При помощи атомно-силового микроскопа проведено исследование топографии поверхности SiGe структур, сформированных при эпитаксии Ge на профилированные подложки Si(111) в условиях элект-ро-миграции. Получены системы высокоупорядоченных наноостровков германия размерами (10--20) нм и плотностью 6cdot1010 см-2. Показана принципиальная возможность управляемого воздействия на геометрические параметры самоорганизующихся наноостровков за счет выбора условий формирования и послеростового отжига структур.

Исследовано комбинационное рассеяние света на оптических фононах в квантовых точках Ge, полученных на поверхности Si ориентации (111) с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра. Показано, что частоты фононных мод хорошо описываются с помощью упругих свойств и дисперсии оптических фононов объемного Ge. Определена величина деформации квантовых точек Ge.

We present the results of our low temperature scanning tunneling microscopy (STM) investigation of the clean Ge(111) surface. Our experiments enable the first time STM observation of one-dimensional surface screening around surface defects. We identify the dominating role of surface states in the low temperature STM imaging as well as the important influence of non-equilibrium kinetics on the measured tunneling spectra.

С помощью резонансного соотношения и условия равновесной ориентации намагниченности проведен анализ угловых характеристик резонансного поля в пленках, ориентированных в плоскости (111). На основе полученных результатов предложен метод определения поля кубической анизотропии по азимутальной зависимости поля ФМР, исключающий необходимость предварительного нахождения кристаллографических направлений в пленке другими способами.

С помощью резонансного соотношения и условия равновесной ориентации намагниченности проведен анализ угловых зависимостей резонансного поля в пленках (111). На основе полученных результатов предложен способ определения знака кубической анизотропии и расположение кристаллографических осей методом ФМР.

Теоретически исследуется влияние диссипативных процессов на характер распространения магнитозвуковых волн в кубическом ферромагнетике при действии внешних напряжений с \sigma|| [111]. Показано, что, когда магнетик находится в одной из симметричных фаз ( M0|| [111], M0|| [110]), магнитоупругие волны являются слабозатухающими и могут менять характер по мере приближения к точке спин-переориентационного фазового перехода. Установлено также, что скорости распространения и затухания квазифононов обладают анизотропией, которой можно регулировать с помощью внешних напряжений.

Методами термодесорбционной спектроскопии, модуляции потока и дифракции медленных электронов изучены начальные стадии формирования границы раздела Yb--Si(111). В широком интервале покрытий исследована структура адсорбированных пленок и пленок силицида иттербия, а также кинетика десорбции атомов Yb. Для субмонослойных структур 3x2, 5x1 и 2x1 измерены энергии активации десорбции атомов Yb. Для силицида иттербия определены интервал температур, в котором происходит его разложение, и энергия активации этого процесса. Показано, что формирование межфазовой границы Yb--Si(111) происходит по механизму, близкому к механизму Странского--Крастанова.

Методами электронной Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов и контактной разности потенциалов исследованы электронные свойства и механизмы формирования тонкопленочных структур Yb--Si(111), создаваемых путем напыления атомов Yb на поверхность Si(111)7x7 при комнатной температуре. Изучено также влияние прогрева до 800 K на свойства этих структур. Показано, что формирование границы раздела происходит по механизму Странского--Крастанова. Установлено, что прогрев системы Yb--Si(111) приводит к очень большому (до 1 eV) увеличению работы выхода при всех концентрациях атомов Yb на поверхности кремния. На адсорбционной стадии это увеличение обусловлено ростом 2D-доменов иттербия, сопровождающимся образованием поляризованных димеров из тех поверхностных атомов кремния, которые имеют ненасыщенные валентные связи. Диполи ориентированы таким образом, что общая энергия системы Yb--Si(111) при их образовании понижается, а работа выхода возрастает. На стадии силицидообразования увеличение работы выхода при прогреве обусловлено в конечном счете образованием на поверхности структуры Yb--Si(111) слоя атомов кремния.

Методами термодесорбционной спектроскопии, модуляции атомного пучка и дифракции медленных электронов изучены начальные стадии формирования границы раздела Sm--Si(111). В широком интервале покрытий и температур исследована структура адсорбированных пленок и пленок силицида самария, а также кинетика десорбции атомов Sm. Измерена энергия активации десорбции из термически наиболее "устойчивой" субмонослойной структуры 3x2, а также энергия связи с подложкой изолированного атома самария. Для силицида определены температуры начала его разложения и энергия активации этого процесса. Показано, что формирование интерфейса Sm--Si(111) происходит по механизму, близкому к механизму Странского--Крастанова.

С помощью методов Оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и дифракции медленных электронов были исследованы процессы формирования системы Eu/Si (111) при постепенном увеличении толщины слоя металла от 0.5 до 60 монослоев, напыленного на поверхность кремния при комнатной температуре, и после прогрева при температурах вплоть до 900oC. Показано, что при комнатной температуре рост пленки проходит через три стадии в зависимости от толщины слоя Eu: хемосорбция металла, взаимная диффузия атомов металла и подложки и аккумуляция металла на поверхности системы. После прогрева сверхтонких пленок Eu (около 1 монослоя), напыленных при комнатной температуре, атомы металла упорядоченно располагаются на поверхности кремния, слабо взаимодействуя при этом между собой. После прогрева слоев Eu значительной толщины (свыше 15 монослоев) на поверхности кремния, формируются силициды, структура которых зависит от температуры прогрева системы.