, что gamma-облучение создает в этом материале комплексы, включающие водород. Обсуждается сравнение этих результатов с известными данными для a-Si : H, легированного B или P.
Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К. Метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые gamma -облучением // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 1001

Приводятся данные о фотопроводимости пленок наноструктурированного гидрированного кремния, полученных различными методами, в зависимости от положения уровня Ферми, плотности дефектов и типа Si--H-связей. Определено влияние имплантации ионов Si+ на фотопроводимость и другие параметры пленокa-Si : H.
Голикова О.А. Фотопроводимость пленок наноструктурированного гидрированного кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 730

Исследованы структурные характеристики и спектры комбинационного рассеяния света слоев пористого кремния. Показано, что эффект усиления интенсивности сигнала рамановского рассеяния от пористого кремния по сравнению с интенсивностью сигнала от подложки связан с присутствием в образцах пор микронных размеров. Предложена модель, позволяющая объяснить это усиление и форму сигнала, в том числе совпадение сигнала от пористого слоя по форме и положению с линией от кремниевой подложки.
Булах Б.М., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е., Литвин О.С., Торчинская Т.В., Хоменкова Л.Ю., Юхимчук В.А. Взаимосвязь морфологии пористого кремния сособенностями спектров комбинационного рассеяния света // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 587

Изучено влияние адсорбции полярных молекул сероводорода, ацетона на вольт-амперные характеристики и временные зависимости тока структур на основе окисленного пористого кремния типа <Pd-ПКО-p+-Si-Al>. Получены структуры двух видов: с барьером Шоттки и с токами, ограниченными пространственным зарядом. Обнаружено наличие положительного объемного заряда у палладиевого электрода, который определяет вольт-амперные характеристики в области V
Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Мысенко И.Б., Хасина Е.И. Влияние адсорбции наэлектрофизические свойства структур наоснове окисленного пористого кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 490

С использованием бесконтактного метода микроволновой фотопроводимости исследованы процессы релаксации фотовозбужденных носителей заряда в нанокристаллическом пористом оксиде титана. Показано, что с уменьшением размера нанокристаллов наблюдается уменьшение амплитуды и изменение времен релаксации микроволновой фотопроводимости, что объясняется локализацией носителей заряда вследствие эффекта диэлектрического ограничения (confinement). Захват дырок ловушками на поверхности нанокристаллов TiO2 приводит к увеличению амплитуды и удлинению времен релаксации микроволновой фотопроводимости.
Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Кытин В.Г., Гайворонский В.Я., Porteanu H., Dittrich Th., Koch F. Микроволновая фотопроводимость внанокристаллическом пористом оксиде титана приимпульсном лазерном возбуждении // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 338

Исследовано влияние термообработки в вакууме на структуру и свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), полученных методом циклического осаждения с использованием промежуточного отжига в водородной плазме. Пленки a-Si : H, осажденные в оптимальных режимах, характеризовались наличием неоднородно распределенной по толщине нанокристаллической фазы, объемная доля которой не превышала1%, и обладали оптической шириной запрещенной зоны Eg=1.85 эВ, энергией активации Ea=0.91 эВ и высокой фоточувствительностью (sigmaph/sigmad~107 при освещенности 100 мВт/см2 в видимой области спектра). Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показали, что термообработка в вакууме приводит в размытию первоначальной слоистой структуры пленок a-Si : H и незначительному росту нанокристаллических включений в матрице аморфной фазы. После термообработки при температуре выше 350oC наблюдаются резкое увеличение темновой проводимости и, как результат, уменьшение фоточувствительности пленок a-Si : H.
Афанасьев В.П., Гудовских А.С., Неведомский В.Н., Сазанов А.П., Ситникова А.А., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И. Влияние термообработки наструктуру исвойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 238

Изучена проблема стабильности свойств слоев пористого кремния. Представлен термодинамический анализ электрохимических процессов, протекающих при анодном растворенииSi. Предложено новое описание электродной реакции взаимодействия кремния с плавиковой кислотой. Показано, что водородная пассивация поверхности Si определяет равновесный потенциал растворения кремниевого электрода. Проведенные термодинамические расчеты указывают на возможность замещения химически и термически нестабильных поверхностных групп типа SiHx более стабильными кремний-кислородными соединениями непосредственно в процессе формирования пористого Si в электролитах с добавлением сильных галогеноводородных кислот. Полученные результаты позволили с позиций термодинамики объяснить стабилизирующее влияние добавки HCl в электролиты для формирования пористого Si на его химические и физические свойства.
Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния врастворах HF : HCl : C2H5OH // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 104

Методом сканирующей туннельной спектроскопии на воздухе исследованы пленки a-C : H и a-C : H(Cu) на полупроводниковой(Si) и металлической (Cr/Si) подложках, полученные магнетронным распылением мишени (соответственно графит или графит + медь) на постоянном токе. Определялась локальная плотность электронных состояний как нормированная дифференциальная туннельная проводимость с целью зондирования отдельных кластеров sp2-фазы. Для пленок a-C : H характерно наличие четкого края валентной зоны и разный вид (изменяющийся с координатой сканирования) распределения плотности электронных состояний в области зоны проводимости; наибольшее экспериментальное значение ширины запрещенной зоны составляет~ 3 эВ; наблюдается тенденция к устойчивому расположению уровня Ферми на энергии~ 1 эВ выше края валентной зоны. Пленки a-C : H(Cu) с точки зрения локальной плотности электронных состояний проявляют себя как однородные, что объясняется вероятным образованием в процессе роста однородного поверхностного слоя.
Звонарева Т.К., Иванов-Омский В.И., Розанов В.В., Шаронова Л.В. Сканирующая туннельная спектроскопия пленок a-C : H и a-C : H(Cu), полученных магнетронным распылением // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1460

Определены корреляции между характеристикой среднего порядка в структуре a-Si : H и плотностью дефектов, их зарядовым состоянием, оптической шириной запрещенной зоны, ее пространственными флуктуациями. Показано, что модифицирование структуры на уровне среднего порядка за счет образования нановключений может приводить к радикальному росту фотопроводимости и к упорядочению структуры аморфной матрицы.
Голикова О.А. Средний порядок иоптоэлектронные свойства тетраэдрически координированного гидрированного аморфного полупроводника // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1370