Проведено исследование магнитных и магнитоупругих свойств в сильных магнитных полях монокристаллов электронно-легированных редкоземельных манганитов La1-xSrxMnO3. Обнаружены индуцированные сильным магнитным полем фазовые переходы из антиферромагнитной фазы A-типа в антиферромагнитную фазу C-типа для состава x=0.65. Аналогичный фазовый переход наблюдался и для состава x=0.8, где предположительно происходит переход из антиферромагнитной фазы C-типа в антиферромагнитную фазу G-типа. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ (N 03-02-16445-a). PACS: 71.27.+a, 71.30.+h

По времени пролета инжектированных носителей заряда сквозь пленки поликристаллического алмаза или алмазоподобного углерода определена подвижность неравновесных носителей порядка 10-3 и 3·10-8 см2/В·с соответственно. В поликристаллическом алмазе неравновесная подвижность дырок на 3порядка величины ниже равновесной подвижности (0.1/1 см2/В·с), найденной из электропроводности пленок на постоянном токе, что можно объяснить влиянием на перенос неравновесных носителей процессов захвата их ловушками.

Исследовано влияние радиационного воздействия ионов Ar и термоотжига на свойства пористого фосфида галлия (por-GaP), полученного электрохимическими методами. На основе данных комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции показано, что в отличие от пористого кремния por-GaP не обладает повышенной радиционной стойкостью, а термоотжиг дефектов в аморфизированных ионной имплантацией слоях затруднен вследствие отсутствия хорошей кристаллической основы для процессов твердотельной эпитаксиальной рекристаллизации. Данные по радиационному дефектообразованию и зондированию материала редкоземельным "люминесцентным зондом" соответствуют представлениям о мезопористой структуре материала.

Методами рентненовской дифрактометрии и низкотемпературной фотолюминесценции исследованы структуры с квантовыми ямами InxGa1-xAs в GaAs, полученные эпитаксией из молекулярных пучков. Установлена неоднородность состава квантовых ям по толщине. Проведен расчет энергетического положения линий рекомбинации экситонов в квантовых ямах со ступенчатым профилем распределения индия, результаты которого хорошо согласуются с экспериментом.

С использованием методов оже-электронной спектроскопии, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe, впервые сформированных с использованием метода ионно-лучевого синтеза. Обнаружено, что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия, в результате чего образуются области нанометровых размеров, обогащенные германием, в которых его концентрация на 10-12% выше, чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружен интенсивный пик фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.54-1.58 мкм при комнатной температуре.

Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластинGaAs(100) n- иp-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.

Исследованы спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN синего свечения, выращенных на подложках из SiC, и покрытых желто-зелеными люминофорами на основе алюмоиттриевых гранатов с примесями редкоземельных элементов. Светодиоды синего свечения имеют коэффициент полезного действия до22% при токе 350 мА и напряжении3.3 В. Светодиоды белого свечения имеют светоотдачу до40 лм/Вт и световой поток до 50 лм при токе350 мА. PACS: 85.60.Jb

При первом же общении с Александрой Лотос получил лишнее подтверждение тому, что фамилия или выбранный человеком псевдоним, чаще всего, не случайны. Лотос – цвет совершенно удивительный, - он может произрастать где угодно (на озёрах, в прудах, на болотах и т.д.) и не смачиваться с той средой, из которой его цвет произрастает, которая служит ему питательной средой. И пусть будет окружающая его среда, какой угодно, но цвет лотоса всегда благоухает и щедро дарит свой нектар окружающему миру. Над ним любят летать шмели и пчёлы, наслаждаясь его удивительным ароматом, и, собирая нектар с его лепестков. Чем больше он дарит нектара, тем всё больше он благоухает. Когда я попросил Александру Лотос поделиться нектаром своих стихов на страницах МФК «Юной Россы», она ответила: «берите хоть всё, мне нисколько не жаль»; помещайте материал, как сочтёте нужным. Это не праздные слова, это её сущность – Божественная Радость Дарения. Не случайно в качестве эпиграфа к её странице в Интернет служат три слова: «Здесь нет лжи». Далеко не каждый из нынешних поэтов может позволить себе такой высоты этическую «планку», сохраняя совесть спокойной. Такой Дар Божий лишь немногих по силам. Александра откровенно дала мне понять, что ещё не волшебница в поэзии, и только ещё учится на волшебницу. Пожелаем же ей счастливой путеводной поэтической звезды… Я позволил себе внести скромную лепту в поэтический мир Александры Лотос (с её разрешения), сделал параллельный, вольный перевод её стихов на немецкий язык, которым говорили Гёте, Шиллер и Гейне. Александр СИГАЧЁВ

Статья посвящена трансформации международной террористической деятельности – системности и последовательности действий в очагах террористической активности.

Культурно-просветительское общество «Всеславянское Собрание» (КПО ВС) ставит своей целью литературно-художественное единение братских славянских народов: Украины, России, Белоруссии, Болгарии, Сербии, Македонии; предполагается широкое сотворчество в сети Интернет, на страницах газет и журналов. Началом такого культурно-просветительского сотворчества послужило литературно-художественное единение на базе культурных центров посольств в Москве, с Союзом писателей России. Дальнейшее развитие «Всеславянского Собрания» получило при расширении сотворчества с Украиной в регионе Азовья: Публикации литературно-художественного сотворчества (КПО ВС) в сети Интернет: http://vserusso.blogspot.com/2011/07/blog-post.html