Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали2, 5 и10слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.

Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27--1.3 мкм), низкопороговая (50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.

Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине неравновесный заряд. Инжекция осуществляется alpha-частицами естественного распада в режиме одиночного счета. Техникой ядерной спектрометрии измеряется величина заряда, продиффундировавшего в базе к границе области электрического поля. Проведен расчет возникающих в ходе диффузии потерь заряда в зависимости от длины проникновения трека частицы за область поля. Полученные функции имеют степенной характер и позволяют в свою очередь связать значения длины диффузии с величиной показателя степени и численного множителя, описывающего потери заряда. Эксперимент поставлен на слабо легированных эпитаксиальных пленках 4H-SiC.

Ивашкина Н.в., Кольцов И.м. Микропроцессорная система управления длиной волны излучения лазера для экологии // Научная сессия МИФИ-1998. Т.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 35-37

Собенин Н.п., Калюжный В.е., Завадцев А.а. Датчик измерения длины электронного сгустка в интервале 1-5 мм // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 105-106

Ивашкина Н.в., Кольцов И.м. Микропроцессорная система управления длиной волны излучения лазера для экологии // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.5 Информатика, вычислительная техника. Автоматизация. Электронные измерительные системы. Информационные технологии и электроника. Электроника. Микроэлектроника, стр. 143-145

Белоусова И.в. LogN-LogS для коротких и длинных GRB // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 16-17

Чихачев А.с. Состояние длинного эллипсоидального заряженного сгустка в продольном магнитном поле // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 125

Семенихин И.а., Опенов Л.а. Влияние примесей на сверхпроводящую щель сверхпроводника с малой длиной когерентности // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 91-92

Бадиков В.в., Дон А.к., Митин К.в., Серегин А.м., Щебетова Н.и., Синайский В.в. Оптический параметрический генератор на кристалле AgGaS2 с перестройкой длины волны генерации в среднем ИК дианазоне // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 53