Приведены результаты изучения оптических и электрических свойств тонких пленок халькогенидов мышьяка As--Se и As--S, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов с различными органическими лигандами: трис-дипивалоилметанатом состава Eu(thd)3 и диэтилдитиокарбаматом состава Ln(ddtc)3 (Ln = Pr, Eu). Показано, что применение комплексных соединений редкоземельных элементов с давлением насыщенных паров, близким к давлению паров халькогенидов, позволяет получить термическим напылением в вакууме пленки, перспективные для создания плоских световодов. Обнаружено, что введение в селенид мышьяка комплексов Eu(thd)3, имеющих в своем составе кислород, приводит к снижению коэффициента поглощения в области края Урбаха, а также к значительному снижению энергии активации электропроводности, что не характерно для материалов этого класса. Полученные результаты объясняются влиянием кислорода на средний порядок структурной матрицы.
Козюхин С.А., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 1012

Обоснована возможность применения идей и методов теории самоорганизации при рассмотрении процессов роста неупорядоченных полупроводников. Описан основной метод анализа динамики сложных систем. Рассмотрены инварианты хаотической динамики применительно к процессам роста материалов. Определены новые принципы построения технологических систем.
Вихров С.П., Бодягин Н.В., Ларина Т.Г., Мурсалов С.М. Процессы роста неупорядоченных полупроводников спозиций теории самоорганизации // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 953

С помощью методов рентгеновской спектроскопии получены данные о локальной электронной и атомной структуре сплавов a-SixC1-x : H<Er>, приготовленных в тлеющем разряде (PECVD) при различных соотношениях силана и метана в газовой смеси (x=0.3-0.9). Показано, что сплавы имеют в своем составе атомы кремния и углерода с различной координацией. Кремний наблюдается в виде элементарного аморфного кремния и карбида кремния, соотношение этих фаз в пленках зависит от состава газовой смеси. Атомы углерода могут образовывать связи с кремнием в координации, близкой к таковой для кристаллического карбида кремния, с образованием также заметного количества связейC-H. Кроме того, углерод может формировать в пленке фазу элементарного углерода с различной координацией, свойственной графиту и алмазу.
Терехов В.А., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Кашкаров В.М., Курило О.В., Турищев С.Ю., Голоденко А.Б., Домашевская Э.П. Исследование локальной электронной иатомной структуры ваморфных сплавах a-SixC1-x методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 863

Исследовано поведение парамагнитных DB-дефектов и темновой проводимости(sigmad) влегированных бором пленках нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода nc-SiC : H, выращенных методомphoto-CVD. Показано, что увеличение уровня легирования приводит к фазовому переходу от кристаллической структуры к аморфной. Проводимость растет с легированием до sigmad=5.5·10-2 Ом-1·см-1, однако после фазового перехода понижается. Концентрация DB-дефектов с легированием монотонно убывает от1019 см-3 вкристаллической до9·1017 см-3 ваморфной структуре.
Шевалеевский О.И., Myong S.Y., Lim K.S., Miyajima S., Konagai M. Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 741

Исследованы температурные зависимости фотоэдс при возбуждении ее импульсами красного и белого света большой интенсивности и разрешенные по времени релаксации спектральные зависимости фотолюминесценции на структурах пористого кремния (ПК--p-Si), полученных анодным травлением p-Si и легированных затем золотом с концентрацией его ионов в водном растворе 10-4 и 10-3M. После нанесения на пористый кремний полупрозрачных золотых электродов исследованы также вольт-амперные характеристики и электролюминесценция структур ПК--p-Si и ПК<Au>-p-Si. Показано, что легирование золотом изменяет граничный потенциал p-Si с положительного на отрицательный, изменяет величину и знак фотоэдс в пленках пористого кремния, ликвидирует явления фотопамяти, связанные с захватом неравновесных электронов в приграничные ловушки и в ловушки пористого кремния. Вольт-амперные и фотолюминесцентные характеристики существенно изменялись вследствие формирования в пористом кремнии нанокристаллов золота. На структурах Au--ПК<Au, 10-3M>--p-Si--Al обнаружена электролюминесценция, обусловленная свечением этих нанокристалов.
Примаченко В.Е., Кононец Я.Ф., Булах Б.М., Венгер Е.Ф., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Кириллова С.И., Манойлов Э.Г., Цыркунов Ю.А. Электронные и излучательные свойства пористого кремния, легированного золотом // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 595

