Проведены исследования самоорганизующихся поверхностных структур InP, образующихся при распылении монохроматичными пучками ионов аргона с энергией от 0.1 до 15 keV. Показано, что обработка аргоновыми пучками поверхности InP может приводить к образованию морфологий "грасс" или "конус в лунке". Для объяснения формирования рельефа предложена качественная модель, включающая процессы распыления, каскадного перемешивания и поверхностного транспорта. Предложенная модель предсказывает правильный характер зависимости плотности и размеров морфологических элементов от флюенса. Кроме того, модель позволяет объяснить возникновение граничных условий образования морфологий "грасс" и "конус/группа конусов в лунке", а также влияние на них (граничные условия) температуры мишени. Показано, что наличие границ областей травления может приводить к возникновению частичной анизотропии в структуре морфологии. В частности, применение регулярных полосчатых масок при травлении позволяет сформировать морфологию со структурой текстурного типа.

Проведено исследование теплоообмена сферического малотеплоемного тела из тугоплавкого (вольфрам) и легкоплавкого (алюминий) материалов с плазмой "воздуха" в условиях, при которых тело может проявлять свойства как термически тонкого, так и термически толстого тела. Параметры невозмущенной плазмы: температура 5000--20 000 K, давление до 1 atm. Размер тел-частиц --- 10 mum--1 cm. Исследуемая модель включает возможность фазовых переходов при плавлении и кипении. Показано, что в случае частиц из тугоплавкого материала с ростом времени соответствующим подбором физических условий может быть сформировано стационарное их тепловое состояние, причем в различном агрегатном состоянии частиц. Это может быть использовано, в частности, в технологии плазменного напыления тугоплавких покрытий, которая требует предварительного "приготовления" однородного по объему теплового состояния напыляемых макрочастиц, претерпевших фазовый переход металл--жидкость.

Методами инфракрасной абсорбционной спектроскопии, резонансной многофотонной ионизации и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии исследовано фотоиндуцированное поведение в системах, образующихся при адсорбции молекул NO и CO на поверхности Pt(111), Ni(111) и  сплава Pt(111)-Ge, при энергии фотонов от 2.3 до 6.4 eV. Характер фотопроцесса зависит от типа адсорбционной системы. На поверхности Pt(111) молекулы NO в зависимости от покрытия либо диссоциируют, либо десорбируются, в то время как на поверхности Ni(111) наблюдается только диссоциация. На поверхности Pt(111)-Ge, наоборот, имеет место только фотодесорбция молекул. Воздействие фотонов на системы CO/Pt(111), Pt(111)-Ge приводит к десорбции молекул CO, адсорбированных по линейной схеме, в то время как свойства молекул, находящихся в мостиковых центрах адсорбции, не претерпевают заметных изменений. Предложена модель фотоиндуцированных процессов, согласно которой решающую роль в реализации того или иного процесса играет время жизни возбужденного состояния, вызванного переносом заряда между валентной зоной металла и разрыхляющей 2pi-орбиталью молекулы.

Изучены коллективные процессы в пространственном заряде микросекундных релятивистских электронных пучков с магнитной изоляцией. Определены пространственно-временные характеристики низкочастотной и высокочастотной ветвей колебаний и изучено воздействие на колебания такого типа магнитной компрессии пучков вблизи катода. Выявлен основной источник низкочастотных колебаний --- коллективные движения пространственного заряда, развивающиеся в скрещенных электрическом и магнитном полях вблизи катода. Получены данные, свидетельствующие о том, что основной причиной высокочастотных колебаний является развитие двухпотоковой неустойчивости в пучке. Обнаружена возможность подавления низкочастотных и высокочастотных колебаний с помощью компрессии релятивистских электронных пучков вблизи катода и объяснен механизм воздействия неоднородных магнитных полей с учетом их влияниях на движение катодной плазмы.

