Рассматривается рассеяние электронов проводимости с переориентацией спина на дислокациях в металлах с сильной спин-орбитальной связью. Используется модельный потенциал спин-орбитального взаимодействия, описывающий спиновое рассеяние электронов проводимости. Деформация кристаллической решетки металла приводит к изменению структурного фактора. Для расчета ядра прямолинейной краевой дислокации применяется метод молекулярной динамики. Проведено сравнение с экспериментальными результатами по наблюдению парамагнитного резонанса на электронах проводимости в меди.
Жолкевский В.М., Денисенко Г.А. Спиновое рассеяние электронов проводимости на дислокациях в металле // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1828

Рассмотрена задача об электромагнитной эмиссии сегмента краевой дислокации, движущегося в ионной решетке со структурой типа NaCl. Предложенный механизм излучения связан с возникновением макроскопических переменных поляризационных токов вдоль края экстраплоскости краевой дислокации в процессе ее перемещения между соседними долинами рельефа Пайерлса. Получены выражения, описывающие поля электромагнитного излучения произвольно движущегося сегмента. Подробно рассмотрена задача об излучении сегмента, совершающего гармонические колебания в поле внешней квазистационарной упругой волны с частотой Omega<< c/l (l --- длина сегмента, c --- скорость звука). Найдена мощность излучаемого электромагнитного сигнала и коэффициент "акустоэлектромагнитного преобразования" --- отношение мощности электромагнитного излучения к механической мощности, необходимой для приведения сегмента в движение.
Чаркина О.В., Чишко К.А. Электромагнитное излучение подвижных дислокационных сегментов в ионном кристалле // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1821

Исследовано и проанализировано влияние врожденной субмикропористости (областей избыточного свободного объема), образующейся при различных режимах закалки аморфных сплавов, на закономерности их кристаллизации. Установлено, что это влияние необходимо учитывать по крайней мере на первой стадии кристаллизации сплавов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 99-02-18287).
Бетехтин В.И., Кадомцев А.Г., Толочко О.В. Врожденная субмикропористость и кристаллизация аморфных сплавов // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1815

Показано, что средний пробег l свежевведенных дислокаций в кристаллах NaCl под действием треугольных импульсов нагрузки tau(t) зависит только от амплитуды импульсов taum и не чувствителен к скорости нарастания напряжения. Замена треугольных импульсов трапецеидальными с протяженностью плато tau=const до 60 min незначительно изменяет зависимость l(taum). Интерпретация полученных данных связана с представлением о квазистатической релаксации в неравновесной системе дислокаций, находящейся под совместным действием переменных во времени внешних напряжений tau(t), переменных в пространстве внутренних напряжений taui(x) и "сухого трения" taup, обусловленного закреплением (пиннингом) дислокаций точечными дефектами. В такой модели зависимость l(taum) должна выходить на насыщение при taum>2taup, что действительно наблюдается в области 0.2tauy
Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1635

Обнаружена корреляция между изменением во времени оптических и механических свойств закаленных кристаллов NaCl : Eu и чувствительностью микротвердости этих кристаллов к постоянному магнитному полю. Полученные результаты позволяют судить об атомарном строении магниточувствительных комплексов точечных дефектов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-02-16094) и программы "Университеты России --- фундаментальные исследования".
Моргунов Р.Б., Баскаков А.А. Магниточувствительные промежуточные состояния комплексов точечных дефектов, возникающие после закаливания монокристаллов NaCl : Eu // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1632

На базе неэмпирического метода ЛМТО в приближении сильной связи и полуэмпирического метода Хюккеля проведены систематические исследования влияния точечных дефектов на электронную структуру, химическую связь и ионную проводимость классических ионных проводников: MeF2 (Me = Ca, Sr, Ba, Pb), ZrO2-CaO, ZrO2- Y2 O3, delta-Bi2O3. Рассчитаны энергии образования и взаимодействия антифренкелевских дефектов. Обнаружен эффект кластеризации дефектов в этих соединениях. Наличием данного эффекта объясняются причины возникновения суперионного состояния и аномальное поведение физико-химических свойств данных твердых электролитов. Изучена природа нестабильности флюоритной структуры, предложены способы ее стабилизации. Исследованы механизмы и энергетика ионного транспорта в оксидных и фторидных проводниках со структурой флюорита. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 98-03-33188а).
Зайнуллина В.М., Жуков В.П. Эффект кластеризации дефектов и транспортные свойства оксидных и фторидных ионных проводников со структурой флюорита. Квантовохимический подход // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1619

Методами импульсной спектрометрии с наносекундным разрешением исследованы спектрально-кинетические параметры инициированных воздействием импульса электронов (ИЭ) нестационарного поглощения и свечения кристаллов LiF. Измерения проведены в спектральной области 6 eV, в температурном диапазоне 11-150 K и временном интервале 10-8-10 s после окончания действия ИЭ. Показано, что воздействие ИЭ приводит к созданию в кристалле LiF помимо F-, Vk- и H-центров короткоживущих дефектов двух типов, различающихся спектральным положением поглощательных и излучательных переходов, временем жизни и характером температурной зависимости эффективности создания. Центры типа I имеют поглощательные переходы на 5.5 и 5.1 eV и излучательный на 5.8 eV, центры типа II --- поглощательные переходы на 5.3 и 4.75 eV и излучательный переход на 4.4 eV. Установлено, что в интервале 11-150 K изменение количественного соотношения между типами короткоживущих центров не влияет на величину квантового выхода F-центров. Предполагается, что обнаруженные центры представляют собой автолокализованные экситоны различного типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программы "Университеты России".
Лисицына Л.А., Гречкина Т.В., Корепанов В.И., Лисицын В.М. Короткоживущие первичные радиационные дефекты в кристалле LiF // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1613

Экспериментально исследовано движение очагов локализованной деформации в моно- и поликристаллитах металлов и сплавов на стадиях легкого скольжения и линейного деформационного упрочнения. Установлен волновой характер локализации деформации на этих этапах пластического течения, определены скорость распространения волн и закон их дисперсии. Исследованы масштабный эффект и зависимость длины волны локализованной деформации от размера зерна. Предложена качественная интерпретация полученных результатов.
Зуев Л.Б., Баранникова С.А., Зариковская Н.В., Зыков И.Ю. Феноменология волновых процессов локализованного пластического течения // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 8, Стр. 1423

Изучалось изменение кинетики ступенчатой деформации твердых тел в зависимости от морфологических факторов. Колебания скорости ползучести на микронных приращениях деформации, отражающие ступенчатый характер процесса, исследуются по интерферограмме. Показано, что пластификация полиметилметакрилата дибутилфталатом приводит к уменьшению резкости скачков, тогда как высота их изменяется слабо. Результаты объясняются представлениями о "сетчатой" структуре аморфных полимеров. Данные подтверждают общность явления скачков как способа развития деформации разных твердых тел. Скачки отражают кооперативный характер движения кинетических единиц, а закономерное изменение характеристик скачков соответствует определению ползучести как процесса самоорганизации структуры.
Песчанская Н.Н. Скачкообразная деформация твердых аморфных полимеров // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 8, Стр. 1418

Показано, что одновременное воздействие на кристаллы висмута импульсного электрического тока и постоянного магнитного поля существенно снижает среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций, локализованных на границах клиновидных двойников. Снижение средней линейной плотности двойникующих дислокаций сопровождается падением микротвердости образцов.
Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций в кристаллах висмута // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 8, Стр. 1416