В области низких температур экспериментально исследованы температурные зависимости постоянных решетки, теплоемкости и теплопроводности керамического AlN. Полученные данные сопоставлены с литературными, полученными для высокотемпературной области. Установлено наличие отрицательного коэффициента термического расширения (КТР).

Разработана технология получения изотопов кремния. Получены поликристаллические образцы изотопов 28Si, 29Si и 30Si с обогащением 99.95, 99.5 и 99.9% соответственно. Показано, что энергии оптических фононов изотопически чистых образцов демонстрируют ожидаемую зависимость от величины средней массы изотопа.

Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния 28Si собогащением99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия ирамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии ствердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si собогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.

Рассмотрены возможные структурные комплексы, образующиеся при высокотемпературном термическом окислении кремния впограничном слое всистеме Si--SiO2. На основании концепции пограничного слоя предложена математическая модель кинетики полимеризации кремний-кислородных кластеров. Отмечено влияние диффузионного потока этих кластеров на процентное содержание цепочек SiO4-тетраэдров разной длины вобъеме SiO2.

Исследовано влияние некоторых видов обработки сапфировой подложки на свойства слоев нитрида галлия, полученных методом металлорганической газофазной эпитаксии.

Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv

Если минеральные удобрения не по-карману.... Посевная этого года требует новых капитальных вложений в закупку минеральных удобрений. Но где взять деньги, когда еще не все деньги получены от продаж зерновых и урожая 2009 года? Банковские кредиты в этом году не реальные по процентным ставкам, займы под урожай будущего года – практически уже не совершаются из-за отсутствия кредиторов.

Проблема разработки озерных сапропелевых месторождений без сооружения складов-отстойников (карт намыва) с последующим «мгновенным» водоотделением (обезвоживанием) донных илов как никогда остро возникла при согласовании отторжения береговых территорий под технологический процесс и оплаты за них арендной платы. Кроме того, не все озерные месторождения имеют удовлетворительные подъездные пути непосредственно к берегу, а также их приемлемое для земляных работ состояние. Как правило, это заболоченные труднопроходимые для техники места.