Вприближении малости отклонений осей излучающих оптических диполей комплексов VGaTeAs вGaAs от одного из направлений типа < 111> проанализирована форма спектра широкой бесструктурной полосы фотолюминесценции этих дефектов при давлении 10 кбар вдоль оси[111]. Для выявления расщепившихся компонент этой полосы, принадлежащих центрам разной ориентации, развита методика, использующая закономерности пьезоспектроскопического поведения анизотропных центров и применение измерений спектров вслучаях, когда электрический вектор световой волны параллелен и перпендикулярен оси давления. Подтверждена модель, принятая при анализе, и определено, что расщепление энергий центров разной ориентации при давлении 10 кбар примерно равно 38 мэВ, а относительная доля ротатора, описывающая вклассическом дипольном приближении поляризационные свойства света, излучаемого отдельным комплексом, составляет 0.15. Это свидетельствует осравнимости роли спин-орбитального и ян-теллеровского взаимодействий вформировании излучающего состояния комплекса.

Проведено легирование медью монокристаллических пленок ZnO высокого качества путем термической диффузии, и исследованы их люминесцентные свойства методом катодолюминесценции. Легирование медью приводит к увеличению интенсивности зеленой полосы спектра катодолюминесценции, положение максимума, ширина и форма которой при 78 и 300 K остаются неизменными. При 4.2 K в зеленой полосе катодолюминесценции легированных образцов регистрируется четко выраженная фононная структура с энергией фононов 72 мэВ, при этом фононные пики имеют триплетную тонкую структуру вместо обычно наблюдаемой дублетной. Это объясняется излучательной рекомбинацией образованных на атомах меди акцепторных экситонов, взаимодействующих с каждой из подзон валентной зоны ZnO. На основе анализа экспериментальных данных по катодолюминесценции пленок и результатов сравнительных исследований люминесценции и электронного парамагнитного резонанса в монокристаллах делается вывод о причастности обычно присутствующей в ZnO неконтролируемой примеси меди к формированию зеленой люминесценции в этом материале.

Сообщается о создании кристаллов на основе GaSb в виде ступенчатой пирамиды со сглаженными ступенями для изготовления светодиодов, в которых коротковолновая полоса излучения двухзарядного природного акцептора трансформируется в длинноволновую без потери количества излучаемых фотонов. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение отношения площади светодиодного кристалла к его объему увеличивает внешний квантовый выход фотонов и достигнута его величина 5.1% для природного акцептора вGaSb.

Исследовано влияние одноосного давления до 8 кбар вдоль кристаллографических направлений [111] и [001] на спектры и поляризацию широкой полосы фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов 1.2 эВ в n-GaAs : S, связываемой с захватом электронов на комплекс VGaSAs. Зависимости поляризации излучения в полосе от энергии фотонов и температуры свидетельствуют о том, что исходно тригональная симметрия комплекса понижена и может быть моноклинной с плоскостью симметрии {011}. При этом дисторсии комплекса не переориентируются, а ось его излучающего оптического диполя примерно одинаково отклонена от направлений <111> и <001>, лежащих в плоскости симметрии. Выделение расщепившихся при одноосном давлении компонент полосы фотолюминесценции, основанное на использовании закономерностей пьезоспектроскопического поведения излучения анизотропных центров, подтверждает предлагаемую модель комплекса и показывает, что вклад ротатора в его излучение мал. Результаты сопоставляются с данными для аналогичного комплекса VGaTeAs и свидетельствуют о существенном изменении свойств комплексов вакансия--мелкий донор при замене одного донора VIгруппы другим.

Обнаружено наличие неоднородного уширения синей полосы люминесценции специально не легированных пленок нитрида галлия, выращенных методом химических транспортных реакций на подложках сапфира ориентации(0001) и кремния ориентации(111). Проведенные исследования спектров свечения при различных условиях возбуждения пленок GaN позволили обнаружить при комнатной температуре в синей спектральной области их люминесценции 3элементарные полосы с максимумами2.65, 2.84 и3.01 эВ. Сделаны предположения о типе собственных и примесных дефектов, участвующих вформировании различных центров синего свечения вGaN.

Сообщается о новом процессе получения структур с вертикальными стенками в толстом слое макропористого кремния на подложке. Проблема фотолитографии решается путем создания рисунка с обратной стороны пластины. Врезультате кремниевая подложка сама служит маской, через которую удаляются определенные участки пористого слоя. Изготовлены узкие и высокие полоски макропористого кремния, ориентированные вдоль рядов макропор. Полученные структуры двумерного фотонного кристалла использовались для введения света в направлении, перпендикулярном оси каналов, и регистрации ИК спектров отражения.

-1 Проведено экспериментальное исследование одновременной генерации нескольких частотных полос стимулированного излучения в полупроводниковом лазере с тремя квантовыми ямами. Показано, что разные частоты могут генерироваться как в основных, так и в возбужденных поперечных модах волновода. Обнаружено, что возможна одновременная генерация стимулированного излучения в двух и трех частотных полосах. Исследованы зависимости мощности генерации в различных полосах от тока. Вполупроводниковом лазере, генерирующем две полосы излучения с энергетической разностью между пиками50 мэВ (длина волны lambda~ 25 мкм), с помощью широкополосного примесного фотоприемника Si : B зарегистрировано излучение в среднем инфракрасном диапазоне, которое предположительно связано с генерацией разностной гармоники.

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий--- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях(111) и(001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура,--- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji

Бурлакова М.а. Разработка алгоритма сегментации полос на изображении G-окрашенных хромосом // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.10 Конференция студентов и молодых ученых. Автоматика. Электроника, стр. 106-107

Ларкин А.и., Одинцев И.н., Скуланов Д.с., Щепинов В.п. Интерпретация голографических картин полос при определении трехмерных перемещений с помощью интерферометра "Конус" // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 34-35