Методом оптической спектроскопии с пространственно-временным разрешением исследованы спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения и быстро затухающего свечения в кристалле BaF2 при воздействии импульса ускоренных электронов наносекундной длительности. Обнаружено пространственно неоднородное создание первичных продуктов радиолиза и установлена взаимосвязь этих процессов с исходными свойствами кристалла BaF2.

В рамках кластерной модели проведены модельные микроскопические расчеты матричного элемента дипольного момента, определяющего вероятность перехода электрона в процессе фотоэмиссии с одноэлектронной орбитали симметрии gammamu в свободное состояние. Проведен анализ эффектов матричного элемента --- угловой и поляризационной зависимостей --- в спектрах фотоэмиссии углового разрешения диэлектрических купратов типа Sr2CuO2Cl2 и Ca2CuO2Cl2 в предположении хорошо изолированного основного состояния двухдырочного кластера CuO5-4 --- синглета Жанга--Райса. Угловая k-зависимость матричного элемента приводит к эффектам типа "остаточной Ферми-поверхности", характерным для металлических систем. Анализ экспериментальных данных указывает на существование вблизи синглета Жанга-Райса электронного состояния другой симметрии. Работа выполнена частично благодаря поддержке гранта REC-005 CRDF и гранта Министерства образования РФ N 97-0-7.3-130.

С использованием техники время-разрешенной оптической и люминесцентной вакуумной ультрафиолетовой спектроскопии изучены низкотемпературные спектры и кинетика затухания люминесценции (2.5-10 eV, 1-500 ns) при селективном фотовозбуждении, а также спектры возбуждения люминесценции и отражения (8-35 eV) кристаллов BeO с ориентацией оптической оси параллельно и перпендикулярно электрическому вектору возбуждающего поляризованного синхротронного излучения. Установлено многообразие каналов излучательной релаксации электронных возбуждений, выявлена различная мультиплетность возбужденных состояний автолокализованных экситонов в зависимости от энергии возбуждения и ориентации образцов. Настоящее исследование поддержано грантами Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-16206), Министерства образования РФ (N 992886) и Немецкого исследовательского общества (Deutsche Forschungsgemeinschaft --- DFG, грант ZI-159 / 4-1).

Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметров глубоких уровней (энергии ионизации, сечения захвата). Предложено несколько способов более точного определения указанных параметров и приведен численный пример такой обработки спектров DLTS.

Приведены результаты исследования низкотемпературной время-разрешенной фотолюминесценции в структурах In0.2Ga0.8N/GaN, нелегированных и легированных кремнием, содержащих 12квантовых ям шириной60 Angstrem, разделенных барьерами шириной60 Angstrem, выращенных методомMOCVD на сапфировых подложках. Наблюдаемые свойства фотолюминесценции: высокоэнергетический сдвиг максимума с ростом интенсивности накачки, низкоэнергетический сдвиг с возрастанием времени задержки, степенной закон затухания фотолюминесценции типаt-gamma--- объяснены проявлением двумерной донорно-акцепторной рекомбинации. Приведены оценки суммарной энергии связи донорного и акцепторного центров, которая составляет340 и250 мэВ соответственно для легированных кремнием и нелегированных квантовых ям. Обсуждается роль мозаичной структуры, типичной для III-нитридов гексагональной модификации, как фактора, способствующего образованию донорно-акцепторных пар.

Изучена низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция поликристаллических слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на металлических подложках (Mo и Ta). Наблюдавшиеся спектры фотолюминесценции содержат в ультрафиолетовой области спектра две полосы излучения, одну из которых мы относим к рекомбинационным процессам внутри кубических нанокристаллитов, образующихся в гексагональной поликристаллической матрице нитрида галлия. Рекомбинационное излучение кубических нанокристаллитов усиливается благодаря преимущественному захвату неравновесных электронно-дырочных пар в эти кристаллиты.

Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =<q 500oC, доминируют обусловленные эрбием узкие линии, полная ширина которых на половине интенсивности не превышает9 см-1. При этом наблюдаются по крайней мере два разных центра, содержащих ионы Er3+ и примеси углерода. При дальнейшем повышении температуры эпитаксиального роста доминируют широкие линии (>=q 40 см-1), принадлежащие ионам Er3+ в SiOx-преципитатах. Зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции Er-зависимых центров от температуры молекулярно-лучевого эпитаксиального роста представляет собой кривую с максимумом при 500oC.

Проведено моделирование полного торможения alpha-частицы в SiC методом Монте-Карло и получена гистограмма затрат энергии в актах ядерного рассеяния. Спектр имеет характерную асимметричную форму и ширину линии на половине высоты FWHMnucl~ 4.62 кэВ. Конечная форма спектральной линии получена сверткой с гауссианом, описывающим вклад флуктуаций ионизации и шумов (детектора и аппаратуры). Результирующая величина FWHM линии составила 8.75 кэВ (при дисперсии шума 1.7 кэВ). Достигнутое на практике разрешение детекторов оказывается в 2 раза худшим расчетной величины. Установлено, что потери заряда при переносе в объеме детектора незначительны и расхождение следует отнести к неоптимальной конструкции \glqq входного окна\grqq.

Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппаратурных линий. Проведен анализ экспериментальных данных на основе диффузионной модели туннельных детекторов. PACS: 29.40.Wk, 74.45.+c, 74.78.Fk

Тимашков Д. Анализ сечения неупругого рассеяния мюона на протоне во всей разрешенной кинематической области // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 143-147