Представлены результаты исследования подвижности индивидуальных тройных стыков в алюминии. Эксперименты проводились на тройных стыках с границами наклона для трех кристаллографических плоскостей: <111>, <100>, <110>. Полученные данные показывают, что при низких температурах подвижность системы границ зерен с тройным стыком контролируется подвижностью тройного стыка (стыковой кинетикой). При высоких температурах подвижность системы определяется подвижностью границ (граничной кинетикой). Существует температура перехода от стыковой кинетики к граничной. Эта температура определяется кристаллографическими параметрами образцов.
Протасова С.Г., Сурсаева В.Г., Швиндлерман Л.С. Исследование движения индивидуальных тройных стыков валюминии // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1402

В молекулярных кристаллах Cu(hfac)2 LEt обнаружены скачкообразные изменения микротвердости, размеров образцов и параметров спектра ЭПР при фазовом переходе. Выявлены дефекты, возникающие при пластической деформации (ими могут быть дислокации), а также парамагнитные дефекты представляющие собой, по-видимому, обрывы полимерных цепей и способные служить спиновыми метками для исследования магнитного состояния кристаллической решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-15-99302, 00-15-96703 и 00-03-32987).
Осипьян Ю.А., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Овчаренко В.И., Фокин С.В. Дефекты структуры вмолекулярных кристаллах на основе гетероспиновых комплексов меди // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1396

Исследованы особенности низкотемпературной пластической деформации твердого поликристаллического параводорода, легированного изотопической примесью (дейтерием). Получены зависимости скорости установившейся ползучести p-H2 от концентрации примеси и напряжения. Процесс деформации p-H2 описан с привлечением нулевых среднеквадратичных смещений образующих кристалл частиц. Сравнение теоретически вычисленных и экспериментально полученных величин < x2> проведено для двух возможных изотопных форм молекул (а именно HD и D2) при трех уровнях напряжения. Установлена корреляция величин < x2> с увеличением силовых констант p-H2, легированного изотопической примесью. Обсуждается рост среднеквадратичных смещений p-H2 в кристалле с ростом растягивающей нагрузки. Высказывается предположение о \glqq деформационном очищении\grqq кристалла p-H2 от изотопической примеси.
Алексеева Л.А., Сыркин Е.С., Ващенко Л.А. Низкотемпературная пластичность идинамика решетки твердого параводорода сизотопической примесью // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1024

Предложена простая дислокационная модель релаксации термоупругих напряжений, возникающих при выращивании монокристаллов из расплава. Данная модель не требует решения кинетических уравнений для дислокаций, участвующих в процессе релаксации, и позволяет получить оценку снизу плотности дислокаций в объеме выращенного кристалла.
Ханнанов Ш.Х., Никаноров С.П., Бахолдин С.И. Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений привыращивании монокристаллов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1020

По результатам экспериментального изучения разрушения образцов из полиметилметакрилата и сферопластика с помощью магнитно-импульсной установки оценивается удельная работа по образованию новой поверхности, аналогичная описываемой константой Гриффитса для квазистатических испытаний. Полученная величина на порядок превосходит значение, определенное по данным квазистатических испытаний, и обнаруживает тенденцию к росту при уменьшении длительности нагружения. Работа выполнена при поддержке конкурсного центра СПбГУ (грант N E00-4.0-174), грантов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-01-01035 и 00-01-05020), ФЦП Минпромнауки 40.010.11.1195, а также Федеральной целевой программы \glqq Интеграция\grqq.
Груздков А.А., Кривошеев С.И., Петров Ю.В. Энергоемкость разрушения материалов вусловиях импульсного нагружения микросекундной длительности // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 842

