Исследован эффект просветления слоя жидкости коротким лазерным импульсом длительностью порядка микросекунды. В главном приближении предполагается линейная зависимость индексов преломления и поглощения от плотности жидкости. Установлены параметры подобия, изучены характеристики канала просветления при изменении параметра тепловыделения и числа Эйлера, дана интерпретация в физических переменных.

Представлены результаты по определению динамики плазменного канала, созданного сильноточным электронным пучком (энергия электронов Ee=1.1·106 eV, ток пучка Ib=2.4·104 A, длительность импульса t=60·10-9 s) в газах: гелий (He), азот (N2), неон (Ne), воздух (Air), аргон (Ar), криптон (Kr), ксенон (Xe), влажный воздух (Air : H2O) при давлении от 1 до 760 Torr. Экспериментально подтверждено, что в газах, имеющих малое значение отношения частоты столкновений nu к скорости ионизации газа ui, электронный пучок формирует широкий плазменный канал высокой проводимости Rb/Rp

Приведены результаты экспериментов по воздействию частиц на пленочные МДМ-структуры (металл-диэлектрик-металл) с помощью электростатического ускорителя. Проведено дальнейшее исследование эффекта стационарного свечения ударносжатого проводящего канала. Рассчитана температура ударносжатого канала, получены ионные спектры масс материалов и сквозная проводимость МДМ-структуры. Показаны перспективы использования результатов в различных областях техники. PACS: 81.05.-t

Экспериментально установлен аномальный характер температурной зависимости магнитосопротивления (МС) мультислойных пленок Co / Cu с толщиной магнитной прослойки ~3 Angstrem. Показано, что температура максимума МС Tmax соответствует температуре Нееля. Изменение Tmax в зависимости от толщины прослойки Cu имеет осциллирующий характер. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17816).

Исследованы транспортные свойства одиночных гетероструктур IIтипа p-GaInAsSb/p-InAs и параметры электронного канала в зависимости от уровня легирования акцепторами четверного эпитаксиального слоя GaInAsSb. Обнаружено резкое падение подвижности в электронном канале на гетерогранице при сильном легировании твердого раствора, что может быть связано с переходом от полуметаллической проводимости к полупроводниковой и обусловлено сужением электронного канала и сильной локализацией электронов в ямах потенциального рельефа на интерфейсе.

Предложена новая модель расчета характеристик глубоко-субмикрометровых полевых транзисторов современной микроэлектроники. Вней сочетаются традиционно упрощенное квазиодномерное представление о характере распределения электрических полей в канале транзистора (приближение плавного канала и заряженных слоев) и продвинутое квазигидродинамическое описание высокополевого электронного дрейфа (уравнение энергетического баланса), адекватное ситуациям с высокими градиентами температуры электронного газа. Представлены развернутая математическая формулировка модели, метод ее численной реализации, расчетные вольт-амперные характеристики тестовых транзисторных структур, физический анализ электрических свойств глубоко-субмикрометровых транзисторов с учетом особенностей распределения концентраций подвижного заряда, электрических полей и температуры в канале транзистора.

При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Изанализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвораVg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до~ 1 мкм. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b

Цветков В.и., Гозенбук В.л., Хохлов В.ф., Зайцев К.н. Исследование возможности использования излучения канала ГЭК-4 реактора ИРТ МИФИ для целей нейтрон-захватной терапии // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.1 Экология и рациональное природопользование. Биофизика, медицинская физика и техника. Экономика и управление. Актуальные проблемы гуманитарных наук. Роль естественно-научных дисциплин при подготовке инженеров по наукоемким направлениям, стр. 71-72

Артемьев А.н., Бушуев И.н., Колясников В.а., Ковачев Г.а., Латыш О.э., Мартыненко В.в., Моряков В.п., Одинцов Д.г., Передков С.с., Рахимбабаев Т.я., Станкевич В.г., Никитин Б.и., Шмидт М., Шмидт А. Канал вывода СИ и станция для глубокой рентгеновской литографии на курчатовском источнике СИ. Первые результаты // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 217-218

Загребаев А.м., Резников С.в. Разработка математического обеспечения для контроля теплотехнических параметров канала РБМК по сигналам системы КГО // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 51-52