Проведено исследование электрофизических свойств нелегированных и намеренно легированных фосфором пленок alpha-Si : H, содержащих нанокристаллы кремния. Нанокристаллы кремния формировались при твердофазном фазовом переходе в результате наносекундного воздействия излучения эксимерного XeCl-лазера на аморфную пленку. Образование нанокристаллов в нелегированных пленках сопровождалось увеличением проводимости на 2--3 порядка с одновременным уменьшением эффективной энергии активации проводимости с 0.7 до0.14 эВ. Размер нанокристаллов составлял величину от2 до10 нм в зависимости от режимов лазерных обработок, что было определено исходя из данных комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей электронной микроскопии. На основе расчета энергий локализованных состояний электронов и дырок в нанокристаллах получена температурная зависимость уровня Ферми. Показано, что при понижении температуры уровень Ферми стремится к энергии состояний в нанокристаллах кремния в широком интервале концентраций легирующей примеси. Привязка уровня Ферми к состояниям в нанокристаллах является следствием их многозарядности. Обнаружено, что при лазерных обработках легированных аморфных пленок кремния происходит эффективная трансформация фосфора в электрически активное состояние, что является актуальным для создания мелких p-n-переходов и контактов к аморфным пленкам кремния.
Аржанникова С.А., Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Вишняков А.В., Володин В.А. Особенности электропроводности легированных пленок alpha -Si : H снанокристаллами кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 472

Hot wire CVD thin silicon films were studied by means of dark conductivity, FTIR, hydrogen evolution and SEM surface characterization. Three types of metastability were observed: a) long term irreversible degradation due to oxidization processes on the film surface, b) reversible degradation determined by uncontrolled water/oxygen adsorption, c) fast field switching effect in the film bulk. We propose this effect is associated with morphology changes during film growth and electrical field induced by adsorbed atmospheric components on the film surface. It has been found that metastable processes close to the film surface are stronger than in the bulk.
Persheyev S.K., Smirnov V., O'Neill K.A., Reynolds S., Rose M.J. Atmospheric adsorption effects in hot wire chemical vapour deposition microcrystalline silicon films with different electrode configurations // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 361

Исследованы объемное удельное сопротивление и диэлектрическая проницаемость ряда макронеупорядоченных систем диэлектрик--проводник и диэлектрик--полупроводник в зависимости от концентрации проводящей фазы. Предложена качественная модель, объясняющая концентрационные зависимости на основании теории перколяции с привлечением концепции фрактала.
Соцков В.А. Электрофизические характеристики макросистем диэлектрик--проводник, диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 269

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезирован массив квантовых молекул InAs в матрице GaAs, состоящий из пар вертикально совмещенных квантовых точек InAs. Исследование полученных структур методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что вертикально совмещенные квантовые точки имеют одинаковый размер. Фотолюминесцентные измерения продемонстрировали наличие в спектрах исследуемых образцов полос, соответствующих электронным состояниям квантовых молекул.
Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Поляков Н.К., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Zakharov N.D., Werner P., Andreev A. Исследование способов получения исвойств квантовых молекул InAs вматрице GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 136

Приводятся результаты исследования изображений аморфного гидрогенизированного углерода, легированного кобальтом. Изображения получены методом просвечивающей электронной микроскопии, в том числе микроскопии высокого разрешения. Слои аморфного углерода выращивались методом совместного магнетронного распыления графитовой и кобальтовой мишеней в атмосфере аргон-водородной плазмы. Показано, что образуются кристаллические кластеры нанометровых размеров. Исследовано влияние одночасового термического отжига при температуре 800oC в атмосфере аргона на функцию распределения нанокластеров по размерам. Показано, что для исходного образца функция распределения представляет собой гауссиан с максимумом в области ~7 нм, а после отжига претерпевает значительное размытие, сопровождающееся смещением максимума в область больших размеров, и отклоняется от гауссовой кривой. Награницах кластеров после отжига в режиме высокого разрешения видна характерная структура, которая приписывается углеродным наноразмерным капсулам, обволакивающим кластеры.
Иванов-Омский В.И., Колобов А.В., Лодыгин А.Б., Ястребов С.Г. Распределение поразмерам нанокластеров кобальта вматрице аморфного углерода // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1463