Изучено взаимодействие атомов Sm с поверхностью Si(111). Исследования проводились методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов в широкой области температур кремния (от комнатной до 1140 K), при которых самарий наносился на поверхность образцов. Интервал покрытий охватывал значения от 0 до 55 монослоев. Показано, что форма низкоэнергетического Оже-спектра самария зависит от степени покрытия, а ее изменение коррелирует с изменением валентности атомов Sm. Установлено, что при осаждении самария на кремний при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются и что на начальных этапах этого процесса происходит частичное перемешивание атомов металла и полупроводника. Когда самарий наносится на подогретый кремний (900 и 1140 K), то вначале образуется адсорбированная пленка (переходный слой), структура которой определяется степенью покрытия и температурой, а затем на переходном слое начинают расти трехмерные кристаллиты силицидов. Их форма зависит от температуры подложки. Этой зависимостью обусловлена связь между температурой и покрытием, при котором происходит коалесценция кристаллитов.

Получены оценки различных составляющих упругой деформации в поверхностном слое Ge(111) при изотропном латеральном растяжении. Их совпадение с обратимыми составляющими разуплотнения поверхности, полученными по энергетическим сдвигам объемного и поверхностного плазменного пиков, позволяет сделать заключение об упругом характере последних. Высказано предположение о том, что аномально высокое значение деформации в тонком поверхностном слое обусловлено частично квазиупругим эффектом вариации рельефа деформированных поверхностей полупроводников.

Методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии исследовано влияние коадсорбции Co и Ni на структуру поверхности Si(111) и диффузию адсорбированных атомов. Установлено, что при коадсорбции Ni и Co на поверхности Si(111) формируются поверхностные структуры, подобные структурам, образующимся при адсорбции только Co. Обнаружено, что на поверхности Si(111) с субмонослойными концентрациями Co в диапазоне температур 500-750oC резко возрастает вклад поверхностной диффузии в транспорт атомов Ni по сравнению с чистой поверхностью, где основным механизмом переноса Ni вдоль поверхности является диффузия его атомов через объем Si.

Методами термодесорбционной спектроскопии, изотермической десорбционной спектроскопии, дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов изучена адсорбционная стадия формирования границы раздела Eu--Si (111) в широком интервале температур. Показано, что во всем исследованном интервале степеней покрытий 0

Методами оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведено исследование процесса интеркаляции иттербия под монослой графита, сформированный на поверхности Ni(111). Изучены особенности электронной структуры тонкопленочного интеркалятоподобного соединения, синтезированного в результате этого процесса. Показано, что наблюдающийся при этом энергетический сдвиг pi- и sigma-состояний в валентной зоне в сторону увеличения энергии связей (на ~ 2 и ~ 1 eV соответственно) может быть описан с позиций гибридизации pi-состояний углерода в графитовом мнослое с d-состояниями нижележащего металла. Данная работа поддержана ГНТП "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.99), "Фуллерены и атомные кластеры" (проект N 98052) и совместной Российско-немецкой программой РФФИ-ННИО (проекты N 96-02-00045 и N 98-03-04071).

Изучен механизм начальных стадий силицидообразования при нанесении Co в диапазоне 1-10 монослоев на нагретый кристалл Si(111) 7x 7. При получении структурных данных использовался оригинальный метод дифракции неупруго отраженных электронов средней энергии, отображающий атомное строение поверхностных слоев в реальном пространстве. Элементный состав анализируемой приповерхностной области исследовался методом электронной Оже-спектроскопии. Показано, что в условиях реактивной эпитаксии на Si(111) растет эпитаксиальная пленка CoSi2(111) B-ориентации. При этом на начальных стадиях нанесения кобальта (1-3 монослоя) реализуется островковая мода роста. Элементный состав поверхности пленки CoSi2(111) толщиной около 30 Angstrem такой же, как у объемного дисилицида кобальта, и она оканчивается триадой монослоев Si-Co-Si. Работа выполнена в рамках направления "Поверхностные атомные структуры" (проект N 5.10.99).

На основе численного решения уравнений движения намагниченности в феррит-гранатовой пленке типа (111) показано, что в зависимости от значений подмагничивающего и высокочастотного полей реализуются режимы резонансной прецессии, сильно отличающиеся по амплитуде и форме траектории. Наряду с этим имеют место бифуркации, приводящие к резкому изменению амплитуды, состояниям бистабильности, а также режимам прецессионного движения с периодом, кратным периоду СВЧ-поля.

Тонкие (6-12 nm) эпитаксиальные пленки MnAs были выращены на подложках Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных технологических условиях. Пленки характеризуются существенно различной поверхностной морфологией. Это проявляется в образовании на поверхности кремния кристаллитов гексагональной формы, размеры которых меняются в зависимости от условий выращивания. Поверхностные и объемные магнитные свойства пленок исследованы с использованием магнитооптического эффекта Керра и генерации второй оптической гармоники. Наблюдалась линейная зависимость эффекта Керра от эффективной толщины магнитного слоя. Получена оценка толщины магнитонеупорядоченного переходного слоя, образованного вблизи границы раздела с подложкой. Обнаружено различие поверхностных и объемных гистерезисных свойств пленок. Наблюдалось нечетное по намагниченности изменение интенсивности второй гармоники, вызванное интерференцией магнитного и немагнитного вкладов в нелинейную поляризацию. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, японского проекта JSPS, INTAS и программы голландско-российского сотрудничества NWO.

В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП \glqq Интеграция\grqq (проект N Б0039 / 2102).

Представлены результаты исследования процесса интеркаляции серебра под монослой графита (MG), выращенный на поверхности грани (111) монокристалла никеля --- MG / Ni(111). Эксперименты проводились в условиях сверхвысокого вакуума. Формирование систем осуществлялось in situ в объеме рабочей камеры при непосредственном мониторинге каждой стадии получаемых систем методами ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и дифракции медленных электронов. Исследована возможность интеркаляции серебра в системе MG / Ni(111) в процессе нанесения различных количеств металла на заданный объект с последующей температурной обработкой. Было установлено, что процесс наилучшим образом протекает в условиях циклического чередования операций нанесения адсорбата (Ag) на поверхность MG / Ni(111) и последующего отжига системы. Отмечено наличие двух фаз состояния MG на Ni(111) на промежуточных этапах формирования объекта MG / Ag / Ni(111). Получено подтверждение интеркаляции Ag под монослой графита на Ni(111) при комнатной температуре. Работа выполнена в лаборатории физической электроники Научно-исследовательского института физики Санкт-Петербургского государственного университета в рамках программы НТП \glqq Фуллерены и атомные кластеры\grqq и проекта INTAS-2001-2136.