Исследованы наноструктурированные пленки Si, отличающиеся содержанием водорода и формами Si--H-связей, а также некоторыми характеристиками включений Si в аморфной матрице (объемная фракция, размер, структура). Определены свойства, общие для всех исследованных пленок, по сравнению с a-Si : H--- возрастание плотности дефектов и немонотонный рост фотопроводимости на "красном крыле" спектральной зависимости. В то же время имеются пленки как с повышенной, так и с пониженной фотопроводимостью по сравнению с a-Si : H.
Голикова О.А., Казанин М.М. Особенности фотоэлектрических свойств наноструктурированных пленок гидрированного кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1240

Проведены исследования влияния вакуумных отжигов, имплантации ионовSi+ и облучения светом на фотоэлектрические параметры пленок a-Si : H. Показана решающая роль исходных характеристик пленок для эффекта кристаллизации, а также для проявления эффекта Стаблера--Вронского.
Рахимов Н., Бабаходжаев У., Мавлянов Х., Икрамов Р. Влияние внешних воздействий на фотоэлектрические параметры аморфного гидрированного кремния взависимости отисходных характеристик пленок // ФТП, 2001, том 35, выпуск 8, Стр. 985

Показано, что зависимость емкости структуры Al/por-Si/Si от относительной влажности представляет собой изотерму физической адсорбции. Анализ этой зависимости позволяет определить общую пористость, эффективную долю оксидной фазы вpor-Si и соотношение объемов микропор, моно- и полимолекулярная адсорбция воды в которых приводит к их объемному заполнению, а также мезопор, заполняющихся по механизму капиллярной конденсации. Для последних получено распределение пор по размерам.
Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Бормонтов Е.Н Адсорбционно-емкостная порометрия // ФТП, 2001, том 35, выпуск 7, Стр. 850

Методом разложения SiH4 в магнетронной камере (dc-MASD) были приготовлены пленки a-Si : H с включениями кластеров (SiH2)n или нанокристалловSi. Пленки имели величины микроструктурного параметра R=0.7-1.0. Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии установлено влияние этих включений на возрастание степени упорядочения структурной сеткиSi. Показано, что независимо от природы включений влияние их максимально для пленок собственного материала, осажденных при высоких температурах (до400oC).
Голикова О.А., Богданова Е.В., Казанин М.М., Кузнецов А.Н., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Остапенко О.В. Структурная сетка кремния впленках a-Si : H, содержащих упорядоченные включения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 600

Исследовались электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H, полученных методом циклического плазмохимического осаждения, и влияние на эти свойства термического отжига. Показано, что фоточувствительность неотожженных пленок велика, отношение фотопроводимости к темновой проводимости достигает величины K=3.4· 106. Сувеличением температуры отжига происходит уменьшение фоточувствительности за счет значительного уменьшения фотопроводимости и увеличения темновой проводимости. Проводимость пленок, отожженных при температуре выше 500oC, определяется суммой зонной проводимости и прыжковой проводимости по состояниям вблизи уровня Ферми.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Афанасьев В.П., Гудовских А.С. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H ивлияние нанихтермического отжига // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 367

Методы эллипсометрии и спектрофотометрии в видимом и ближнем ультрафиолетовом диапазонах (1.5-5.6 эВ) применены для изучения термической стабильности аморфного углерода (a-C иa-C : H). Сиспользованием анализа Крамерса--Кронига была получена и проанализирована диэлектрическая функция аморфного углерода. Показано, что применение существующих подходов к анализу полученных данных для образцов, подвергнутых термическому воздействию, не является достаточным. Проведен анализ формы края фундаментального поглощения с учетом коллективных явлений в наноразмерных фрагментах графитоподобной составляющей структуры аморфного углерода. Показано, что существует два типа графитоподобных кластеров, вносящих вклад в спектральную зависимость края собственного поглощения и претерпевающих модификацию при термическом воздействии.
Иванов-Омский В.И., Толмачев А.В., Ястребов С.Г. Оптические свойства пленок аморфного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 227

В a-C : H, модифицированном медью, исследовалась активация в инфракрасном поглощении запрещенных в отсутствие меди квазирамановских колебательных мод графеновых плоскостей. Проведено сравнение параметров квазирамановских полос G и D в спектрах оптического поглощения в области колебательных частот углерод-углеродных связей и истинно рамановских полос в спектрах рамановского рассеяния чистого и модифицированного медью a-C : H. Утверждается, что достаточно хорошее совпадение частот истинно рамановских полос в a-C : H и квазирамановских полос в a-C : H (Cu) свидетельствует о том, что взаимодействие атомов меди c углеродной матрицей практически не нарушает целостности графеновых колец и может рассматриваться как интеркаляция. Для идентификации наблюдаемых квазирамановских и сопутствующих им полос рассмотрены корреляционные соотношения между их параметрами. Из соотношения интегральных интенсивностей полос D и G сделана оценка размеров графитоподобных кластеров и их зависимости от содержания меди в пленке.
Иванов-Омский В.И., Звонарева Т.К., Фролова Г.С. Колебательные моды углерода вгидрогенизированном аморфном углероде, модифицированном медью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1450

Аморфные пленки твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx (x=1.3, 5.1, 8.7, 14.2 и23.7 ат%) толщиной 1 мкм были получены в атмосфере с различными парциальными давлениями водорода методом плазмохимического осаждения. Скорость осаждения составляла 0.3-0.5 Angstrem/c. Измерения электропроводности пленок проведены в температурной области 100-420 K. Измерена темновая проводимость пленки, рассчитаны энергия активации прыжка при температуре 100 K, длина прыжка, подвижность электронов на уровнях varepsilonF и varepsilonC, а также энергия активации проводимости.
Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0.90Si0.10 : Hx // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1383

Предложено теоретическое описание процесса фотохимического превращения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников, в частности AsSe. Проведен анализ результатов экспериментов по исследованию фотопотемнения тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников под действием импульсного излучения ArF-эксимерного лазера с длиной волны излучения 193 нм. Установлено, что для материала AsSe процесс фотохимического превращения характеризуется оптической чувствительностью порядка 3 см3/кДж и пороговой интенсивностью света ~ 17 кДж/см2·с.
Калитеевская Н.А., Сейсян Р.П. Моделирование фотохимических превращений ифотопотемнения пленок фоторезистов поддействием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 857

In this work we investigated the stability of a-Si : H films under illumination and following recovery in dark at different temperatures. The a-Si : H films were fabricated with 55 kHz PECVD and with standard rf 13.56 MHz PECVD. We measured the steady-state photocurrent and the dark current after switchhing off the light source as a function of time. We observed photocurrent degradation and following recovery of the dark current. The kinetics of the photocurrent degradation as well as the dark current recovery demonstrated stretched-exponential behavior. The results of these straightforward measurements in combination with computer modeling were used to determine the effect of light-induced degradation and thermal recovery on the density of states distribution in the band gap ofa-Si : H. We have found that the photocurrent degradation and the corresponding increase in the total defect concentration have different kinetics. The different kinetics were determined also for the dark current recovery and the corresponding decrease in the total defect concentration. The results point out that slow and fast types of defects in a-Si : H films control the kinetics of light-induced changes of the defect distribution in the band gap. A model is proposed that relates the origin of the fast and slow metastable defects with the distribution of Si-Si bond lengths.
Meytin M.N., Zeman M., Budaguan B.G., Metselaar J.W. Kinetics of light-induced degradation in a-Si : H films investigated by computer modeling // ФТП, 2000, том 34, выпуск 6, Стр. 742