Представлены результаты экспериментальных исследований температурной зависимости теплоемкости и коэффициента теплопроводности кристаллических суперионных проводников LnF3 (Ln=La, Ce, Pr), Li2B4O7, alpha-LiIO3 в суперионной фазе. Обнаружен монотонный рост теплоемкости Cp и коэффициента теплопроводности K в широком интервале температур выше температуры Дебая ThetaD. Этот рост связывается с релаксационным взаимодействием высокочастотных фононов с двухуровневыми системами.

При температуре 1.7 K исследовано оптическое поглощение кристаллов GaAs с толщинами d=0.4-4.4 mum в области экситон-поляритонного резонанса. При уменьшении толщины наблюдается не только уширение экситонной линии, но и рост поглощения при незначительном штарковском сдвиге. Зависимость характера спектров поглощения от толщины кристалла рассматривается в рамках представления о конкуренции двух областей свето-экситонного взаимодействия в кристалле: находящейся в поле поверхностных зарядов и свободной от электрического поля.

Показано, что зависимость величины магнитного спинового эффекта в фотогенерации носителей заряда в пленках полидиацетилена от напряженности внешнего электрического поля обусловлена распределением слабо связанных электронно-дырочных пар по значениям начального разделения, в пределах которого время жизни пар конкурирует с характеристическими временами эволюции и релаксации спинов партнеров пары.

Исследовано влияние характера взаимодействия деформационных и примесных дефектов на эффекты рассеяния основных носителей заряда в монокристаллах кремния.

Экспериментально исследовано влияние дислокаций, вводимых в процессе электропластической деформации, на явление электропереноса примесных атомов индия в монокристаллах P-кремния. Установлено, что одновременная с деформацией реализация электродиффузии индия приводит к эффекту преимущественного увлечения ионов примеси в сторону анода.

Приведены результаты экспериментального исследования теплопроводности, термоэдс, эффекта Нернста и магнитосопротивления тонких монокристаллических пластин вольфрама в условиях статического скин-эффекта в области T=2-18 K и в магнитных полях до 28 kOe. Показано, что полевая зависимость магнитотермоэдс следует предсказаниям теории гальвано- и термомагнитных явлений в сильных полях и проявляет анизотропию, связанную как с формой образца, так и с отражательными свойствами поверхности кристалла. Исследована температурная зависимость магнитотермоэдс и обнаружен вклад фононного увлечения. Выделен поверхностный вклад в электро- и теплопроводность в условиях статического скин-эффекта и прослежена температурная зависимость числа Лоренца для поверхностного рассеяния. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 96-02-17736a).

Исследовано влияние специфики формирования центров рассеяния в процессе электропластической деформации на электрические свойства германия.

С использованием методики химического жидкофазного осаждения (chemical bath deposition technique) в поры синтетического опала введены соединения эрбия: оксид и силикаты. Электронно-микроскопическими исследованиями установлено, что синтезированные вещества преимущественно осаждаются тонким однородным слоем на внутренней поверхности пор. Из исследований спектров пропускания показано, что полученный композит опал-эрбий сохраняет фотонно-кристаллические свойства (photonic band gap properties) исходной упорядоченной матрицы опала. Ионы Er3+ в составе композита люминесцируют на нескольких длинах волн в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах (550, 860, 980, 1240 и 1530 nm) при температуре 80 K. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 02-02-16502a), Минпромнауки (\glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq) и гранта NATO (PST.CLG.978079).

Исследовано влияние условий синтеза и материала подложки на фазовый переход металл--полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия, полученных методом лазерного напыления. Показано, что уширение петли гистерезиса связано с уменьшением размера кристаллических зерен, составляющих пленку. Высказан ряд предположений, объясняющих возникновение асимметричных петель гистерезиса. Работа поддержана научной программой ОФН РАН.

Исследованы фотопроводящие свойства аморфных молекулярных полупроводников на основе пленок полистирола, допированных эпоксипропилкарбазолом и катионным полиметиновым красителем, тетранитрофлуореноном и анионным полиметиновым красителем. Первый тип пленок имеет дырочную проводимость, второй --- электронную. Для второго типа пленок в отличии от первого с уменьшением длины волны света из области поглощения красителей обнаружено уменьшение энергии активации фотогенерации подвижных носителей заряда. Проведен анализ возможных механизмов влияния энергии кванта света возбуждения на начальное расстояние между носителями заряда в электронно-дырочных парах. Сделан вывод, что при невысоких скоростях рассеивания избытка тепловой энергии от возбужденных молекул красителя из-за электрон-ядеpного взаимодействия фотогенерированные электроны имеют возможность уйти от центра фотогенерации на большие расстояния по сравнению с дырками.