Получены решения дисперсионных уравнений для поляритонных состояний в ограниченных одномерных кристаллах произвольной длины. Прослежены возникновение и эволюция радиационных и нерадиационных поляритонных ветвей при изменении длины от двух мономеров до предельных длин, при которых спектр уже существенно не меняется. Найдены зависимости частот и радиационных ширин от волнового вектора поляритона при различных ориентациях дипольного момента квантового перехода. Прослежено развитие эффекта "superradiance" при увеличении длины кристалла. Отмечены некоторые ранее неизвестные существенные особенности поляритонного спектра, в частности затухание традиционно называемой нерадиационной ветви вследствие торцевого излучения.

Впервые исследованы дисперсионные свойства монокристаллов природного алмаза в рентгеновском диапазоне длин волн 0.03-0.2 nm. Дисперсионный элемент представлял собой аналог прямоугольной призмы. Коллимированный пучок полихроматического излучения направлялся на преломляющую грань изнутри под малым углом скольжения (<<pi/2). Ввод излучения осуществлялся через боковую грань, ориентированную нормально к оси прямого пучка. В области энергий 8 keV достигнуто разрешение 106 eV, что приблизительно вдвое лучше соответствующего параметра для полупроводниковых детекторов. Как показывает расчет, в условиях идеальной геометрии предельное разрешение для алмазной призмы с одной преломляющей гранью может быть уменьшено до 36-40 eV. Это обеспечивает возможность создания нового типа аналитических приборов --- дисперсионных рентгеновских спектрометров для исследования быстропротекающих процессов, связанных с генерацией и поглощением рентгеновского излучения.

Посредством численного моделирования исследовано влияние разупорядочения на критическую температуру s-волновых сверхпроводников с малой длиной когерентности. В качестве расчетной модели использовалась двумерная модель Хаббарда с притяжением. Расчеты проводились в рамках подхода Боголюбова--Де Жена, что позволило учесть пространственную неоднородность параметра порядка. Исследовано, насколько влияет учет пространственной неоднородности физических величин на полученные результаты. Показана возможность возрастания критической температуры при разупорядочении.

Представлены результаты исследования влияния магнитного поля на фототок Iph в Si и GaAs солнечных элементах. Показано, что изменение фототока Iph солнечных элементов в магнитном поле может быть связано с уменьшением диффузионной длины экситонов Lexc. Предложена упрощенная модель фотомагнитного эксперимента для оценки Lexc и вклада экситонов в фототок солнечных элементов.

Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu--GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018)см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.

Диодные мезаполосковые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP двойных гетероструктур с низким пороговым током (~12 мА) и узкой шириной полоска (~10 мкм) исследовались в большом интервале токов вплоть до 5 пороговых. Обнаружено, что в таких лазерах моды в измеренном интервале токов смещаются в коротковолновую сторону почти на величину межмодового расстояния вследствие возрастания концентрации неравновесных носителей в активной области. Скорость смещения мод с током разная в разных интервалах токов и зависит от степени одномодовости лазерного спектра.

Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, использующей два черных тела, которые располагаются внутри азотного криостата и имеют температуры 260 и 320 K соответственно. Показано, что ошибки в определении нижней или верхней из указанных температур на 1 K приводят к ошибке lambdac примерно на 0.3 и 0.2 мкм соответственно, если lambdac=10 мкм. Измерения на фотодиодах, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев Cd0.24Hg0.76Te (lambdac=8.1 мкм), показали, что различие в величинах lambdac, полученных данным методом и из спектральных измерений, составляет не более нескольких десятых долей мкм. Предлагается использовать данный метод как стандартный.

Анализ вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции вызван широким распространением низкоомных материалов в современной твердотельной электронике. Показано, что в ходе такого анализа неприменима чисто плазменная модель полупроводника, так как необходимо учитывать зависимость подвижности носителей заряда от их концентрации mu(n). Проанализированы условия возникновения резко сверхлинейных вольт-амперных характеристик в области начального изменения mu(n) только за счет темпа изменения подвижности основных носителей (lambda-эффект). На экспериментальных вольт-амперных характеристиках lambda-эффект проявляется в виде резких скачков тока и соответствующих им высоких значений дифференциальной степени вольт-амперной (J-V) характеристики (alpha=d\lg J/d\lg V), определяемых изменением дифференциальной степени зависимости подвижности носителей заряда от концентрации lambda(n)=d\lgmu/d\lg n. Расчет показал, что механизм возникновения lambda-эффекта может быть определен при достижении уровней инжекции до~1017 см-3.

Исследовано влияние условий кратковременного отжига и дополнительной соимплантации ионов кислорода на фотолюминесценцию ионов эрбия, имплантированных с энергией 1 МэВ и дозой 5·1014 см-2 в пленки GaN, выращенные методом газофазного осаждения из металлорганических соединений. Интенсивность эрбиевой фотолюминесценции на длине волны ~1.54 мкм возрастает с повышением температуры изохронного (в течение 15 с) отжига от 700 до 1300oC. Соимплантация ионов кислорода позволяет увеличить интенсивность эрбиевой фотолюминесценции при температурах отжига из указанного диапазона, меньших 900oC. Методом рамановской спектроскопии исследована трансформация кристаллической структуры образцов в результате имплантации ионов эрбия и последующих отжигов.

Созданы и исследованы светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9--2.1 мкм, на основе двойных гетероструктур AlGaAsSb / GaInAsSb / AlGaAsSb с большим содержанием As(64%) в широкозонных областях. Светодиоды имеют конструкцию, позволяющую расположить активную область близко к отводящим тепло частям корпуса, а свет вывести через подложку GaSb, незаслоненную контактом. Светодиоды обладают в большом интервале токов линейной зависимостью мощности излучения от тока. Достигнута в квазинепрерывном режиме мощность излучения 4.6 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность 190 мВт при комнатной температуре. Показано, что еще при длительностях импульса 5 мкс переход от линейной к сублинейной зависимости мощности излучения от тока определяется не нагревом, а процессами оже-рекомбинации в активной области светодиода.