Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристалл...
Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb p-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей (1018 cm-3) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений. Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).
Петржик Е.А., Даринская Е.В., Ерофеева С.А., Раух ман М.Р. Влияние легирования и предварительной обработки намагнитостимулированную подвижность дислокаций вмонокристаллахInSb // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 254