Теоретически обсуждается механизм нарушения закона Аррениуса для скорости пластической деформации и появления платообразных участков на температурных зависимостях термоактивационных параметров при деформировании кристаллов в области низких (

На основе уравнений дислокационной кинетики теоретически обсуждаются эффекты сужения и ветвления винтовых полос скольжения при пластической деформации неоднородно легированных или неоднородно облученных (слоистых) кристаллов. Образование полос рассматривается как процесс самоорганизации дислокаций, идущий в дислокационном ансамбле на мезоуровне. Получены распределения плотностей подвижных и неподвижных дислокаций, а также локальной скорости пластической деформации в полосе скольжения, распространяющейся в слоистом кристалле. Найдено, что эффект сужения полос связан с более низкой скоростью расширения полос в жестких слоях, чем в мягких, неупрочненных легированием или облучением слоя, а эффект ветвления --- с более низкой локальной скоростью деформации в жестких слоях по сравнению со скоростью деформации, задаваемой деформирующим устройством, приходящейся на одну полосу скольжения. В последнем случае для восстановления баланса скоростей требуется зарождение новых полос или ветвление существующих.

Для выявления механизма формирования Кикучи-полос полная дифракционная картина Si(100), полученная регистрацией квазиупругорассеянных электронов с энергией 2 keV, сопоставлена с результатами модельных расчетов, выполненных в приближении однократного рассеяния для кластеров, построенных из разного числа плотноупакованных плоскостей (110). Показано, что формирование Кикучи-полос определяется двумя типами процессов рассеяния электронов в кристалле. Основной вклад в усиление интенсивности отражения электронов в пределах полосы вносит их фокусировка при движении вдоль многочисленных межатомных направлений, лежащих в плоскостях (110). Другим механизмом, ответственным за формирование резких краевых областей Кикучи-полос, является рассеяние электронов на ближайших соседних плоскостях. Специфический профиль Кикучи-полос предложено использовать для оценки формы и размеров кристаллитов легких элементов, образующихся на начальных стадиях роста островковых пленок.

Проведены исследования катодолюминесценции в кристаллах ZnSe, исходных и отожженных в расплаве Bi при температуре 1200 K в течение 120 h с последующей закалкой. В области длин волн 450-480 nm обнаружена новая серия Isi-nLO-mPl, состоящая из линии излучения связанных экситонов Isi с длиной волны lambda=455.9 nm и ее плазмонных и LO-фононных повторений Isi-LO (lambda1=461.3 nm), Isi-2LO (lambda2=466.8 nm), Isi-3LO (lambda3=472.4 nm) и Isi-4LO (lambda4=478.3 nm). Определено среднее число испущенных LO-фононов NLO=2.2± 0.1 на фотон. Показано, что наблюдаемая более тонкая структура полосы может быть обусловлена многоплазмонными оптическими переходами. При низких концентрациях плазмы (omegap<< omegaLO) кулоновское взаимодействие вызывает уширение серии Isi-nLO. В образцах с более плотной плазмой, у которых выполняется соотношение omegap=<q omegaLO, наблюдаются многоплазмонные сателлиты серии Isi-nLO-mPl. Теоретические расчеты формы полосы излучения согласуются с экспериментом.

Методом трансмиссионной электронной микроскопии исследована дислокационная структура деформированных кристаллов цинка. Показано, что полоса сдвига состоит из диполей и индивидуальных дислокационных петель. Установлена связь между внутренними напряжениями и соответствующей дислокационной структурой полос сдвига.

Наблюдалась зависимость формы линии краевой люминесценции гексагонального нитрида галлия от поляризации возбуждающего света. Эффект интерпретирован как результат существования микрообластей с различными направлениями деформации в плоскости, перпендикулярной оси шестого порядка. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 97-02-18088).

Проведены исследования катодолюминесценции кристаллов ZnSe, отожженных в расплаве Bi при температуре 1200 K в течении 120 h. Найдено, что в образцах с различной концентрацией электронов проводимости расстояние между сателлитами фононной структуры в сериях связанных экситонов Is1-nLO и Id1-nLO и относительная интенсивность сателлитов различны. Показано, что это различие обусловлено смешиванием фононов и плазмонов. Рассчитана форма спектра излучения связанных экситонов в кристаллах ZnSe в области 450-470 nm и получено удовлетворительное согласие с экспериментом.

В пористом кремнии (ПК) наблюдается несколько полос излучения, спектральное положение и интенсивность которых зависят от условий приготовления ПК, его обработки и последующей истории. Исследована полоса излучения ПК с максимумом около 1.8 eV, которую обычно относят к собственному излучению кремниевых нанокристаллов. Показано, что температурное изменение кинетики излучения в интервале 80-300 K имеет сложный характер и  заметно зависит от точки на контуре полосы. Температурные свойства затухания фотолюминесценции в полосе 1.8 eV определяются скоростью электронно-дырочной рекомбинации в пределах одного нанокристалла и каскадными переходами носителей заряда из малых нанокристаллов в большие с понижением энергии. Работа частично поддержана грантом Минобразования РФ Е 02-3.4-426.

Проведены исследования катодолюминесценции кристаллов ZnSe, выращенных из паровой фазы и отожженных в расплаве Bi [ZnSe(Bi)] при температуре 1200 K в течение 12 h, а также в расплаве висмута с добавлением Al [ZnSe(Bi,Al)]. LO-фононные реплики линий излучения свободных экситонов доминируют в спектрах катодолюминесценции образцов, отожженных в Bi с последующей закалкой. В излучении всех образцов, включая исходные, наблюдались серии линий Is,d1-nLO связанных экситонов. Найдено, что плазмонные повторения характерны не только для линий Is1-nLO. Слабое экситон-плазмонное взаимодействие проявляется в виде одноплазмонных стоксовских боковых полос линий Id1-nLO. Построена теория многоквантовых оптических переходов связанных экситонов с участием смешанных плазмон-фононных мод колебаний, позволяющая вычислить форм-функцию спектра излучения без использования модельных представлений. Теоретические расчеты согласуются с экспериментальными данными. PACS: 71.35.-y, 71.45.Gm

В инфракрасных спектрах поглощения полученного зонной плавкой кремния, подвергнутого циклической термообработке при 1250o C с быстрым охлаждением после каждого отжига и с частичным снятием термического окисла в каждом цикле, обнаружена необычная "полоса" поглощения с гигантской полушириной. Предложена модель, объясняющая наблюдаемые особенности спектра трансформацией в процессе термообработки нанопреципитатов примесей, содержащихся в исходном кремнии, и микроблочной структурой материала.