В интервале температур 300--1250 K изучена магнитная восприимчивость chi крупнозернистого WC и нанокристаллического n-WC карбидов вольфрама. Зависимость chi (T) крупнозернистого карбида WC не имеет особенностей. Нанопорошок n-WC сохраняет стабильный размер частиц sim55 нм после отжига при 300--1200 K, тогда как релаксация микронапряжений происходит при температуре 550--920 K. На зависимости chi(T) нанокристаллического карбида n-WC в области 550--920 K обнаружены эффекты, связанные с отжигом микронапряжений, который приводит к уменьшению вклада орбитального парамагнетизма в восприимчивость карбида n-WC и инициирует выделение малых примесей железа и кобальта в виде суперпарамагнитных частиц.

В статье показывается однозначная зависимость между произведением давления газа p на время формирования разряда tau от приведенной напряженности электрического поля E/p для воздуха и аргона в пикосекундном диапазоне времен tau . Ранее эта зависимость была установлена для наносекундного диапазона. Имеющиеся экспериментальные данные удовлетворительно объясняются в рамках теории многоэлектронного инициирования импульсного газового разряда, предложенного автором ранее.

В камерах с алмазными наковальнями методом дифракции синхротронного излучения проведены исследования структуры фаз высокого давления у тройных теллуридов свинца Pb1-xSnxTe (x=0.29), Pb1-xMnxTe (x=0.05) и нестехиометрических кристаллов Pb0.55Te0.45, Pb0.45Te0.55 при давлениях P до 14 ГПа. Выше 6 ГПа для всех образцов установлена орторомбическая структура промежуточной фазы высокого давления (пространственная группа Pnma). Обсуждаются модели фазового перехода в PbTe из исходной структуры каменной соли в орторомбическую фазу, представляющую собой искаженный вариант NaCl, а также свойства этой фазы.

С помощью метода термоэдс (эффекта Зеебека) экспериментально исследован переход полупроводник~-- металл (П-М) в монокристаллах арсенида галия GaAs n- и p-типа, происходящий при сверхвысоком давлении P выше sim11{-}18 ГПа. Обнаружено, что в образцах n-типа переход начинается при меньших давлениях. В~области фазового перехода П-М наблюдались особенности на зависимостях термоэдс S(P), свидетельствующие об образовании промежуточных решеток между исходной полупроводниковой структурой цинковой обманкой и металлической орторомбической фазой высокого давления Cmcm. По аналогии с ZnTe, высказаны предположения, что одна промежуточная фаза (полупроводниковая с дырочным типом проводимости) имеет структуру киновари, а вторая (полуметаллическая с электронным типом проводимости), возможно, структуру SC16. Обсуждается модель перехода П-М. Сопоставляется поведение термоэлектрических свойств под давлением в GaAs и других полупроводниках {rm ANB8-N}, также испытывающих переход в металлическое состояние.

Представлены результаты исследований условий возникновения электромагнитного излучения при транспорте поляризованных по спину электронов в контактных структурах на основе полупроводника InSb и ферромагнитных материалов HgCr2Se4 и Co2MnSb. Показано, что электромагнитное излучение из контактной структуры возникает только при наличии преимущественной поляризации потока электронов, протекающего из ферромагнетика в полупроводник InSb. Установлено, что интенсивность излучения зависит от направления внешнего магнитного поля относительно осей кристалла InSb и максимальна при тех направлениях магнитного поля, при которых вероятность электродипольных спиновых переходов между зеемановскими уровнями наибольшая.

Исследована термолюминесценция монокристаллов анионодефектного корунда при рентгеновском и лазерном возбуждении. Изучены ее особенности в полосах свечения F-, F+- и Cr3+-центров. Проведены синхронные измерения термолюминесценции и термостимулированной экзоэмиссии методом фракционного нагрева при рентгеновском и лазерном возбуждении образцов. Из полученных результатов следует, что в температурном интервале основного дозиметрического пика (400--500 K) активно несколько ловушек. На кривой спектральной чувствительности имеются максимумы, соответствующие полосам поглощения F-, F+- и Al+i-центров. Обсуждается возможный механизм рекомбинационного свечения F-центров. Установлено, что материал обладает высокой чувствительностью к малым дозам ультрафиолетового лазерного излучения.

Представлены результаты исследования отклика доменной структуры пленок Gd--Co на стационарные пространственно неоднородные плоские тепловые поля, создаваемые одним или двумя условно-точечными источниками тепла. Сформулированы некоторые простые принципы топографирования этих полей посредством наблюдения и измерения параметров доменной структуры аморфных пленок Gd--Co.

Методами неравновесной термодинамики необратимых процессов исследовано акустическое течение, возбуждаемое поверхностной акустической волной (ПАВ) в плоской щели при свободномолекулярном режиме течения по длине ПАВ. Вычислено производство энтропии, установлен перекрестный эффект и кинетический коэффициент для перекрестного эффекта.

Разработана теоретическая модель устойчивого квазистационарного смешения тройных газовых смесей в системе двух колб, соединенных капилляром, определяющая распределение плотности смеси по длине диффузионного канала. Показана возможность инверсии градиента плотности за счет нелинейного распределения концентрации тяжелого компонента в эффекте диффузионного "затвора". Полученные результаты сопоставлены с экспериментальными данными.

Методы термодессорбции гелия из предварительно насыщенных кристаллов проведены масс-спектрометрические исследования диффузии и растворимости гелия в кристаллах фторида свинца в области температур 606--714 K, предшествующих переходу кристалла в суперионное состояние. Приведено описание экспериментальной установки и методики измерений, обсуждаются механизмы диффузии и растворимости гелия в PbF2.