Впервые применены наноразмерные (~20 nm) пленки для электронно-перестраиваемого микрополоскового СВЧ-устройства. Экспериментально показано, что при изменении управляющего напряжения смещения в пределах от 0 до 15 V собственная добротность микрополоскового резонатора превышает величину 100, которая изменяется незначительно при перестройке резонансной частоты 2.6 в полосе 0.3 GHz. PACS: 84.40.-x, 81.07.-b

С использованием прецизионной вакуумной адиабатической калориметрии показано, что теплоемкость модельного сегнетоэлектрического кристалла ТГС не позволяет выявить предсказываемую теорией логарифмическую особенность выше температуры фазового перехода. Расхождение с имеющимися в литературе данными динамических измерений теплоемкости обсуждается с учетом максимально достижимой в статическом адиабатическом эксперименте точности измерений теплоемкости (0.3%).

Определены условия (зоны) параметрического возбуждения изгибных колебаний доменной границы (ДГ), движущейся под действием постоянного магнитного поля, которое превышает критическое значение Уокера (в прецессионном режиме). Колебания возбуждаются распадом однородной прецессии трансляционной моды, вызываемой магнитным полем. Численными методами показана возможность существования установившихся колебаний большой амплитуды, а также их значительное влияние на среднюю скорость ДГ.

Легированные эрбием пленки a-Si : H получены магнетронным распылением мишени Si--Er при температуре осаждения 200oC. Затем проведен кумулятивный термический отжиг. После отжига при 300oC в течение 15 мин в атмосфере азота обнаружено резкое возрастание (в ~50раз) интенсивности фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм. При температуре отжига <=500oC сигнал фотолюминесценции спадал практически до нуля. Влияние процессов термического отжига обсуждается в рамках модели частичной перестройки структурной сетки аморфных пленок a-Si(Er) : H.

Предложена модель токопереноса в диодах с барьером Шоттки, использующая представление о баллистическом переносе электронов через тонкую базу. Для нахождения коэффициентов прохождения при расчете прямых и обратных вольт-амперных характеристик, а также времени прохождения применялся метод матрицы переноса. Показано, что учет полной формы потенциала приводит к хорошему согласию экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик. Обнаружено, что учет влияния тонкой базы приводит к понижению тока. Получено, что коэффициент прохождения через n-базу диода может быть близок к 1. Показано наличие большого числа локальных резонансов для коэффициента прохождения и немонотонная зависимость времени прохождения от энергии, обусловленные влиянием области базы. Проведены оценки частотного предела работы диодов. Предел быстродействия оказался в 10--100раз выше оценки, проведенной с использованием классических представлений.

Продемонстрированы необычные особенности остаточной фотопроводимости в квантовой структуре InAs/AlSb, снабженной обратным затвором. Отрицательная остаточная фотопроводимость позволила уменьшить концентрацию электронов на один полный порядок величины от6· 1011 см-2. Это наибольшее изменение концентрации электронов для данного эффекта. Вдополнение к сильной остаточной отрицательной фотопроводимости наблюдалась бистабильность релаксации сопротивления структуры при ее освещении квантами из видимой области спектра. Данные явления приписаны влиянию тонкой пленки германия, осажденной на поверхность структуры перед фотолитографией и формирующей область накопления дырок в слое GaSb из последовательности расположенных над квантовой ямой слоев Ge/GaSb/AlSb. Инфракрасное излучение инициирует биения осцилляций Шубникова-де-Гааза в области низких магнитных полей. Мы считаем, что эти биения обусловлены спиновым расщеплением в нулевом магнитном поле за счет асимметрии потенциального профиля квантовой ямы, индуцированной длительным освещением структуры.

Методом резонансной фотолюминесценции и спектроскопии возбуждения фотолюминесценции изучены самоорганизованные квантовые точки в двухслойных структурах InAs / GaAs. Слабо коррелированная (50%) двухслойная система с набором вертикально связанных квантовых точек (асимметричных квантовых молекул) создана в структуре, состоящей из первого слоя InAs толщиной dInAs=1.8 монослоя и второго слоя InAs толщиной dInAs=2.4 монослоя, разделенных слоем GaAs толщиной dGaAs=50 монослоев. Втакой системе изучена последовательность дискретных квантовых состояний и впервые отчетливо зарегистрированы резонансы, отвечающие вертикально связанным квантовым точкам. PACS: 68.66.Hb, 78.67.Hc

Визгалов И.в., Кирнев Г.с., Курнаев В.а., Сарычев Д.в. Влияние эмиссионных свойств поверхности на устойчивость дебаевских слоев при лазменно-поверхностном взаимодействии // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 104-106

Сорокин А.а., Демченко Н.н. Расчет тепловых и гидродинамических процессов в объемно-структурированных мишенях, облучаемых лазером // Научная сессия МИФИ-1998. Т.8 Конференция студентов и молодых ученых. Физические науки, стр. 106-108

Мартиросов А.к. Устойчивость решений многокритериальных задач в интерактивных методах // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 106-108