Найдено научных статей и публикаций: 114   
11.

Интеллектуальный капитал: проблемы накопления и регулирования в экономике, основанной на знаниях     

В.Г. Дайнеко - Вестник ВГУ , 2004
В.Г. Дайнеко. Интеллектуальный капитал: проблемы накопления и регулирования в экономике, основанной на знаниях. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Гуманитарные Науки", № 1, 2004
12.

Влияние метеорологических условий на накопление, перенос и рассеивание вредных веществ в компонентах геоэкологической системы липецкого промрайона     

И.И. Косинова, В.П. Закусилов, Д.В. Корчагин - Вестник ВГУ , 2003
И.И. Косинова, В.П. Закусилов, Д.В. Корчагин. Влияние метеорологических условий на накопление, перенос и рассеивание вредных веществ в компонентах геоэкологической системы липецкого промрайона. // Вестник Самарского Государственного Университета, http://ssu.samara.ru/~vestnik/est/, Серия "Геология", № 2, 2003
13.

Транспортируемая установка для накопления нейтронов на импульсном реакторе     

Антонов А.В., Галкин О.Ф., Гурей А.Е., Исаков А.И., Ковыльников В.Н., Микеров В.И., Тихомиров А.А. - Письма в ЖЭТФ , 1976
Антонов А.В., Галкин О.Ф., Гурей А.Е., Исаков А.И., Ковыльников В.Н., Микеров В.И., Тихомиров А.А.. Транспортируемая установка для накопления нейтронов на импульсном реакторе // Письма в ЖЭТФ, том 24, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
14.

Кинетика накопления и генерация F_2^+-центров в кристаллах LiF(F_2)     

Басиев Т.Т., Ворьнько Ю.К., Миров С.Б., Осико В.В., Прохоров А.М. - Письма в ЖЭТФ , 1979
Басиев Т.Т., Ворьнько Ю.К., Миров С.Б., Осико В.В., Прохоров А.М.. Кинетика накопления и генерация F_2^+-центров в кристаллах LiF(F_2) // Письма в ЖЭТФ, том 30, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
15.

Накопление и время релаксации электронов при фотоэффекте в Pb_{0,78}Sn_{0,22}Te     

Вул Б.М., Воронова И.Д., Гришечкина С.П., Рагимова Т.Ш. - Письма в ЖЭТФ , 1981
Вул Б.М., Воронова И.Д., Гришечкина С.П., Рагимова Т.Ш.. Накопление и время релаксации электронов при фотоэффекте в Pb_{0,78}Sn_{0,22}Te // Письма в ЖЭТФ, том 33, вып. 6, http://www.jetpletters.ac.ru
16.

Наблюдение эффекта накопления легких дырок в р-Ge в скрещенных электромагнитном и магнитном полях по оптическим измерениям в далекой ИК области     

Гавриленко В.И., Мурзин В.Н., Стоклицкий С.А., Чеботарев А.П. - Письма в ЖЭТФ , 1982
Гавриленко В.И., Мурзин В.Н., Стоклицкий С.А., Чеботарев А.П.. Наблюдение эффекта накопления легких дырок в р-Ge в скрещенных электромагнитном и магнитном полях по оптическим измерениям в далекой ИК области // Письма в ЖЭТФ, том 35, вып. 2, http://www.jetpletters.ac.ru
17.

Магнитное взаимодействие каналов самофокусировки и потоков электромагнитного излучения: их слияние и накопление энергии. действие на них внешних магнитных полей     

Аскарьян Г.А., Буланов С.В., Пегораро Ф., Пухов А.М. - Письма в ЖЭТФ , 1994
Аскарьян Г.А., Буланов С.В., Пегораро Ф., Пухов А.М.. Магнитное взаимодействие каналов самофокусировки и потоков электромагнитного излучения: их слияние и накопление энергии. Действие на них внешних магнитных полей // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru
18.

Нелиувиллиевское накопление ядер углерода вускорительно-накопительном комплексе итэф     

Н. Н. Алексеев,Д. Г. Кошкарев,Б. Ю. Шарков - Письма в ЖЭТФ , 2003
В Институте теоретической и экспериментальной физики успешно произведен физический запуск нового ускорительно накопительного комплекса тяжелых ионов. В кольце протонного синхротрона У-10 на энергию 10 ГэВ, переоборудованного в накопитель ионов, осуществлено накопление ядер углерода с энергией 200 МэВ/н при помощи перезарядки на твердой мишени ионов С4+, ускоренных в бустерном синхротроне УК. Таким образом, экспериментально осуществлено нелиувиллевское накопление ядер углерода. Ближайшей целью является увеличение числа накопленных ядер до 2cdot1012, соответствующего возможностям имеющейся конфигурации комплекса.
19.

Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT--Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором     

И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский - Письма в ЖЭТФ , 2003
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получена и исследована транзисторная структура GaAs/ZnSe/КТ--Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором из квантовых точек германия. Показано, что при освещении светом с длиной волны более 0.5 мк наблюдается положительное, а при меньших длинах волн отрицательное изменение тока канала, связанное с зарядкой квантовых точек. Измерения релаксационных кривых после выключения освещения показывают, что спад тока продолжается в течение от десятков секунд вплоть до нескольких часов в зависимости от температуры образца. Указанные изменения тока канала и релаксационных кривых объясняются на основе трех типов переходов в квантовых точках при поглощении излучения с привлечением изменения состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии в результате накопления заряда на квантовых точках.
20.

Ювенология: накопление потенциала     

Петрушкин С. Н. - Журнал "Социологические исследования" , 2002
Петрушкин С. Н., Ювенология: накопление потенциала // Журнал "Социологические исследования", № 1, 2002, http://socis.isras.ru/