Изучается начальная стадия самосогласованного захвата электронов в потенциальную яму, формирующуюся в ходе развития апериодической неустойчивости в диоде Пирса. Получена аналитическая оценка для порога по зазору deltath=dth/lambdaD (где lambdaD --- пучковая плазменная длина), выше которого начинается процесс захвата электронов в яму. С использованием численного метода (E,K-кода) подробно изучена нелинейная динамика и функция распределения захваченных электронов. Обнаружено, что захваченные частицы формируются в локализованной в пространстве сгусток с резкими фронтами, который \glqq болтается\grqq между электродами, вызывая колебания потенциала. Яма оказывается менее глубокой, чем в отсутствие захваченных электронов. Показано, что часть частиц из сгустка периодически уходит на электроды. В результате амплитуда колебаний потенциала постепенно уменьшается, а средняя глубина ямы увеличивается. PACS: 05.65.+b, 52.27.-h

Исследованы процессы фрагментации, сопровождающей потерю различного числа электронов молекулами бутана и изобутана (C4H10) при их столкновениях с налетающими ионами H+, He2+ и Ar6+ в keV-диапазоне энергий. Методом функционала электронной плотности (DFT) для молекул алканов CnH2n+2 и для их ионов CnH2n+2+ выполнены квантово-химические расчеты межатомных расстояний и полной энергии электронов при исходной геометрии ионизуемой молекулы и геометрии основного состояния иона, а также энергий разрыва межатомных связей при образовании различных ионов-фрагментов. Проведено сопоставление затрат энергии, необходимых для осуществления процессов фрагментации, с вероятностями этих процессов. Показано, что относительные сечения образования ионов-фрагментов в основном определяются соответствующими затратами энергии. Однако значительное влияние на сечение процессов оказывает исходная пространственная структура молекул-изомеров C4H10, а также количество разрываемых и возникающих новых межатомных связей при образовании каждого из ионов-фрагментов. PACS: 34.70.+e; 82.30,Fi

В модели потенциала нулевого радиуса исследованы многофононные (безызлучательные) переходы на связанные состояния в параболической квантовой яме (ПКЯ) в постоянном электрическом поле, вектор напряженности которого направлен перпендикулярно поверхности ПКЯ. Показано, что поперечники теплового захвата существенным образом зависят от величины и направления электрического поля, от положения примеси в размерно-ограниченных системах.

Получено непосредственное доказательство существования разорванных вихрей Абрикосова из измерений вида распределения и величины остаточных магнитных полей в пространстве керамических иттриевых ВТСП образцов после выключения транспортного тока. При этом усредненная по всему образцу межгранульная магнитная индукция имеет то же направление, что и поле, созданное до его выключения.

Теоретически изучен процесс распространения тепловых импульсов в системах с дефектами, являющимися центрами захвата неравновесных фононов. К таким дефектам относятся точечные дефекты, на которых реализуются двухуровневые системы (ДУС) различной природы. Показано, что при определенном соотношении между временами релаксации в подсистемах фононов и ДУС наряду с основным сигналом на болометре может появиться дополнительный сигнал, обусловленный переизлучением энергии неравновесных ДУС. Исследуются температурная и концентрационная зависимости времени прихода сигналов на болометр. Результаты теоретических исследований сравниваются с экспериментальными данными по распространению слабонеравновесных тепловых фононов в твердых растворах редкоземельных иттрий-алюминиевых гранатах Y3-xErxAl5O12. Работа поддержана Российским фондом фундаметальных исследований N0 (грант N 00-02-17426).

Испуская или поглощая фононы, электроны в полупроводнике захватываются полем заряженной примеси или ионизуются из захваченного состояния. Процесс захвата определяется изменением электронной функции распределения как в импульсном, так и в координатном пространстве. Вычисляется коэффициент захвата в тех условиях, когда он определяется диффузионным перераспределением электронной плотности в поле заряженной примеси. Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.

Вычислен коэффициент захвата горячих электронов на отталкивающие центры в условиях поперечного убегания. Учитывается зависимость вероятности захвата как от зоммерфельдовского множителя, так и ее экспоненциальная зависимость от энергии протуннелировавшего электрона. Показано, что последняя зависимость играет важную роль вблизи порога поперечного убегания горячих электронов, тогда как далеко от порога вероятность захвата по модели Бонч-Бруевича можно считать хорошей аппроксимацией.

Явно вычислен коэффициент захвата горячих электронов, отталкиваемых кулоновским центром, в условиях, когда функция распределения электронов имеет "иглообразный" вид, а эффективное сечение захвата наряду с зоммерфельдовским множителем экспотенциально зависит от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Получены критерии справедливости эффективного сечения Бонч-Бруевича.

В кристаллах CdxHg1-xTe n-типа измерены фотопроводимость и фотоэлектромагнитный эффект в условиях однооосной упругой деформации. Показано, что рост времени жизни носителей тока в низкотемпературном диапазоне (T

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd--p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd--n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни ловушек. Для структур Pd--p-CdTe важен полупроводниковый режим двойной инжекции с I~ V2. Серия глубоких уровней захвата, в том числе в интервале 0.75/ 0.83 эВ, ответственна за длительный процесс релаксации фотоэдс и темнового тока после импульса потока H2.