Анализируется эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования халькогенидных стеклообразных пленок (As--Se, Ge--Se идр.) рядом металлов (Cu, Ag, Au, Cr идр.), обнаруженный ранее в гетероструктурах металл/<халькогенидная стеклообразная пленка> при 250/350 K.
Коржуев М.А. Эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования стеклообразных пленок As--Se медью, серебром, золотом, хромом (эффектХана) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 219

На основе анализа спектральных и температурных зависимостей нестационарной фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии предложен метод определения спектральной зависимости коэффициента оптического поглощения и рассчитано распределение по энергии локализованных состояний, на которых происходит рекомбинация неравновесных дырок.
Коугия К.В., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Распределение по энергии локализованных состояний в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 81

Исследованы пленки нелегированного a-Si : H, подвергнутые имплантации ионами кремния (дозы 1012-1014 см-2, средняя энергия varepsilon=60 кэВ) при комнатной температуре. Установлены следующие результаты взаимодействия пленок с ионными пучками: образование дефектов (оборванных Si--Si-связей) в нейтральном состоянии (D0), изменение зарядового состояния D0-> D-, переход a-Si : H-> a-Si, рост негомогенности структуры. Показано, как они зависят от исходных структурных и электронных характеристик пленок.
Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si : H, наведенные ионной имплантацией кремния // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 464

Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.
Образцов А.Н., Тимошенко В.Ю., Окуши Х., Ватанабе Х. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и SiO2 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 322

Исследовались свойства образцов пористого кремния, проявляющих интенсивную фотолюминесценцию, не деградирующих со временем, а также под действием интенсивного лазерного излучения. Образцы были изготовлены с добавлением в обычный фтористо-водородный электролит соляной кислоты. Пик фотолюминесценции от полученных слоев пористого кремния располагался при энергиях 1.85-1.9 эВ. Сигнал фотолюминесценции от образцов, изготовленных на тех же исходных подложках по стандартной методике, без HCl в составе электролита, имел на2порядка меньшую интенсивность. Исследовалась деградация образцов пористого кремния со временем и под действием лазерного излучения различной мощности. Для образцов пористого кремния, полученных с максимальным содержанием HCl в составе электролита, сигнал фотолюминесценции не деградировал под действием лазерного излучения. В работе также исследовались инфракрасные спектры образцов с целью контроля химического состояния их поверхности. Получено, что резкое, в100раз, увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от образцов, изготовленных по предложенной методике, может быть связано как с особенностями структурного строения слоев пористого кремния, так и с наличием тонкого совершенного слоя SiO2 на поверхности нанокристаллитов.
Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных сиспользованием электролита HCl : HF : C2H5OH // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 198

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.
Андреев А.А., Воронков В.Б., Голубев В.Г., Медведев А.В., Певцов А.Б. Влияние термического отжига на интенсивность полосы фотолюминесценции 1.54 мкм в легированном эрбием гидрогенизированном аморфном кремнии // ФТП, 1999, том 33, выпуск 1, Стр. 106

Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.
Кудоярова В.Х., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудрявцев Ю.А., Бер Б.Я., Гусинский Г.М., Fuhs W., Weiser G., Kuehne H. Влияние кислорода наинтенсивность фотолюминесценции Er(1.54 мкм) впленках a-Si : H, легированных эрбием // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1384