Методами спектральной эллипсометрии (винтервале энергий фотонов1--5 эВ) измерены поляризационные углы для пленок аморфного гидрогенизированного углерода, полученного магнетронным распылением графита ватмосфере аргоно-водородной плазмы. Восстановлена дисперсия мнимой идействительной частей диэлектрической функции. Показано, что висследуемой области частот полученные данные совместимы сформализмом Крамерса--Кронига. Использование правила сумм позволило сделать вывод онеоднородном распределении плотности состояний поэнергиям ивыявить характерные пороговые энергии в спектре эффективной плотности состояний--- 2 и3.8 эВ. Показана возможность описания энергетического спектра электронов спомощью гауссианов. Распределение состояний поэнергиям связывается свкладом sigma- иpi-состояний.
Ястребов С.Г., Гаррига М., Алонсо М.И., Иванов-Омский В.И. Спектральная эллипсометрия аморфного гидрогенизированного углерода, выращенного при магнетронном распылении графита // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1241

Исследовано изменение темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H(Er), врезультате их предварительного освещения при комнатной температуре. Изучено влияние компенсирующей примеси бора на фотоиндуцированное изменение проводимости пленок a-Si : H(Er). Установлено, что величина и знак изменения проводимости зависят от длительности освещения и положения уровня Ферми вщели подвижности. Рассмотрены возможные механизмы, приводящие кфотоиндуцированному изменению проводимости пленок a-Si : H(Er).
Казанский А.Г., Мелл Х., Теруков E.И., Форш П.А. Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 793

Изучено влияние бомбардировки тяжелыми ионамиXe (энергия Ei=80 кэВ) на оптические свойства, низкотемпературную проводимость и наноструктуру алмазоподобных пленок углерода(DLC). Установлены ряд специфических особенностей поведения графитоподобных нанокластеров, которые не наблюдаются при бомбардировке пленок легкими ионами. Вобласти низких доз облучения (D1.2· 1015 см-2) эффективная оптическая щель, определенная из зависимости Тауца, становится отрицательной, что связано с большой плотностью электронных состояний дефектов внутри щели. Вэтой области изменяется температурная зависимость проводимости, хотя сам механизм остается прыжковым. Ширина зоны дефектных состояний, образующейся в результате облучения, по которой осуществляется перенос зарядов, составляет0.07 эВ, что близко к ранее полученному нами значению.
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Модификация наноструктуры алмазоподобных пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 748

Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия впористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния иванадия, исодержавшей 20%ванадия. Диффузионный профиль ванадия впористом карбиде кремния имел сложную структуру скоэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при500 K ина 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.
Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Кузнецов Н.И., Кузнецов А.Н., Мынбаев К.Д., Лебедев А.А. Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия впористый 4H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 612

Экспериментально и теоретически исследовано распространение ультразвуковых сигналов, возбуждаемых наносекундными лазерными импульсами впористом кремнии. Образцы представляли собой слои толщиной 5--40 мкм и пористостью 50--75%, сформированные на монокристаллической кремниевой подложке посредством ее электрохимического травления. Показано, что используемый лазерный ультразвуковой метод позволяет одновременно определять и толщину, и пористость слоя, при этом максимальные погрешности диагностики составляют порядка 1 мкм для толщины и5% для пористости.
Жаркий С.М., Карабутов А.А., Пеливанов И.М., Подымова Н.Б., Тимошенко В.Ю. Исследование слоев пористого кремния лазерным ультразвуковым методом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 485

