При облучении поликристаллов и различных плоскостей монокристаллов CuO ((110) и (020) ) ионами азота с энергией 16 MeV и флюенсом 1017 cm-2 обнаружено восстановление CuO до Cu2O и Cu, имеющее дальнодействующий характер. Спектры поглощения в инфракрасном диапазоне свидетельствуют об увеличении числа дырочных [CuO4]5- и электронных [CuO4]7- центров. Наибольшая концентрация элекронных центров и восстановление имеют место вблизи поверхностей образцов.

Обнаружен и исследован эффект полного восстановления поверхности льда после индентирования в температурном интервале 243-268 K. Суть наблюдаемого явления состоит в том, что в течение нескольких часов после удаления индентора на гранях отпечатка растут новые зерна льда. Обнаружено, что скорость восстановления значительно возрастает после микроиндентирования в границу исходного зерна поликристаллического льда. Обсуждаются возможные механизмы этого явления. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 98-0217054).

Исследовано влияние температуры в интервале 20-500oC на модуль Юнга наноструктурного ниобия с содержанием примесей Ta

На примере нематических жидких кристаллов 7СВ и 7ОСВ демонстрируется методика восстановления функции распределения времен релаксации (ФРВР) по измеренным в широкой области частот спектрам диэлектрической проницаемости. Минимизация целевой функции, представляющей собой сумму квадратов отклонений рассчитанных и измеренных значений диэлектрической проницаемости, проведена с помощью пакета программ Mathcad. Показано, что при параллельной ориентации директора молекул относительно направления поляризации переменного электрического поля вид ФРВР отвечает дебаевской модели процесса релаксации, однако в области малых времен, описывающих высокочастотную часть диэлектрического спектра, наблюдаются небольшие отклонения. При перпендикулярной ориентации директора на распределениях времен релаксации обнаружены особенности, наиболее сильно проявляющиеся в жидком кристалле 7ОСВ, которые, по-видимому, отражают внутримолекулярные движения жесткого остова и фрагментов алкильного \glqq хвоста\grqq. Авторы выражают признательность Российскому фонду фундаментальных исследований за поддержку работы (грант N 03-03-32470). PACS: 77.84.Nh, 61.30.Gd

Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.

Впервые экспериментально обнаружено, что работа дрейфовых диодов с резким восстановлением в режиме лавинного пробоя p-n-перехода может сопровождаться возникновением осцилляций тока через p+-n-n+-структуру и напряжения на ней в режиме impact avalanche transit time, переходящих при определенных условиях к развитию обратимого волнового ударно-ионизационного пробоя p+-n-n+-структуры.

На основе численного моделирования проанализированы погрешности различных методов восстановления распределения легирующей примеси в полупроводниках по данным вольт-фарадных измерений в электрохимической ячейке. Показано, что предложенные ранее авторами два простых метода не только позволяют определить профиль легирования непосредственно на поверхности структуры, но и потенциально являются более точными, чем традиционно используемый подход. Однако эти методы предъявляют более высокие требования к точности измеряемых данных. Для их успешного применения относительная погрешность измерений должна быть не хуже 5· 10-4, что примерно на порядок выше обычного экспериментального уровня.

Исследована временная эволюция спектров катодной электролюминесценции пористого кремния вэлектролите, содержащем персульфат-ионы S2O82-, вгальваностатическом режиме. Показано, что при катодной поляризации происходят необратимые изменения люминесцентных свойств пористого кремния, проявляющиеся вуменьшении интенсивности сигнала идлинноволновом сдвиге спектра электролюминесценции при практически неизменном потенциале подложки (псевдо-тьюнинг). Необратимость изменения люминесцентных параметров связывается сконкурирующим электрохимическим окислением поверхности пористого кремния, приводящим кзатруднению биполярной инжекции носителей влюминесцентно-активные кристаллиты. Результаты работы позволяют утверждать, что наблюдаемые деградационные явления при катодной поляризации обусловлены теми же процессами, которые ответственны за возбуждение электролюминесценции, что ставит под сомнение трактовку известного влитературе эффекта тьюнинга (англ. tuning) как результата чисто электронного процесса впористом кремнии.

Проведен сравнительный анализ влияния различных факторов, определяющих характер восстановления блокирующей способности карбид-кремниевых диодов. Показано, что доминирующим является механизм, обусловленный большой величиной отношения подвижностей электронов и дырок вSiC. Именно этот механизм приводит к тому, что, независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности плазмы в высокоомной базе, эффект сверхбыстрого (субнаносекундного) обрыва тока может наблюдаться при восстановлении карбид-кремниевых диодов с базой p-типа, а \glqq мягкое\grqq восстановление присуще только диодам с базой n-типа.

Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p+-p0-n0-n+-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторения достигают значений~ 100 В и~ (10-100) ГГц соответственно. Факт существования явлений задержанного обратимого волнового пробоя и возбуждения сверхвысокочастотных осцилляций в струкурах GaAs-диодов с резким восстановлением открывает перспективы развития новых направлений как в физике и технике полупроводниковых приборов на основе GaAs-структур, так и в новых областях техники и технологии сверхвысокочастотных и сверхширокополосных систем и устройств, оперирующих с импульсными сигналами пикосекундной длительности.