Обсуждаются явления в области морфотропной фазовой границы в твердых растворах Pb(Ti1-xZrx)O3. Рассчитано положение границы, отделящей стабильную сегнетоэлектрическую тетрагональную фазу от стабильной ромбоэдрической. Получено аналитическое выражение для ширины интервала возможного сосуществования этих фаз. Проведена численная оценка, из которой следует, что этот интервал может составлять 20 mol.%. Однако экспериментальные данные, необходимые для такой оценки, пока не являются надежными.

Впревые исследовано воздействие слабых импульсов магнитных полей (ИМП) на кристаллы твердых растворов Sb1-xAsx. Обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов твердого раствора при комнатной температуре после кратковременного (секунды) воздействия ИМП, включающий этапы обогащения поверхности кристалла сурьмой с образованием кластеров, распада кластеров сурьмы и снижения ее содержания на поверхности с существенным повышением однородности твердого раствора. Индуцированное ИМП перераспределение компонентов сопровождается понижением температуры плавления кристалла. В качестве возможного стартового механизма эффекта рассматривается разрыв напряженных химических связей в комплексах вакансий мышьяка в результате изменения их мультиплетности при воздействии ИМП.

Исследованы особенности низкотемпературной пластической деформации твердого поликристаллического параводорода, легированного изотопической примесью (дейтерием). Получены зависимости скорости установившейся ползучести p-H2 от концентрации примеси и напряжения. Процесс деформации p-H2 описан с привлечением нулевых среднеквадратичных смещений образующих кристалл частиц. Сравнение теоретически вычисленных и экспериментально полученных величин < x2> проведено для двух возможных изотопных форм молекул (а именно HD и D2) при трех уровнях напряжения. Установлена корреляция величин < x2> с увеличением силовых констант p-H2, легированного изотопической примесью. Обсуждается рост среднеквадратичных смещений p-H2 в кристалле с ростом растягивающей нагрузки. Высказывается предположение о \glqq деформационном очищении\grqq кристалла p-H2 от изотопической примеси.

Исследовано влияние состава и ближнего порядка типа кластерообразования на локализацию оптических фононов в двумерных псевдобинарных твердых растворах замещения. Проведены прямые численные расчеты так называемой \glqq обратной доли участия\grqq (IPR), исследован \glqq скейлинг\grqq этой величины для основных мод, определяющих спектральную плотность состояний в центре зоны Бриллюэна усредненного кристалла. Показано, что кластерообразование способствует делокализации фононов, хотя природа этой тенденции различна для резонансных и локальных (в низкоконцентрационном пределе) мод. Рассмотрено влияние степени ионности твердого раствора на локализацию и показано, что кулоновское взаимодействие нейтрализует эффект кластерообразования, одновременно снижая наблюдаемую величину IPR. Предложен новый физический критерий, связанный с видом функции распределения локальных узельных поглощений внешнего электромагнитного поля, позволяющий судить о степени локализации фононных мод в ионнных сплавах. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и техники Португалии (FCT) (грант РОСТI / FIS / 10128 / 1998) и Министерства образования России (НИР 1.4.99).

Исследовалось действие постоянного магнитного поля (ПМП) на скорость ползучести поливинилбутираля, сополимера стирола с метакриловой кислотой (ПС + 16 wt.% МАК), полиоксиметилена и других полимеров. Показано, что ПМП в разной степени действует на разные полимеры и что в некотором интервале скоростей деформации влияние магнитного поля увеличивается.

Разрабатывается алгоритм построения самосогласованной модели парамагнитного неметаллического изотропного твердого тела дебаевского типа. На примере германия показано, что в даже в рамках сильно упрощенных предположениях о значениях термодинамических параметров возможно удовлетворительное описание термодинамических величин в широком интервале температур.

Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) SixGe1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре 0.5Tmelt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР SixGe1-x/Ge (0=<q x

Впервые исследованы температурные зависимости диэлектрической проницаемости varepsilon монокристаллов Na1-xKxNbO3 (0.04=<sssim x=<sssim0.15). По форме аномалий varepsilon(T), соответствующих ротационным фазовым переходам, определен характер взаимодействия параметров порядка с поляризацией. С учетом полученных результатов на основе феноменологической теории разработана модель, позволяющая адекватно описать всю совокупность экспериментально наблюдаемых последовательностей высокотемпературных (T>300oC) фазовых переходов; обусловленные этими превращениями аномалии диэлектрических свойств, а также изменение фазовых состояний при различных внешних воздействиях (давление, электрическое поле). Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17781).

Представлен обзор работ, посвященных исследованиям влияния слабых магнитных полей на структуру и механические свойства немагнитных твердых тел различной природы (ионные, ковалентные, молекулярные и металлические кристаллы, полимеры и др.). Проведена классификация и критический анализ обнаруженных в течение последних 15 лет разнообразных эффектов и постэффектов, инициируемых постоянным, импульсным и СВЧ магнитными полями. Обсуждаются термодинамические и кинетические аспекты магниточувствительности реальных твердных тел со структурными дефектами, содержащими парамагнитные центры (электроны, дырки, радикалы, экситоны и т. п.). Рассмотрены возможные механизмы действия слабого магнитного поля на дефектную структуру кристаллов. Особое внимание уделено наиболее разработанной в химической физике теории спин-зависимых реакций между подвижными частицами с неспаренными электронами. Предложены схемы интерпретации магнитопластических эффектов, учитывающие спиновую, электронную, молекулярную и дислокационную динамику сложных многостадийных процессов, инициируемых магнитным полем в системе метастабильных структурных дефектов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17571 и N 01-02-16573), Минобразования (грант N E 02-3.4-263), ФЦП \glqq Фундаментальные исследования, Университеты России\grqq (грант N УР. 01.01.013) и ФЦП \glqq Фуллерены и атомные кластеры\grqq (грант N 541-02).

Проведен расчет статических и динамических характеристик флуктуаций смещения слоев в смектических-А пленках, закрепленных на поверхности твердой подложки, с учетом профилей модулей поперечного изгиба и растяжения (сжатия) смектических слоев. Учитываются различие ограничивающих поверхностей пленки и отсутствие симметрии в профилях упругих модулей относительно центрального слоя пленки. Определены профили флуктуаций смещения смектических слоев и корреляции между ними для пленок, образованных жидкокристаллическими соединениями с объемным фазовым переходом смектик-А--нематик. Рассчитаны динамические корреляционные функции для этих флуктуаций и с их помощью вычислены корреляции между интенсивностями рентгеновского излучения, рассеянного на пленке в разные моменты времени. Показано, что в отличие от свободно подвешенных смектических-А пленок в смектической-А пленке, закрепленной на поверхности твердой подложки, влияние температуры на динамику флуктуаций смещения слоев может быть обнаружено в экспериментах по динамическому рассеянию рентгеновского излучения на не очень толстых пленках (число слоев N~ 20) и при значительно меньших величинах составляющей импульса отдачи в плоскости пленки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32084).