Проведен анализ многофононного термополевого захвата термически равновесных носителей заряда на глубокие центры, расположенные в обедненной области полупроводника. Показано, что в случае сильной электрон-фононной связи многофононный захват с предварительным туннелированием электрона под потенциальный барьер области обеднения происходит с меньшей скоростью, чем прямой многофононный захват в нейтральном объеме полупроводника, а в случае слабой электрон-фононной связи скорость захвата в обедненной области полупроводника может превысить скорость захвата в нейтральном объеме на несколько порядков. Результаты экспериментального исследования процессов захвата в легированном кремнием AlGaAs указывают на сильную электрон-фононную связь в DX-центрах.

Явно вычислен коэффициент захвата на отталкивающих кулоновских центрах в приближении квазиупругого рассеяния в скрещенных сильном электрическом и магнитном полях. Учтено, что вероятность захвата наряду с зоммерфельдовским множителем должна экспоненциально зависеть от энергии протуннелировавшего сквозь барьер электрона. Определено критическое электрическое поле в зависимости от магнитного поля и механизмов рассеяния, выше которого необходим учет указанной экспоненты. Для полей ниже критического справедлива аппроксимация Бонч-Бруевича.

На примере электронной ловушки с дискретным уровнем Ec-0.2 эВ в кристаллах gamma-La2S3 представлены измеренные методом термостимулированной люминесценции данные о новом явлении--- расширении в зону сечения захвата электрона. Величина эффекта достигает 4-хпорядков (10-23-10-19 см2). Предложена модель, согласно которой электронная ловушка Ec-0.2 эВ представляет собой донор в составе донорно-акцепторых пар, распределенных по межатомному расстоянию и локализованных в области отрицательно заряженной дислокации. Расширение в зону сечения захвата электрона--- результат разброса величины его модуляции в точках с различными значениями потенциала электрического поля дислокации.

Сообщается о результатах исследований с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней процессов эмиссии и захвата электронов квантовыми точками вp-n-гетероструктурах InGaAs/GaAs в зависимости от условий изохронного отжига при включенном/выключенном напряжении смещения (Ura

Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs сразличными концентрациями мелких акцепторов(С) идоноров(Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).

Есиков О.с., Протасов Е.а. Захват магнитного потока в тонких пленках ВТСП системы Y-Ba-Cu-O // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 191-192

Еванов А.а., Курнаев В.а., Левчук Д.в., Писарев А.а. Захват дейтерия ниобием при бомбардировке ионами электронвольтных энергий // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.3 Ядерная физика. Физика ускорителей заряженных частиц. Физика плазмы, стр. 165-167

Агафонов А.в. Накопление и захват интенсивных электронных пучков в системе со скрещенными полями // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 118-119

Бакалдин А.в. Численное моделирование захвата ионов космических лучей геомагнитным полем // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 54-55

Беграмбеков Л.б., Вергазов С.в., Усов В.м. Сравнительное изучение захвата водорода графитом и углеродсодержащим материалами // Научная сессия МИФИ-2001. т.4 Лазерная физика. Физика плазмы. Сверхпроводимость и физика наноструктур. Физика твердого тела. Оптическая обработка информации, стр. 88