На основе компьютерного моделирования продемонстрирована возможность накачки одномерного нелинейного фотонного кристалла (слоистой одномерной периодической структуры) световой энергией (ее локализации внутри фотонного) кристалла при воздействии последовательности фемтосекундных импульсов. Моделирование проводится на основе предложенного авторами подхода к рассматриваемому классу задач. Данный эффект может быть использован для хранения и записи информации в трехмерных оптических устройствах памяти.

Предложен новый метод получения спектров комбинационного рассеяния света и двухфотонно-возбуждаемой люминесценции в ультрадисперсных средах. Метод основан на использовании световодов для ввода возбуждающего излучения в образец и вывода вторичного излучения из ультрадисперсной среды, расположенной в резонаторной металлической кювете. Возбуждение спектров осуществлялось импульсно-периодическим источником света --- лазером на парах меди, а их регистрация проводилась с применением системы стробирования. Разработанная методика обеспечила высокий контраст спектров вторичного излучения по отношению к возбуждающему излучению, что позволило проводить молекулярный анализ ультрадисперсных сред на основе использования малогабаритного одинарного монохроматора.

Развита теория упругого рассеяния света малой резонансно поляризующей частицей, расположенной вблизи плоской поверхности магнитой среды. Эффективная поляризуемость частицы вычислялась самосогласованно с учетом эффекта динамических "сил изображения" во всех порядках теории возмущений по взаимодействию частицы с размагниченным ферромагнетиком, а магнитооптическое возмущение определялось в первом порядке по намагниченности. В случае ферромагнетика, намагниченного перпендикулярно поверхности, вычислены коэффициенты преобразования света и магнитооптические поправки к поперечным сечениям всех процессов, в которых рассеяние света частицей и полярный магнитооптический эффект Керра являются элементарными актами. Результаты, включающие анализ ближнеполевого вклада в рассеяние света, представляют собой физическую основу для построения теории ближнеполевой магнитооптической микроскопии ферромагнетиков и магнитных структур.

Развита теория отклика двухуровневой двумерной системы на облучение световым импульсом симметричной формы. Подобная электронная система в определенных условиях аппроксимирует одиночную идеальную квантовую яму при нулевом или сильном магнитном поле H, перпендикулярном плоскости ямы. Один из уровней --- основное состояние системы, второй --- дискретное возбужденное состояние с энергией homega0, каковым может являться экситонный уровень при H=0 или любой уровень в сильном магнитном поле. Предполагается, что влиянием прочих уровней и взаимодействием света с решеткой можно пренебречь. Получены общие формулы для временной зависимости безразмерных отражения R(t), поглощения A(t) и пропускания T(t) симметричного светового импульса. Показано, что на временных зависимостях R(t), A(t) и T(t) существуют особые точки трех типов. В точках t0 первого типа A(t0)= T(t0)=0 и происходит полное отражение. Показано, что в случае gammar>>gamma, где gammar --- радиационное, а gamma --- нерадиационное обратное время жизни верхнего уровня двухуровневой системы при условии резонанса omegal=omega0 может происходить сильное изменение величины и формы прошедшего импульса. В случае достаточно длинного импульса, когда gammal

Представлены результаты теоретического анализа встречного двухпучкового взаимодействия света на отражательных решетках в оптически активных кубических кристаллах класса симметрии  23 при произвольной ориентации образцов. В приближении неистощимой накачки проанализировано влияние неоднонаправленного энергообмена на эффективность взаимодействия в кристалле Bi12TiO20 срезов (100), (111) и (11 2).

Рассчитаны отражение, прохождение и поглощение симметричного электромагнитного импульса, несущая частота которого близка к частоте межзонного перехода в квантовой яме. Уровни энергии в квантовой яме предполагаются дискретными, учитывается один возбужденный уровень. Рассматривается случай достаточно широкой ямы, когда длина волны импульса, соответствующая несущей частоте, сравнима с шириной ямы и необходимо учитывать зависимость матричного элемента межзонного перехода от волнового вектора света. Учтено различие в показателях преломления вещества квантовой ямы и барьера. Предполагается произвольное соотношение между обратными радиационным и нерадиационным временам жизни возбужденного уровня электронной системы. Учет пространственной дисперсии и различия в показателях преломления сильнее всего влияет на отражение, так как наряду с отражением, связанным с межзонными переходами в самой яме, имеет место дополнительное отражение от границ ямы. По сравнению с ранее рассмотренной моделью наиболее радикальные изменения имеют место в отражении в случае, когда обратное нерадиационное время жизни возбужденного состояния велико по сравнению с обратным радиационным временем жизни. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 00-02-16904) и программы МНТК \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (97-1099). С.Т. Павлов благодарит Университет Закатекаса и Национальный совет Мексики по науке и технологии (CONACyT) за финансовую поддержку и гостеприимство. Д.А. Контрерас-Солорио благодарит CONACyT (27736-E) за финансовую поддержку.

Рассматриваются светоиндуцированные вынужденное и параметрическое возбуждение спиновых волн и спиновое эхо. Определены статические и установившиеся динамические состояния намагниченности в световом поле. Построены фазовые диаграммы в магнитном и световом полях. Рассчитаны порог параметрического возбуждения, амплитуда стационарных колебаний и описываемые вектором магнитного момента траектории при светоиндуцированном нелинейном ферромагнитном резонансе. Траектории могут быть топологически различными. Переход между этими траекториями происходит подобно фазовому переходу. Определены параметры светоиндуцированного спинового эха. PACS: 75.30.Ds, 76.50.+g, 76.60.Lz

Исследованы в темноте и при подсветке временные зависимости скоростей релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний электрически активных атомов примеси в легированных бором пленках a-Si : H. Установлено, что в условиях подсветки скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний атомов бора увеличивается в начальный период времени, когда скорость их фотоиндуцированной релаксации превышает скорость их фотоиндуцированного образования.

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.

Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцовSi и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки ватомарном водороде с экспозиционной дозой менее2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов вSi, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностьюSi. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt