В физической модели зернограничных квазидислокаций изучены процессы поглощения и рождения решеточных дислокаций границами зерен. Найдены и сопоставлены с экспериментом время диссоциации, силовые и энергетические условия зарождения дислокаций.
Емалетдинов А.К. Физическая модель взаимодействия зернограничных и решеточных дислокаций // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 10, Стр. 1772

Методом трансмиссионной электронной микроскопии исследована дислокационная структура деформированных кристаллов цинка. Показано, что полоса сдвига состоит из диполей и индивидуальных дислокационных петель. Установлена связь между внутренними напряжениями и соответствующей дислокационной структурой полос сдвига.
Босин М.Е., Лаврентьев Ф.Ф., Никифоренко В.Н. Особенности изменения структурного состояния и внутренних напряжений в полосах сдвига монокристаллов цинка // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1644

Разработаны теоретические представления о дефектах несоответствия нового типа --- дисклинациях несоответствия --- на межфазных границах кристалл / кристалл и кристалл / стекло. Показано, в частности, что образование дисклинаций несоответствия является эффективным физическим микромеханизмом релаксации напряжений несоответствия на межфазных границах кристалл / кристалл. Построена модель, описывающая дисклинации несоответствия на межфазных границах кристалл / стекло. Получены оценки энергетических характеристик межфазных границ с ансамблями дисклинаций несоответствия.
Овидько И.А. Дисклинации несоответствия на межфазных границах кристалл / кристалл и кристалл / стекло // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1637

Равновесные концентрации термических дефектов рассчитаны в приближении среднего поля для конфигурационной энтропии. Обсуждаются устойчивые конфигурации точечных дефектов в NiAl.
Лозовой А.Ю., Коржавый П.А., Абрикосов И.А., Пономарев К.В., Векилов Ю.Х. Первопринципное исследование точечных термических дефектов в B2 NiAl // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1630

Предложена модель, которая описывает диффузионное расплывание границ раздела различной геометрии в металлических наностеклах. Показано, что расплывание плоских границ раздела протекает быстрее, чем расплывание тройных стыков, которое в свою очередь протекает быстрее, чем расплывание узлов. Это объясняет изменения среднего времени жизни позитронов в металлических наностеклах при термообработке.
Колесникова А.Л., Овидько И.А., Романов А.Е. Трансформации границ раздела в наноаморфных твердых телах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 9, Стр. 1627

Необычный рельеф в виде линейных дефектов, похожих на квазитрещины или канавки, наблюдался на сжатой поверхности изогнутой пластины кремния в процессе ее химической обработки --- травления. Среднее расстояние между возникающими дефектами определялось величиной механической деформации поверхности. Предполагается, что причиной этого явления может быть нестабильность Азаро--Тиллера--Гринфельда (АТГ) в системе "сжатая поверхность--агрессивная среда (травитель)". Предложена простая методика создания значительных механических деформаций поверхности кремния (до 0.5%) при комнатной температуре.
Шретер Ю.Г., Тархин Д.В., Хорев С.А., Ребане Ю.Т. Неустойчивость упруго-сжатой поверхности кремния при травлении // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 8, Стр. 1416

С целью уточнения механизма микроиндентирования, на основе анализа экспериментальных данных по влиянию спектрального состава и интенсивности света на микротвердость монокристаллического Si и проведенных теоретических расчетов установлено существование около поверхности Si тонкого слоя высокой твердости, который оказывает разное влияние на величину микротвердости в зависимости от глубины внедрения индентора в вещество.
Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. О распределении величины микротвердости по глубине образца // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1225

Установлена зависимость скорости самосогласованного движения очагов неоднородной пластической деформации при растяжении монокристаллов gamma-Fe от коэффициента деформационного упрочнения. Показано, что на стадии линейного упрочнения связь между скоростью и указанной величиной является обратно пропорциональной. Предложена интерпретация наблюдаемых закономерностей на базе представления об автоволновом характере пластического течения твердых тел и самоорганизации в деформируемой среде. Установлен закон дисперсии автоволн пластической деформации.
Баранникова С.А., Зуев Л.Б., Данилов В.И. Кинетика периодических процессов при пластическом течении // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1222

Приведен расчет амплитудно-зависимого дефекта модуля упругости для трех основных моделей дислокационного гистерезиса: 1) гистерезиса отрыва по Гранато--Люкке, 2) гистерезиса Давиденкова и 3) гистерезиса трения без возвращающей силы (БВС). Для всех трех типов петель рассмотрено отношение амплитудно-зависимых декремента и дефекта модуля и показано, что в общем случае r зависит от амплитуды колебаний. В частном случае степенных амплитудных зависимостей декремента и дефекта модуля r не зависит от амплитуды, а зависит только от показателя степени n. Получены формулы r(n) для трех типов гистерезисных петель, и продемонстрировано, что величина r может служить идентификатором формы петли. Сравнение расчетных кривых с результатами экспериментов, накопленными к настоящему времени, показало, что большинство данных лежит ближе к гистерезисам Давиденкова и БВС. Проанализированы пределы применимости приближения секущего дефекта модуля, используемого для определения дислокационной деформации из измерений внутреннего трения.
Лебедев А.Б. Амплитудно-зависимый дефект модуля упругости в основных моделях дислокационного гистерезиса // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1214

В рамках четырехмерного формализма динамических функций Грина получены интегральные представления для электроупругих полей движущихся дислокаций и дисклинаций в пьезоэлектрических кристаллах. Рассмотрены случаи непрерывного распределенных и одиночных линейных дефектов. Правильность полученных результатов подтверждается выполнением требований соответствия при переходе к чисто упругому решению.
Ханнанов Ш.Х. Электроупругие поля движущихся дислокаций и дисклинаций в пьезоэлектрических кристаллах // ФТТ, 1999, том 41, выпуск 7, Стр. 1210