В данной работе рассмотрены способы расчета радиационной емкости водоема-охладителя АЭС, опирающиеся на анализ гидрологических и физико-химических процессов и использующие известные значения концентраций.

Описана методика контроля изменения прочностных свойств сталей в процессе усталостных испытаний с помощью измерения скорости распространения ультразвука. Установлена возможность обнаружения опасной стадии развития усталостных повреждений на отдельных деталях. Предложен способ восстановления работоспособности изделий с помощью обработки мощными импульсами электрического тока. Показано, что подобная обработка существенно повышает ресурс работы и может предотвратить усталостное разрушение.

Уточнены положения, касающиеся расчета эффективности накопления СВЧ энергии в резонаторе

Предложен метод регулируемого расходования накопленной в электрическом конденсаторе электроэнергии с требуемой мощностью в течение длительного времени. Показана возможность использования электрических конденсаторов в качестве автономного источника электроэнергии.

Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния, связанное с генерацией и накоплением дислокаций при импульсно-периодическом воздействии излучения YAG : Nd лазера. Получены зависимости критического числа лазерных импульсов, приводящих к разрушению поверхности, от плотности мощности и периода следования. Приводится интерпретация полученных результатов с позиций механизмов лазерной генерации и накопления дислокаций в поверхностном слое полупроводников.

Рассмотрены универсальные закономерности в структуре спектра Фурье сигнала, порождаемого в точке накопления бифуркаций утроения периода комплексного аналитического отображения. Найдена константа gamma=21.9 dB, отвечающая за перепад интенсивностей субгармоник на частотах, соответствующих соседним уровням в иерархической структуре спектра и являющаяся аналогом известной константы gammaF=13.4 dB для критической точки Фейгенбаума. Представлены данные физического эксперимента по наблюдению спектра в точке накопления бифуркаций утроения периода. PACS: 02.30.Nw, 02.30.Oz

Представлены результаты исследования методом рентгеновской дифракции особенностей дефектообразования в кремнии, облученном ионами Kr+ (210 MeV, 8·1012-3·1014 cm-2) и Xe+ (5.6 GeV, 5·1011-5·1013 cm-2). Установлено, что такое облучение приводит к образованию в объеме кремния дефектной структуры, состоящей из ионных треков, имеющих плотность, меньшую по сравнению с матрицей. Особенности дефектообразования обсуждаются с учетом каналирования части ионов по ранее сформированным трекам и доминирующей роли электронных потерь высокоэнергетичных ионов. Показано, что эффективность введения стабильных дефектов при внедрении высокоэнергетичных ионов ниже, чем при имплантации ионов средних масс с энергией в сотни килоэлектронвольт.

Для моделирования кинетики накопления повреждений и эволюции их кластерной структуры в нагруженных материалах предложен вероятностный клеточный автомат, контролируемый тремя вероятностями: заполнения свободной ячейки, прорастания периметра кластера и слияния кластеров, сблизившихся на критическое расстояние. Алгоритм автомата реализован на Microsoft Visual Basic 6.0 в виде однодокументного Windows-приложения с подключением Microsoft Excel в качестве клиента автоматизации для сохранения и обработки данных. Работа автомата проиллюстрирована на примере сравнения кинетики накопления повреждений и эволюции их кластерной структуры для двух сценариев моделирования. PACS: 61.72.-y, 61.72.Bb, 61.72.Cc

Исследовались процессы образования основных радиационных дефектов в кремнии (A-, E-центры, комплексы Ci-Cs и Ci-Oi) в бездислокационных кристаллах и кристаллах с низким содержанием дислокаций (ND~=1· 104 см-2) в зависимости от концентрации кислорода NO. Особенности накопления и отжига радиационных дефектов, наблюдаемые в бездислокационном кремнии, интерпретированы с учетом наличия межузельных включений в объеме таких кристаллов. Установлено, что геттерирующие свойства включений сложным образом зависят от концентрации кислорода и максимально выражены при NO~= 3· 1016 см-3.

Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·1017 см-2) сплавах n-Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл--диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.