Рассмотрена общая методика численного расчета параметров поверхностных и псевдоповерхностных электроакустических волн, распространяющихся в многослойных пьезокристаллических структурах. Приводятся конкретные результаты, иллюстрирующие возможность оптимизации параметров волны за счет использования различных материалов слоев и пьезокристаллических подложек.

Рассматривается оригинальная методика определения остаточных напряжений с помощью зондирующих отверстий и измерений разности порядков голографичесих интерференционных полос для двух множеств пар точек, выбираемых на главных осях деформаций. Оптическая схема интерферометра, основана на использовании отражательных голограмм. Величины главных остаточных напряжений определяются при решении переопределенной системы линейных уравнений. При этом учитывается влияние на картину полос жестких смещений тела как целого. Приводятся результаты экспериментальной проверки методики при регистрации упругих напряжений на образцах в условиях одноосного и двухосного напряженных состояний.

В условиях сверхвысокого вакуума методами отражательной инфракрасной абсорбционной спектроскопии (ИКС) и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (УФЭС) исследованы изменения свойств упорядоченных пленок Ni на поверхности кристалла W (110) при увеличении их толщины от одного до трех моноатомных слоев. Структура пленок соответствует структуре грани (111) кристалла Ni. Метод ИКС применен для исследования колебательных свойств тестовых молекул NO, адсорбированных на поверхности формируемых пленок Ni. В процессе роста толщины пленки происходит весьма заметное видоизменение колебательных и фотоэмиссионных спектров, что указывает на изменение адсорбционных и электронных свойств пленки при увеличении ее толщины от одного до трех моноатомных слоев. Стабилизация ИК и фотоэлектронных спектров при толщине пленки, соответствующей трем моноатомным слоям, позволяет предположить, что завершение формирования основных адсорбционных и электронных свойств пленки происходит при этой толщине пленки. Наряду с этим молекулы NO, адсорбированные на моноатомной пленке, проявляют колебательные особенности, характерные при адсорбции на поверхности массивного кристалла W [110].

Исследуются особенности акустооптической раман-натовской дифракции в кристалле парателлурита в условиях стоячей акустической волны. Звукопровод выполнен в виде отполированного куба и является высокодобротным акустическим резонатором. Медленная сдвиговая волна возбуждается единственным пьезопреобразователем. Многократное отражение звука без потерь акустической энергии приводит к двухкоординатному рассеянию света. При интенсивности вводимого в кристалл звука порядка 2 W/cm2 с частотой 7 MHz возникает дифракционная картина в виде однородного светового пятна с телесным углом около 0.5 sr. Дается интерпретация наблюдаемым особенностям АО взаимодействия. Показано, что данный тип дифракции может быть использован для создания акустооптического двухкоординатного рассеивателя светового пучка.

Выявлен нелинейный механизм влияния широкополосных флуктуаций на колебания в томсоновском автогенераторе. Впервые получена корреляционная функция колебаний, учитывающая все существенные эффекты второго приближения. Разработан новый метод анализа стационарных синхронных колебаний в генераторе, входящем в систему фазовой синхронизации, и впервые получены линеаризованные уравнения стационарных синхронных колебаний, учитывающие влияние широкополосного шума. Дан пример расчета сложной системы фазовой синхронизации, иллюстрирующий возможность синтеза высокоэффективных систем с помощью предложенных методов анализа. Получены оценки коэффициентов диффузии фазы.

Представлены результаты экспериментального исследования формирования сфокусированного электронного пучка при отборе электронов из плазмы стационарного разряда с полым катодом в форвакуумной области давлений. На основании измерений энергетического спектра и диаметра электронного пучка, а также параметров и спектров излучения плазмы, возникающей при взаимодействии пучка с газом, сделан вывод о возникновении пучково-плазменного разряда, вызывающего ухудшение условий фокусировки пучка. Минимальная плотность тока в пучке, при которой появляется пучково-плазменный разряд, возрастает как с подъемом ускоряющего напряжения, так и с увеличением давления газа. PACS: 41.75.Fr