С использованием ренорм-группового подхода получено точное решение самосогласованных кинетических уравнений Власова для частиц плазмы в квазинейтральном приближении, описывающее одномерный адиабатический разлет плазменного сгустка в вакуум для произвольных начальных распределений частиц по скоростям. Изучено ускорение ионов для двухтемпературного максвелловского и супер-гауссова начальных распределений электронов.

Показано, что косет-теория smash{widehat{sell}(2)k1opluswidehat{sell}(2)k2/widehat{sell}(2)k1 + k2} является квантовой гамильтоновой редукцией исключительной аффинной супералгебры Ли~widehat{D}(2|1;alpha). W-алгебра этой теории является, кроме того, коммутантом квантовой группы~{cal U}qD(2|1; alpha ).

Вблизи точечного контакта к пайерлсовскому квазиодномерному проводнику K0.3MoO3 при приложении электрического поля наблюдается изменение проводимости, связанное с сильной локальной деформацией волны зарядовой плотности в запиннингованном состоянии. При этом удается варьировать уровень химического потенциала в широком диапазоне значений, изменяя проводимость с n-типа на p-тип. Предложенная методика позволяет определять локальное положение уровня химпотенциала при различных температурах; в частности, объясняется низкотемпературная аномалия в проводимости.

Исследованы оптические свойства образцов пористого графита, полученных электрохимическим травлением. Обнаружено, что электрохимическое травление приводит к изменению спектра комбинационного рассеяния света (КРС) и появлению фотолюминесценции. Детально исследована эволюция спектров КРС на начальных этапах травления. Предложена модель, объясняющая особенности КРС и предполагающая возникновение наночастиц графита и образование sp3-связей между графитовыми плоскостями по границе нанокристаллов.

Численно продемонстрировано появление особенности завихренности {boldsymbolomega} поля скорости в отдельной точке, не связанной с симметрией начального распределения. Показано, что поведение максимальной величины завихренности |{boldsymbolomega}| вблизи точки коллапса хорошо аппроксимируется зависимостью (t0-t)-1, где t0~-- время коллапса, что согласуется с интерпретацией коллапса как процесса опрокидывания вихревых линий.

Экспериментально продемонстрировано спектральное сверхуширение фемтосекундных импульсов лазера на хром-форстерите с энергией менее наноджоуля в перетянутом волокне. При введении импульсов лазерного излучения с длиной волны 1.25 мкм, имеющих длительность 40 фс и энергию 0.6 нДж, в перетянутое волокно с диаметром перетяжки 2 мкм и длиной перетяжки 90 мм ширина спектра импульсов на выходе волокна превышала две октавы. Полученные результаты открывают возможности создания компактных фемтосекундных систем на основе форстеритовых лазеров и перетянутых волокон для оптической метрологии и биомедицинских приложений.

Представлены результаты расчета методами молекулярной динамики фазовой (P,T) диаграммы ковалентного соединения пересекающихся углеродных одностенных нанотруб (ОСНТ), структуры и электронного спектра новых углеродных кристаллов из полимеризованных нанотруб. Показано, что трансформация нанотруб при ковалентной связи между собою в плотноупакованной проводящей структуре приводит к радикальному изменению ее электронных свойств~-- П-ОСНТ кристалл становится полупроводником, а при полной трансформации sp2-гибридизированных атомов углерода в sp3-гибридизированные~-- диэлектриком.

Показано, что в совершенных многослойных системах можно с помощью одного только метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии фиксировать смещения атомных слоев (вызываемых инородными слоями), сравнимые и меньше межатомного расстояния. Ранее считалось, что фиксация таких малых смещений доступна лишь особым методам, типа метода стоячих рентгеновских волн. Измерения проводились на системе GaAs/InAs/GaAs, где инородным слоем являлся слой InAs, толщина которого не превышала 3 монослоев, а его структура имела островковый характер и по существу представляла собой набор отдельных квантовых точек. Проведенные измерения позволили определить смещение верхнего слоя GaAs по отношению к буферу GaAs с точностью менее 0.1 толщины атомного слоя.

Найдены условия существования пары Лакса и получены точные аналитические решения для нелинейных эволюционных уравнений шредингеровского типа с комплексными и неоднородными потенциалами, что, в частности, приводит к концепции солитонного менеджмента в прикладных задачах, а также решает проблемы оптимальной аккумуляции энергии шредингеровским солитоном в активной среде и усиления солитонов в волоконно-оптических линиях связи и солитонных лазерах.

С использованием двумерного моделирования методом ``частица в ячейке' найден порог по лазерной интенсивности, отвечающий рождению пионов протонами, которые ускоряются релятивистски сильными короткими лазерными импульсами при их воздействии на твердотельные мишени. Получена зависимость выхода пионов от интенсивности лазерного излучения.