Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия2.5 МэВ) и gamma-квантами (энергия662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания <отсеченный слой кремния>/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах (F>~= 5· 103 В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.

Методами электропроводности и резерфордовского обратного рассеяния исследовано накопление дефектов в GaAs при импульсной (taup=1.3·10-2 c, скважность100) и непрерывной имплантации ионов32S, 12C и4He при комнатной температуре в диапазонах E=100-150 кэВ, Phi=1·109-6·1016 см-2 иj=1·10-9-3·10-6 А·см-2. Показано, что при импульсной имплантации скорость накопления дефектов существенно меньше, чем при непрерывном облучении.

Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в структурах для различных значений электрических полей и полного количества накопленных зарядов. Показано также, что при значительных количествах накопленных зарядов существенную роль в распределении потенциалов и зарядов начинает играть фермиевское вырождение. Такое накопление зарядов может привести к необычной люминесценции, когда процессы генерации носителей заряда и последующей рекомбинации могут быть значительно разнесены по времени. Кроме того, такая люминесценция не будет замаскирована излучением от переходов, связанных с хвостами в запрещенной зоне, и излучением от подложки. PACS: 73.63.Hs, 78.40.-q, 78.67.De

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионамиPF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+иF+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеровPF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е.наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln

Залужный А.г., Чередниченко-алчевский М.в., Сторожук О.м. Накопление и удержание газообразных продуктов ядерных реакций в конструкционных материалах физико-энергетических установок // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.4 Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Топливо и энергетика. Физикохимия и технология неорганических материалов. Новые материалы и химические продукты. Производственные технологии, стр. 143-145

Трофимов А.с. Программное обеспечение сбора, накопления и обработки масс-спектрометрической информации // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.11 Конференция студентов и молодых ученых. Техническая физика, стр. 128-129

Агафонов А.в. Накопление и захват интенсивных электронных пучков в системе со скрещенными полями // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.4 Астрофизика. Космофизика. Ускорительная техника. Физика элементарных частиц. Ядерная физика, стр. 118-119

Зебрев Г.и. Переходы между двумя конфигурациями Е'-центра как возможный процесс, лимитирующий скорость накопления ПС // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.6 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы, стр. 85-86

Сбитнев А.в. Программа сбора информации о функционировании сети МИФИ, с накоплением ее в базе данных // Научная сессия МИФИ-1999. Ч.8 Телекоммуникации и новые информационные технологии в образовании, стр. 39-40

Щуровская М.в., Алферов В.п. Влияние накопления гелия-3 в бериллиевом отражателе на реактивность ИРТ МИФИ // Научная сессия МИФИ-2000. Ч.8 Молекулярно-селективные и нелинейные явления и процессы. Физико-технические проблемы нетрадиционной энергетики. Физико-технические проблемы ядерной энергетики. Ультрадисперсные (нано-)материалы, стр. 83-84