Исследуется эволюция спектров фотолюминесценции свременным разрешением впленках нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением илегированных золотом. При наносекундных временах релаксации фотолюминесценции спектры--- широкие, лежат вдиапазоне энергий 1.4-3.2 эВ смаксимумом при 2.4-2.8 эВ. При максимальных временах вдесятки микросекунд спектры становятся более узкими смаксимумом при1.6 эВ. При промежуточных значениях времен наблюдаются две полосы: низкоэнергетическая (1.6 эВ) ивысокоэнергетическая, максимум последней смещается со временем от2.7 до2.1 эВ. Результаты объяснены сучетом квантово-размерного эффекта, эффекта диэлектрического усиления ипроявлением кинетически связанных электронно-дырочной иэкситонной подсистем. Ионы иатомы золота пассивируют оборванные связи кремния на поверхности нанокристаллов Si иявляются катализаторами их окисления. Рассматривается общность рекомбинационных процессов, ответственных за видимую фотолюминесценцию вокисленных слоях пористого кремния иисследуемых пленках, легированных золотом.
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Базылюк И.Р., Свечников С.В. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 353

Приведены сравнительные исследования влияния термического отжига (при 400oC) в вакууме и в атмосфере азота с примесью кислорода на оптические свойства и спектры комбинационного рассеяния углеродных пленок. Обнаружены их аномальные изменения при отжиге в атмосфере азота: коэффициент поглощения пленок в видимой области спектра уменьшается приблизительно на 2 порядка, а в спектрах комбинационного рассеяния исчезает характерная полоса от графеновых нанокластеров и появляются несколько новых--- узкие полосы на частотах 928, 968 и 2324 см-1 и широкая полоса в области 2200--2400 см-1. Установлено, что эти изменения носят обратимый характер. Полученные результаты свидетельствуют о формировании нового типа углерод-азотных нанокластеров при определенных условиях термоотжига углеродных пленок.
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Курбатова Н.В., Хайбуллин И.Б., Степанов А.Л. Синтез новых углерод-азотных нанокластеров притермическом отжиге ватмосфере азота алмазоподобных пленок углерода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 230

На основе рассмотрения электронных процессов, сопровождающих фотовозбуждение зона--зона, установлена связь между концентрацией наведенных спинов и концентрацией врожденных U--центров.
Гинзбург Л.П. Влияние заряженных дефектов наобнаружение электронного парамагнитного резонанса встеклообразных халькогенидных полупроводниках // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 83

На основе проведенных вшироком интервале напряженностей электрического поля (1-10)· 105 В·см-1 итемператур (77-350 K) исследований квантового выхода идрейфовой подвижности носителей заряда вфуллеренсодержащих тонких пленках сенсибилизированных красителем полиимидов предложен механизм взаимодействия молекул фуллерена сароматическими фрагментами полиимидов ианионами красителя. Установлено, что фуллерен, являющийся эффективным сенсибилизатором фотоэффекта вароматических трифениламинсодержащих полиимидах, снижает более чем на порядок светочувствительность иподвижность носителей заряда вполиимиде, сенсибилизированном красителем, восстанавливая их до величин, характерных для несенсибилизированного полиимида
Александрова Е.Л. Влияние фуллерена на фотогенерацию иперенос носителей заряда втрифениламинсодержащих полиимидах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1384

Исследованы фотопроводимость, фотолюминесценция и термостимулированная люминесценция фотопроводящих пленок поли-N-эпоксипропилкарбазола, поли-N-винилкарбазола и нефотопроводящих поливинилбутираля, поливинилового спирта, полистирола и полиэтилена, допированных катионными, анионными и нейтральными красителями. Обнаружено усиление фотолюминесценции катионных красителей в пленках фотопроводящих полимеров по сравнению с нефотопроводящими. Усиление фотолюминесценции коррелирует с возрастанием фотопроводимости, тушащим действием внешнего электрического поля на интенсивность фотолюминесценции и с возрастанием интенсивности рекомбинационной люминесценции. Предполагается, что эффект усиления связан с наличием в пленках карбазолилсодержащих полимеров преддимерных ловушек для дырок вблизи ионов красителя. Предложены модельные представления формирования ловушек при фотогенерации дырок в преддимерные состояния.
Давиденко Н.А., Студзинский С.Л., Деревянко Н.А., Ищенко А.А., Скрышевский Ю.А., Аль-Кадими А.Д. Особенности фотолюминесценции и рекомбинационной люминесценции аморфных молекулярных полупроводников, допированных органическими красителями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1248