Изучено влияние нейтронного облучения (энергия E=2 МэВ, поток Phi=1013/ 1015 см-2) и последующих отжигов (температура отжига Ta=400/ 700oC, длительность 30 мин) кристаллов n-GaAs<Te,Cu> с исходной концентрацией носителей n0=2· 1018см-3 на интенсивность обусловленной атомами меди полосы люминесценции с положением максимума излучения hnum=1.01 эВ. Наблюдалось значительное увеличение интенсивности полосы в результате облучения. Это объясняется радиационно-стимулированным возрастанием концентрации излучающих центров (пар CuGaVAs) вследствие эффективного взаимодействия межузельных атомов меди с индуцированными облучением вакансиями галлия VGa, мышьяка VAs и дивакансиями VGaVAs.

Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов VGaSnGa и VGaSiGa в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна--Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной VGa, искаженной вследствие эффекта Яна--Теллера, для комплексов VGaSnGa и VGaSiGa меньше, чем для комплексов VGaTeAs. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в VGaTeAs больше, чем в VGaSnGa и VGaSiGa. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.

Показано, что между известным комплексом ближайших атомов изоэлектронной примеси азота в решетке легированного фосфида галлия (GaP : N), NN1 и комплексом ближайших вакансий в подрешетке азота в GaN имеется сильная аналогия. Дивакансия или ее комплексы с примесями могут обусловливать известную желтую полосу в спектрах люминесценции GaN.1

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Исследовано влияние лазерного отжига на фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x. Выдвинуто предположение о том, что отжиг приводит к выбиванию атомов Al и N из узлов и образованию центров свечения--- донорно-акцепторных пар AlSi--NC. В соответствии с этой моделью увеличение времени отжига сопровождается образованием донорно-акцепторных пар с наименьшими межатомными расстояниями за счет ассоциатов отдаленных друг от друга дефектов и, соответственно, к сдвигу соответствующей полосы фотолюминесценции в высокоэнергетическую область спектра.

Показано, что полоса фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te, связываемая с излучением комплексов VGaTeAs с переориентирующимися ян-теллеровскими дисторсиями, содержит также вклад непереориентирующихся дефектов. Параметры оптических диполей обоих типов дефектов близки. В предположении об их полном совпадении получены выражения, связывающие величины поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ, полученные при одноосном давлении и поляризованном резонансном возбуждении, с параметрами диполей, а также с относительным вкладом в излучение переориентирующихся и непереориентирующихся дефектов. Развита методика оценок этих характеристик из анализа экспериментальных данных и определено, что вклады дефектов каждого типа в полосу фотолюминесценции 1.2 эВ сравнимы, хотя и изменяются от образца к образцу. Полученные значения углов, характеризующих положение осей оптических диполей дефектов в поглощающем и излучающем свет состояниях, свидетельствуют, что в первом из них влияние донора и ян-теллеровской дисторсии на вакансионные орбитали комплекса VGaTeAs сравнимы, тогда как во втором--- влияние дисторсии доминирует.

Проанализирована при различных температурах (T=4.8-77 K) форма наблюдаемой в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия полосы фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией свободных электронов на мелких акцепторах--- атомах углерода. Показано, что при низких температурах она существенно отличается, а при высоких--- близка к ожидаемой теоретической для излучательных переходов <свободный электрон>--<изолированный мелкий акцептор>. Наблюдаемое различие экспериментальной и теоретической формы указанной полосы фотолюминесценции связано с уширением создаваемых углeродом акцепторных уровней (т. е. с образованием акцепторной примесной зоны) вследствие воздействия электрических полей беспорядочно расположенных ионизированных акцепторов и доноров на "изолированные" атомы углерода. Их совпадение связано с существенным возрастанием средней энергии свободных электронов (дозначений порядка и выше ширины акцепторной примесной зоны).

В полуизолирующих кристаллах GaAs проведено при4.2 K сравнительное изучение зависимостей интенсивностей полос люминесценции с положениями максимумов hnu m=1.5133, 1.5141 и1.5153 эВ от уровня возбуждения. Анализ наблюдаемых закономерностей (совпадение вида изучаемых зависимостей интенсивность люминесценции =<ftrightarrow уровень возбуждения) показал, что в полуизолирующем арсениде галлия полоса люминесценции сhnu m=1.5133 эВ при4.2 K обусловлена аннигиляцией экситонно-примесных комплексовD+X (экситоновX, связанных с мелкими ионизированными донорамиD+).

Обнаружено, что в монокристаллах Si1-xGex в процессе облучения быстрыми электронами образуются два типа центров: дивакансииV2, характерные для кремния, и V2*--- комплексы дивакансийV2 с атомами германия (V2Ge), а полоса поглощения вблизи 5560 см-1 является суперпозицией двух полос поглощения, соответствующих этим центрам. При изохронном отжиге диффундирующиеV2 взаимодействуют с атомами германия, приводя к дополнительному образованиюV2*. ЦентрыV*2 более термостабильны, чем V2, и температура их отжига повышается с увеличением содержания германия.

Рассмотрено влияние температуры на индуцированную давлением вдоль оси[111] поляризацию широкой полосы фотолюминесценции, связанной скомплексами VGaTeAs вGaAs : Te. Показано, что внекотором интервале температур вводимое давлением различие энергий активации термической эмиссии дырок для комплексов разной ориентации приводит крезкому увеличению интегральной поляризации излучения, вызванного рекомбинацией свободных электронов сдырками, локализованными на комплексах, по сравнению споляризацией этого излучения при более низкой температуре. Экспериметальные исследования при давлении10 кбар обнаружили подобное поведение поляризации вдиапазоне температур 140--190 K. Аппроксимация экспериментальных зависимостей расчетными кривыми показала применимость предложенной ранее модели совокупности дефектов, вызывающих рассматриваемую полосу люминесценции, атакже позволила уточнить их некоторые параметры иоценить изменение энергии активации термической эмиссии дырок сцентров разной ориентации под влиянием давления вдоль оси[111].