Получены аналитические выражения для производных от частот магнитостатических волн по напряженности внешнего магнитного поля в анизотропных ферромагнитных пленках. Подробно рассмотрены пленки с кубической анизотропией и поверхностями <100>, <110>, <111>. Частотно-полевые зависимости использованы при экспериментальном определении температурных коэффициентов поля кубической анизотропии и намагниченности насыщения в пленке железо-иттриевого граната.

Исследованы проявления сингулярностей частотного распределения, возникающих при импульсном РЧ-возбуждении акустической ЯМР-моды. Найдены условия наблюдения степенного распада однородной прецессии. Предсказан эффект подавления макронеоднородного уширения. Обсуждена возможность измерения скорости ядерной спин-спиновой релаксации по долгоживущей компоненте сигнала индукции.

Развита теория продольного (по отношению к внешнему магнитному полю) отклика совокупной спиновой системы локализованных парамагнитных центров s и свободных носителей заряда e твердого проводника на модулированное насыщение электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). В отличие от ранее опубликованных работ рассмотрение выполнено в общем случае произвольных частот модуляции и расстроек насыщающего СВЧ-поля относительно центральной частоты ЭПР. Использован теоретический подход, основанный на выделении нормальных мод при анализе связанных колебаний спиновых намагниченностей s- и e-подсистем. Показано, что в условиях релаксационной связи между подсистемами продольный отклик, регистрируемый на частоте модуляции, может быть представлен в виде суммы откликов от нормальных мод, каждый из которых описывается универсальной формой резонансной линии, в общем случае отличающейся от лоренцевской формы, характерной для сигналов ЭПР. В предельных случаях слабой и сильной связи получены простые аналитические формулы. Приведенные результаты создают теоретическую основу для применения метода модулированного продольного отклика при измерении весьма коротких времен продольной спиновой релаксации в проводниках с парамагнитными примесями. Этот вывод подкреплен экспериментальными данными на активированных углях, содержащих стабильные свободные радикалы. Работа выполнена при финансовой поддержке Тбилисского государственного университета, Швейцарского национального научного фонда (грант 7GEPJO62429), а также гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-16219.

Рассматриваются особенности нелинейного поглощения молекулярного кристалла во внешнем магнитном поле. На примере бензола исследованы функции формы экситонного поглощения при наличии поляризации лазерного излучения и слабого магнитного поля, а также механизмы формирования гистерезисной петли на зависимости выходной интенсивности света от значения величины магнитного поля на входе. Установлено, что магнитооптический отклик рассматриваемого молекулярного кристалла порождает инверсный характер формирования бистабильных петель, что позволяет осуществлять контроль и управление поведением бистабильных элементов оптических логических систем с помощью внешнего магнитного поля при фиксированной частоте освещения.

Впервые в магнитных полях инфразвуковых частот исследованы динамические доменные структуры в пленке феррита-граната с перпендикулярной анизотропией. Обнаружено ангерное состояние многодоменной среды, а также формирование устойчивых динамических структур с необычными свойствами в диапазоне частот 2-3 Hz. Частичная финансовая поддержка исследований осуществлена фондом \glqq The U.S. Civilian Research & Development Foundation for the Independent States of the Former Soviet Union\grqq (CRDF) (грант EK-500-X1) и Министерством образования РФ (грант Е-3.4-258).

Теоретически исследованы спектры оптического отражения от резонансных брэгговских структур с квантовыми ямами. Дано аналитическое объяснение наличия в спектрах двух особых частот, на которых коэффициент отражения слабо зависит от числа квантовых ям в структуре. Проанализировано влияние нерадиационного затухания экситона на спектры отражения вблизи особых частот. Показано, что учет диэлектрического контраста приводит к появлению в спектрах третьей особой частоты, на которой взаимно компенсируются вклады в отражение, связанные с диэлектрическим контрастом и экситонным резонансом. Работа поддержана программами РАН и грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 05-02-17778. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 71.35.-y

Построена контактная теория вольт-амперной характеристики на конечных частотах для полубесконечной двумерной электронной системы с 2 точечными контактами. Отмечено, что относительное расположение контактов заметно влияет на структуру вольт-амперной характеристики. Обсуждается связь между вольт-амперной характеристикой и свойствами краевых магнетоплазмонов в данной системе.

Теоретически показано, что в определенных условиях возможно создание мазера на эффекте циклотронного резонанса на основе материалов типа n-Ga1-xAlxAs. Рассматриваются низкие температуры и сильные скрещенные ( E normal H) поля, в которых электроны в нижней (легкой) долине зоны проводимости баллистическим образом пролетают ее, разогреваясь до энергии начала междолинного рассеянияvarepsilon0. Исследования проводились для состава твердого раствора 0

Теоретически показано, что коэффициент поглощения циркулярно-поляризованной электромагнитной волны при циклотронном резонансе тяжелых дырок с отрицательными эффективными массами в алмазе в параллельных электрическом и магнитном полях, ориентированных вдоль оси [001] кристаллической решетки, принимает отрицательные значения на частоте любой из n+1 гармоник (n=0,4,8 и т. д.) при правой (электронной) поляризации и на частоте любой из n-1 гармоник (n=4,8,12 и т. д.) при левой (дырочной) поляризации. В электрическом поле E~104 В / см и магнитных полях H=30/80 кЭ, при температуре решетки 77/100 K и концентрации дырок (3/5)· 1015 см-3 коэффициент поглощения электромагнитной волны на частоте 3-й гармоники omega3=3omega=2.5· 1012 с-1 (длина волны lambda3=0.92 мм) достигает значений eta3=(-7)/(-30) см-1.

Исследована перестройка длины волны излучения в диодных лазерах на основе структур InAsSb / InAsSbP. Рассматривается упрощенная математическая модель, учитывающая пространственно однородную накачку и зависимость диэлектрической проницаемости от концентрации носителей заряда. Показано, что в зависимости от величины тока накачки и параметров диодных структур возможно увеличение или уменьшение длины волны лазерного излучения с током, что наблюдается экспериментально. Процесс перестройки длины волны от тока является практически безынерционным процессом, определяющимся временем жизни фотона в резонаторе и частично временем жизни неравновесных носителей заряда.