Показано, что нелокализуемость состояний в квантовой теории поля приводит к неизбежности учета тождественности частиц. Данное обстоятельство, вместе с конечной предельной скоростью, приводит к тому, что формулы для пропускной способности нерелятивистских каналов связи имеют асимптотический характер (справедливы формально лишь при бесконечной раздвижке между посылками, когда тождественностью частиц можно пренебречь, и соответственно бесконечно медленной скоростью передачи во времени~-- бит/сcdotпосылка). Получена величина пропускной способности последовательного релятивистского квантового канала связи с учетом тождественности частиц и в реальном времени.

На примере протокола B92 с учетом реального затухания и сбоя фазы сигнальных когерентных состояний в одномодовом оптоволокне получена простая оценка критической длины квантового канала связи, до которой возможно секретное распространение ключа.

На основе интегралов движения для коллективных процессов найден метод построения физических схем, в которых состояние одной из подсистем нечувствительно к взаимодействию. В качестве примера рассмотрены варианты квантовых каналов, свободных от декогеренции, которые позволяют перенести произвольное, в том числе фоковское, состояние света через поглощающую среду.

The interaction of a jet of liquid, flowing out from a plane channel, with an infinite porous screen A precise solution of the problem of the interaction of a stationary plane jet of ideal incompressible liquid limited by the width, flowing out from a channel, with an infinite porous plane, possessing the absolute directing effect, is obtained. The law of leaking is assumed to be linear. The problem is reduced to the construction of the parametrically specified conformal mapping from the plane of the flow to the plane of the velocity hodograph. It is shown that always, except the special case of absolute permeability, side by side with the leaking, the non-limited spreading of the jet before the screen takes place. The influence of the problem's parameters (the distance between the channel and the screen, the degree of permeability) on the velocity distribution behind the porous plane and on the coefficient of the normal force, acting on this plane, is investigated 

Исследовалась возможность использования ионизационно-неустойчивой плазмы чистых инертных газов в качестве перспективного рабочего вещества МГД генератора закрытого цикла. Эксперимент проводился в модели дискового холловского МГД канала. Поток ионизованного газа создавался в ударной трубе. В качестве рабочего газа использовался ксенон. В эксперименте измерялись давление газа, скорость потока, концентрация и температура электронов, плотность азимутального тока, распределение потенциала в канале и величины приэлектродного падения напряжения. Снимались вольт-амперные характеристики при различных значениях магнитного поля и сопротивлениях нагрузки. Результаты эксперимента показали, что в ионизационно-неустойчивой плазме инертных газов без присадки щелочного металла эффективная проводимость в холловском канале существенно увеличивается при увеличении степени закритичности магнитного поля, величина снимаемой максимальной удельной мощности при этом растет быстрее, чем удельная мощность, рассчитанная в предположении "замороженной" ионизации.

Эксперимент направлен на поиски путей повышения эффективной проводимости в неравновесных МГД каналах. В качестве рабочего вещества используется инертный газ без присадки щелочного металла. Эксперимент проводился в дисковом МГД канале с радиальным расширением газа и осевым магнитным полем, сопряженным с ударной трубой. В сектор дискового канала помещается вставка с электродами, к которым подключается нагрузка для снятия мощности во внешнюю цепь. В эксперименте снимались вольт-амперные характеристики и регистрировалась структура светящихся неоднородностей. Результаты эксперимента показали, что при развитии ионизационной неустойчивости эффективная проводимость плазмы увеличивается при увеличении магнитной индукции, снимаемая плотность мощности при полях больше критических оказалась примерно на 30% выше, чем рассчитанная в приближении постоянства проводимости.

Исследовано влияние собственного магнитного поля релятивистского электронного пучка, распространяющегося в режиме ионной фокусировки, на поперечную динамику плазменных электронов. Для гауссовских радиальных профилей концентрации частиц пучка и ионного канала найдена максимальная амплитуда отклонения плазменных электронов в зависимости от коэффициента зарядовой нейтрализации, отношения характерного радиуса пучка к радиусу ионного канала и полного тока пучка.

В эксперименте исследовалось развитие ионизационной неустойчивости в модели дискового фарадеевского МГД канала, сопряженного с ударной трубой, в чистом инертном газе (ксеноне) без щелочной присадки. Определена связь локальных параметров ионизационно неустойчивой плазмы с интегральными характеристиками в неравновесных МГД каналах. Изучен механизм усиления возмущений и увеличения эффективной проводимости. Делается вывод о том, что основная причина этого явления заключается в особенностях трехчастичной рекомбинации инертных газов.

Теоретически и экспериментально исследовано поведение электрической дуги в магнитном поле. Установлено, что поведение электрической дуги может определяться пондеромоторным взаимодействием дуги с токонесущими элементами, а в неоднородном магнитном поле --- токами Холла и диамагнетизмом ее плазмы. Показана возможность управления положением канала дугового разряда, горящего между торцами цилиндрических электродов с помощью неоднородных магнитных полей. Рассмотренные авторами методы и устройства позволяют, в частности, управлять электродуговыми источниками тепла при термической обработке металлов.

Приведен расчет длительности стадии формирования разрядного канала для диэлектриков толщиной 0.01-0.5 mm с использованием терминов лавинно-стримерной теории электрического пробоя. Предполагается, что в этой стадии статистическое время запаздывания --- это время от момента, когда испытательное напряжение достигло уровня пробивного, до момента возникновения стримера, а время формирования  --- от момента возникновения стримера до момента замыкания электродов каналом разряда.