Проведено электронно-микроскопическое изучение синтетических опалов, в регулярно расположенные пустоты которых введен теллур либо из расплава под давлением, либо из раствора. В первом случае выявлена трехмерная решетка из связанных друг с другом через мостики кластеров теллура. При переходе от одного к другому они сохраняют одну и ту же кристаллографическую ориентацию. Эти данные свидетельствуют о том, что при охлаждении объекта после введения теллура происходит его направленная кристаллизация, которая контролируется, возможно, каналами между кластерами. При втором способе введения теллура образуется неоднородная кластерная решетка: объемные кластеры вырастают не во всех пустотах. Поверхность большинства силикатных сфер покрыта тонким несплошным слоем теллура. Такая структура кластерной решетки обеспечивает нелинейную вольт-амперную характеристику объекта в целом. Продемонстрирована принципиальная возможность инженерии кластерных решеток, отличающихся структурными параметрами.

На основе измерений теплоемкости и скоростей упругих волн для образца фуллерена C60, обработанного высоким давлением и температурой, проведены оценки температуры Дебая и функции Delta C=Cp-Cv, а также расчеты работы теплового расширения в идеальном приближении. Аналогичные расчеты выполнены для графита, алмаза, кремния, германия и некоторых тугоплавких металлов. Результаты позволили сделать качественные выводы об устойчивости структуры нового материала, полученного из фуллерена C60, который имел чрезвычайно высокую твердость.

Проведено сравнительное исследование методов очистки одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ), полученных электродуговым синтезом. Методы очистки включали: окисление исходного материала на воздухе при различных температурах, обработку и/или окисление растворами неорганических кислот, микрофильтрацию суспензии исходного и/или окисленного материала, а также различные комбинации этих методов. Чистота полученных ОУНТ характеризовалась методом спектроскопии комбинационного рассеяния. Показано, что наилучшие результаты дает метод очистки, включающий следующие последовательные стадии: обработка и окисление исходного материала в азотной кислоте, микрофильтрация суспензии окисленного материала в водном растворе поверхностно-активных веществ через трековые мембраны, сушка, окисление на воздухе и отжиг в вакууме при различных температурах. Чистота полученных ОУНТ достигала 70--80 wt.%. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проекты N 00-03-32086, 01-02-17358), МНТЦ-1400, ГНТП "Фуллерены и атомные кластеры" и ИНТАС.

Представлены результаты сравнительного исследования оптического поглощения и фотолюминесценции в слоях пористого кремния, оксидах кремния (SiO и SiO2) и порошкообразном кремнии. Обнаружена корреляция положения края полосы поглощения, определяемого по данным фотоакустической спектроскопии, а также спектров фотолюминесценции со степенью окисления кремния. Для образцов пористого кремния выявлено различие частотных зависимостей фотоакустического сигнала от энергии квантов возбуждающего света.

Рассматриваются различные варианты конструкции вертикально-излучающих лазеров диапазона длин волн 1.3 мкм на подложках арсенида галлия с активными областями на основе квантовых точек InAs/InGaAs и квантовых ям InGaAsN. Исследована взаимосвязь свойств активной области и параметров оптического микрорезонатора, необходимых для осуществления лазерной генерации. Проводится сравнительный анализ вертикально-излучающих лазеров с активными областями на основе квантовых точек InAs/InGaAs и квантовых ям InGaAsN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии и демонстрирующих лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре. Показано, что оптимизация конструкции вертикального микрорезонатора позволяет получить внутренние оптические потери менее 0.05% на один проход фотона.

Фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток второго типа, выращенных на поверхности(311), определяются ее полярностью. Ранее электронно-микроскопические исследования показали наличие в образцах, выращенных на поверхности (311)A, гофрировки ( corrugation) обоих GaAs / AlAs- иAlAs / GaAs-интерфейсов с высотой1 нм и периодом3.2 нм. Внастоящей работе в электронно-микроскопических картинах и их фурье-изображениях сверхрешетки, выращенной на поверхности(311)B, латеральная периодичность в3.2 нм также выявляется, однако выражена она слабо, что связано с нечетким гофрированием и наличием длинноволнового(>10 нм) беспорядка. Спектры фотолюминесценции сверхрешетки GaAs / AlAs на поверхности (311)A сильно поляризованы относительно направления гофрирования интерфейса в отличие от сверхрешетки(311)B, где гофрировка выражена слабо. Нами обнаружено, что гигантское замешиваниеGamma- иX-минимумов зоны проводимости имеет место только для сверхрешоток с сильно гофрированными интерфейсами и позволяет получить ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры. Обнаруженные отличия для сверхрешеток, выращенных на поверхностях(311)A и(311)B, подтверждают, что именно гофрирование интерфейса, а не кристаллографическая ориентация играет определяющую роль в оптических свойствах сверхрешоток(311).

Ерунов С.в. Сравнительное исследование динамического разрушения диоксидциркониевых бетона и керамики // Научная сессия МИФИ-1999. Т.13 Прикладная физика, стр. 142-143

Титаренко Ю.е., Шведов О.в., Батяев В.ф., Карпихин Е.и., Живун В.м., Колдобский А.б., Игумнов М.м., Муламбетов Р.д., Соснин А.н., Yasuda H., Takada H., Chiba S., Kasugai Y., Mashnik S.g., Prael R.e., Chadwick M.b., Gabriel T.a., Blann M. Исследование сравнительной работоспособности расчетных программ моделирующих взимодействия ядер ADT-материалов с протонами промежуточных энергий // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.5 Перспективные наукоемкие технологии. Физика и химия новых неорганических материалов. Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики, стр. 233

Зимин А.а. Сравнительный анализ средств оперативной аналитической обработки данных // Научная сессия МИФИ-2000. Т.3 Банки данных и анализ данных. Интеллектуальные системы и технологии. Технологии разработки программных систем, стр. 45

Наумов Н.в., Петровский В.н., Чириков С.н. Матрицы Мюллера:основы метода и сравнительный анализ схем поляриметров // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 24