Методом ЭВМ моделирования исследованы особенности движения под действием ультразвука винтовой дислокации с учетом ее поперечного скольжения в неоднородном по пространству поле напряжений, создаваемом одноименной неподвижной дислокацией. Показано, что поперечное скольжение могут испытывать только дислокации, стартующие из определенных областей пространства. Приведены закономерности изменения размера и формы этих областей от параметров ультразвука, кристаллографической ориентации образца и коэффициента динамической вязкости.
Тяпунина Н.А., Бушуева Г.В., Силис М.И., Подсобляев Д.С., Лихушин Ю.Б., Богуненко В.Ю. Поперечное скольжение дислокации вультразвуковом поле ивлияние наэтот процесс амплитуды ичастоты ультразвука, ориентации образца икоэффициента динамической вязкости // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 836

Рассматривается напряженно-деформированное состояние нелинейно-упругих тел в окрестности шаровых и эллиптических пор. Анализируются особенности развития областей пластичности около таких пор. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными по закономерностям залечивания пор под действием всестороннего сжатия.
Бетехтин В.И., Веселков С.Ю., Даль Ю.М., Кадомцев А.Г., Амосова О.В. Теоретическое иэкспериментальное исследование влияния внешней нагрузки напоры втвердых телах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 618

Исследуется динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. Описание процесса движения дефектов произведено с рассмотрением трех видов барьеров, включающих магниточувствительные точечные дефекты и дислокации. В рамках представленного рассмотрения с учетом концепции спин-зависимых реакций между структурными дефектами предложена кинетическая модель наблюдаемых магнитостимулированных изменений подвижности, обусловленных образованием долгоживущих комплексов с участием парамагнитной примеси. Экспериментально показано, что предварительная обработка дислокационных кристаллов в течение 5-45 min в магнитном поле (B=1 T) способствует двух- и трехкратному увеличению скорости движения дислокаций в n- и p-Si соответственно. Зафиксирована \glqq магнитная память\grqq дислокационного Si и рассмотрена кинетика ее ослабления в естественных условиях хранения образца после магнитной обработки. Согласование эксперимента с теорией позволило выявить основные количественные характеристики магнитостимулированного транспорта линейных дефектов: парциальные скорости перемещения дислокаций и динамику дислокационных сегментов на различных стопорах, включая времена ожидания.
Орлов А.М., Скворцов А.А., Соловьев А.А. Динамика поверхностных дислокационных ансамблей вкремнии приналичии механических имагнитных возмущений // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 613

Впревые исследовано воздействие слабых импульсов магнитных полей (ИМП) на кристаллы твердых растворов Sb1-xAsx. Обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов твердого раствора при комнатной температуре после кратковременного (секунды) воздействия ИМП, включающий этапы обогащения поверхности кристалла сурьмой с образованием кластеров, распада кластеров сурьмы и снижения ее содержания на поверхности с существенным повышением однородности твердого раствора. Индуцированное ИМП перераспределение компонентов сопровождается понижением температуры плавления кристалла. В качестве возможного стартового механизма эффекта рассматривается разрыв напряженных химических связей в комплексах вакансий мышьяка в результате изменения их мультиплетности при воздействии ИМП.
Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Постников В.В., Агапов Б.Л. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов всистеме Sb--As // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 609

Резонансным методом электростатического возбуждения продольных колебаний изучались температурные зависимости модуля Юнга E биоморфных SiС-керамик на основе дерева, полученных путем пиролиза эвкалипта и дуба с последующей инфильтрацией кремния. Оказалось, что уменьшение величины E с ростом температуры в интервале 20--1000oC для SiC-эвкалипт сопровождается рядом скачков (расщеплений) резонансной частоты, которые сохраняются и после нагрева образца до 1000oC. В случае керамики SiC-дуб наблюдается лишь один скачок, который пропадает после нагрева до 1000oC. Наблюдаемые аномалии связываются с наличием в исследованных материалах различных дефектов (в том числе пор). Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-01-00482).
Смирнов Б.И., Буренков Ю.А., Кардашев Б.К., Varela-Feria F.M., Martinez-Fernandez J., de Arellano-Lopez A.R. Температурные зависимости модуля упругости биоморфных керамик карбида кремния // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 456