Исследован энергомассовый состав плазмы, генерируемой в процессе наносекундного разряда по поверхности полиэтилена высокого давления в коаксиальных промежутках при разной полярности центрального электрода и при наличии или отсутствии вакуумного зазора с периферийным электродом. Выявлены особенности составов плазмы в зависимости от этих факторов. Показано, что коаксиальная схема наносекундного разряда по поверхности диэлектрика является эффективным источником многозарядной высокоскоростной плазмы. PACS: 52.80.Vp, 52.80.-s, 52.50.Dg

В рамках самосогласованной теории локализации, обобщенной в направлении учета эффектов электрон-электронного взаимодействия, численными методами исследуется частотное поведение обобщенного коэффициента диффузии как в металлической, так и в диэлектрической областях. Рассматривается поведение одночастичной плотности состояний вблизи перехода металл--диэлектрик. Вычисление одночастичной плотности состояний проводится с учетом влияния эффектов электрон-электронного взаимодействия на обобщенной диффузии.

Показано, что в медных оксидах на основе CuO-кластеров возможно образование туннельных парамагнитных центров (TP-центров) --- триплетных спиновых центров с существенно различным видом адиабатического потенциала в различных спиновых состояниях. Приведены результаты измерений намагниченности и магнитострикции монокристаллов CuO, свидетельствующие о наличии неравновесных спиновых состояний и подтверждающие выводы модели туннельных парамагнитных центров.

Предложена модель кристалла Lu2SiO5 с примесями церия и рассчитаны энергия образования дефектов, релаксации ионов и изменение потенциалов Маделунга при образовании дефектов. Расчеты показывают, что с энергетической точки зрения более выгодным является замещение ионом церия иона лютеция в позиции Lei.

Исследуются концентрационные зависимости электронных свойств (остаточного электросопротивления, диффузионной термоэдс, нормального эффекта Холла, низкотемпературной теплоемкости) и магнитных характеристик (намагниченности, парамагнитной восприимчивости) в квазибинарных сплавах (PdxPt1-x)3Fe, Pt3MnxFe1-x, (PdxAu1-x)3Fe и ScxTi1-xFe2. Устанавливается связь аномального поведения кинетических свойств с изменением величины локальных магнитных моментов. Отсутствие соответствующих особенностей в концентрационной зависимости теплоемкости указывает на то, что плотность состояний на уровне Ферми существенно не изменяется, поэтому традиционная двухзонная модель Мотта не может описать особенности поведения свойств указанных сплавов. Единая интерпретация совокупности экспериментальных результатов дается на базе теории локальных флуктуаций электронной спиновой плотности в металлических магнетиках.

В приближении МО ЛКАО xalpha-методом дискретного варьирования выполнены расчеты электронного строения стеклообразных фосфатов. На основе анализа теоретических и экспериментальных электронных спектров системы BeO--P2O5 установлены закономерности формирования валентной полосы щелочно-земельных фосфатных стекол с различным типом анионной подрешетки. Данные об электронной структуре использованы для уточнения моделей ближнего порядка; в частности, подтверждена возможность существования кислорода в тройной координации. С учетом особенностей спектра электронных состояний обсуждаются локализация носителей заряда, природа оптических переходов и явления дырочного переноса.

Исследован, обусловленный обменным магнитоупругим взаимодействием, эффективный упругий ангармонизм антиферромагнетиков типа "легкая плоскость", в которых имеет место фазовый переход антиферромагнетизм--ферромагнетизм. Вблизи перехода такой ангармонизм может проявляться в нелинейных взаимодействиях продольных акустических волн, приводящих к магнитоакустическим эффектам преобразования частоты волн. Показано, что в области фазового превращения происходит усиление этих эффектов за счет возрастания на несколько порядков величины эффективных модулей упругости третьего порядка. В качестве примера рассмотрена генерация вторых продольных звуковых гармоник.

В рамках t-J-A-модели, являющейся объединением t-J-модели и модели Андерсона, методом диаграммной техники с X-операторами исследовано влияние слабого беспорядка на магнитные свойства сильно коррелированных электронных систем. В обобщенном приближении хаотических фаз (GRPA) вычислена динамическая магнитная восприимчивость, из условия расходимости которой определены критерии неустойчивости парамагнитной фазы относительно появления ферромагнитного и антиферромагнитного упорядочений. Построены магнитные фазовые диаграммы и вычислены температуры Кюри и Нееля. Показано, что в сильно коррелированной электронной системе слабый беспорядок приводит к подавлению ферромагнетизма и укреплению антиферромагнетизма.

Экспериментально исследованы зависимости магнитной восприимчивости, электропроводности и коэффициента Зеебека от температуры, а также проведены структурные системы CoxTiSe2 (0.1=< x=< 0.5). Для Co0.5TiSe2 обнаружена зависимость магнитной восприимчивости, характерная для антиферромагнетика с температурой Нееля 510 K. Полученные данные о структурных характеристиках и физических свойствах интеркалированных фаз интерпретируются на основе модели, предполагающей образование полосы локализованных состояний вблизи уровня Ферми.

В интервале температур 4.2-300 K в магнитных полях до 12 T исследовано магнитосопротивление (МС) кристаллов HgSe1-xSx при гидростатическом давлении P, превышающем пороговое Pt для структурного фазового перехода. В исходных образцах при T=4.2 K наблюдались квантовые осцилляции Шубникова--де Гааза продольного и поперечного МС. При P>Pt кристаллы HgSeS были приведены в метастабильные состояния (МСС) предположительно содержащие включения фаз высокого и низкого давления, в которых осцилляции исчезали. В то же время монотонные зависимости МС от магнитного поля B, а также температурные зависимости удельного сопротивления rho сохраняли такой же вид, как у исходных фаз. Наблюдаемое ослабление зависимостей rho от B и T связывается с возрастанием не зависящего от температуры вклада в rho, обусловленного включениями фаз и дефектами структуры в МСС. Соответствующее уменьшение подвижности электронов и приводит к исчезновению осцилляций.