Горбунов А.А., Гулин М.А., Долгов А.Н., Николаев О.В., Савелов А.С.. Прямая регистрация потока надтепловых электронов из плазмы микропинчевого разряда // Письма в ЖЭТФ, том 50, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Долгов А.Д.. Гравитационный диполь // Письма в ЖЭТФ, том 51, вып. 7, http://www.jetpletters.ac.ru

Сообщается о наблюдении рекордно долгих времен спиновой памяти электронов в GaAs. С помощью метода оптической ориентации установлено, что время спиновой релаксации электронов, локализованных на мелких донорах в арсениде галлия n-типа (Nd-NA1014 см-3), составляет 290pm30 нс при температуре 4.2 К. Обменное взаимодействие квазисвободных электронов с электронами на донорах подавляет основной канал потери спина локализованных на донорах электронов~-- спиновую релаксацию за счет их сверхтонкого взаимодействия с ядрами решетки.

Исследуется устойчивость антисимметрических периодических решений дифференциальных уравнений с запаздыванием. Вводится однопараметрическое семейство периодических решений специальной системы обыкновенных дифференциальных уравнений с переменным периодом. Условия устойчивости антисимметрического периодического решения дифференциального уравнения с запаздыванием формулируется в терминах функции этого периода.

В статье на основе понимания социума как системной целостности, авторской методики социально-политического мониторинга и прогнозирования, в конкретной проблемной ситуации, связанной со строительством мечети в г. Мурманске, иллюстрируется потенциал разработанной методики на примере результатов исследований общественного мнения северян, выполненных под руководством авторов Мурманским социологическим научно-исследовательским центром "РАЗУМ" в 1999 г. по теме "Мечеть".

Предложено простое устройство для сканирования и запоминания изображения на основе слоистой полупроводниковой структуры. Считывание при сканировании и запоминании производится лазерным лучом. Видеосигналом при считывании является фотоэдс, генерируемая структурой. Приведены простые эксперименты, демонстрирующие работоспособность предлагаемой структуры как видикона и запоминающего устройства, способного сохранять информацию по крайней мере 2 h. Приведена физическая интерпретация наблюдаемых эффектов.

В интервале температур 10--40 K исследованы спектры фотолюминесценции гетероструктур, содержащих короткопериодные GaAs/AlAs-сверхрешетки типа II, выращенные как в режиме выглаживания, так и без выглаживания гетерограниц. Количественный анализ экспериментальных данных показал, что в большинстве случаев тушение экситонной люминесценции характеризуется единым значением энергии активации E2=8±1 meV, совпадающим с величиной энергии связи X-Gamma-экситонов. Сделан вывод о том, что основной причиной тушения в исследуемом температурном интервале является термический разрыв экситона на пару свободных носителей, делокализация которых сопровождается безызлучательной рекомбинацией на ловушках. Обнаружено, что выглаживание гетерограниц приводит к увеличению вероятности тушения в среднем на 1--2 десятичных порядка.

Методом ИК-отражения в средней и дальней ИК-областях исследованы оптические свойства близких по составу квазикристаллических и для сравнения кристаллических пленок системы Al--Cu--Fe. Исследовались пленки толщиной 0.1-0.3 mum на сапфировых подложках. По экспериментальным данным рассчитана комплексная диэлектрическая проницаемость пленок. Обнаружено, что если для кристаллических пленок действительная часть диэлектрической проницаемости отрицательна, то для квазикристаллических пленок она положительна и слабо зависит от частоты, за исключением области вблизи 245 cm-1. Оптическая проводимость квазикристаллических пленок характеризуется отсутствием пика Друде, имеющегося в кристаллических пленках, и наличием пика при 245 cm-1, связанного, по-видимому, с возбуждением оптических фононов и отсутствующего в кристаллических пленках. Работа выполнена в рамках государственного контракта N 02.434.11.2011. PACS: 78.20.Ci, 78.66.Bz

Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 06-02-17157-a), Министерства науки и образования РФ (грант N РНП.2.1.1.362), а также Международного научного технического центра ISTC (грант N 2679). PACS: 71.35.-y, 73.61.Ey, 78.66.Fd

На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 1018 см-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.